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1. 发明专利

TWI519370B 雷射加工裝置有权
简体标题：激光加工设备
公开(公告)号：TWI519370B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW101133434
申请日：2012-09-13
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：國生智史 , KOKUSEI, SATOSHI , 伊藤建心 , ITO, KENSHIN , 福原健司 , FUKUHARA, KENJI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOJI
IPC分类号： B23K26/04 , B23K26/00 , G02B7/18 , C03B33/02

2. 发明专利

TW201002639A 脆性材料基板之加工方法审中-公开
公开(公告)号：TW201002639A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098111344
申请日：2009-04-06
申请人：三星鑽石工業股份有限公司
发明人：福原健司 , 井村淳史 , 山本幸司 , 井上修一 , 熊谷透
IPC分类号： C03B , B23K
CPC分类号： B28D5/0005 , B23K26/146 , B23K26/40 , B23K2203/50 , C03B33/074 , C03B33/091 , C03B33/107 , G02F1/133351
摘要：提供能進行穩定之雷射裂斷處理之脆性材料基板之加工方法。在沿第1基板端至第2基板端之劃線預定線進行加工時，係進行(a)以與第1基板端分離之方式形成第1初期龜裂之步驟；(b)使第1次雷射照射之光束點自第1基板端側相對移動至第2基板端，對該光束點通過後之部位立即噴吹冷媒以使其冷卻，藉以利用產生於劃線預定線之深度方向的應力梯度形成有限深度之劃線的步驟；(c)於第1基板端或第1基板端與第1初期龜裂之間形成第2初期龜裂的步驟；(d)使第2次雷射照射之光束點自第1基板端相對移動至第2基板端，而使劃線進一步滲透或完全地斷開的步驟。
简体摘要：提供能进行稳定之激光裂断处理之脆性材料基板之加工方法。在沿第1基板端至第2基板端之划线预定线进行加工时，系进行(a)以与第1基板端分离之方式形成第1初期龟裂之步骤；(b)使第1次激光照射之光束点自第1基板端侧相对移动至第2基板端，对该光束点通过后之部位立即喷吹冷媒以使其冷却，借以利用产生于划线预定线之深度方向的应力梯度形成有限深度之划线的步骤；(c)于第1基板端或第1基板端与第1初期龟裂之间形成第2初期龟裂的步骤；(d)使第2次激光照射之光束点自第1基板端相对移动至第2基板端，而使划线进一步渗透或完全地断开的步骤。

3. 发明专利

TWI498297B 玻璃基板之加工方法有权
公开(公告)号：TWI498297B
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW102119857
申请日：2013-06-05
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：在間則文 , ARIMA, NORIFUMI , 福原健司 , FUKUHARA, KENJI
IPC分类号： C03B33/09
CPC分类号： Y02P40/57

4. 发明专利

TW200950913A 脆性材料基板之加工方法审中-公开
公开(公告)号：TW200950913A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098111345
申请日：2009-04-06
申请人：三星鑽石工業股份有限公司
发明人：井村淳史 , 福原健司 , 山本幸司
IPC分类号： B23K
CPC分类号： B28D1/225 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B28D1/221 , C03B33/07 , C03B33/091 , C03B33/107
摘要：提供能進行穩定之雷射裂斷處理之脆性材料基板之加工方法。藉由下述步驟進行加工：(a)初期龜裂形成步驟，係於第1基板端附近之劃線預定線上形成初期龜裂；(b)雷射劃線步驟，使第1次雷射照射之光束點自該第1基板端側沿劃線預定線相對移動至第2基板端以進行加熱，且冷卻光束點通過後一刻之部位，利用於劃線預定線產生之深度方向之應力梯度沿劃線預定線形成有限深度的劃線；(c)雷射裂斷步驟，使第2次雷射照射之光束點沿劃線自第1基板端反方向相對移動至第2基板端，以使劃線更深地滲透或完全地斷開。
简体摘要：提供能进行稳定之激光裂断处理之脆性材料基板之加工方法。借由下述步骤进行加工：(a)初期龟裂形成步骤，系于第1基板端附近之划线预定在线形成初期龟裂；(b)激光划线步骤，使第1次激光照射之光束点自该第1基板端侧沿划线预定线相对移动至第2基板端以进行加热，且冷却光束点通过后一刻之部位，利用于划线预定线产生之深度方向之应力梯度沿划线预定线形成有限深度的划线；(c)激光裂断步骤，使第2次激光照射之光束点沿划线自第1基板端反方向相对移动至第2基板端，以使划线更深地渗透或完全地断开。

5. 发明专利

TWI587960B 雷射加工方法及雷射加工裝置有权
简体标题：激光加工方法及激光加工设备
公开(公告)号：TWI587960B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102123572
申请日：2013-07-02
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：福原健司 , FUKUHARA, KENJI
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/40

6. 发明专利

TWI518044B 脆性材料基板的切割方法有权
公开(公告)号：TWI518044B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW101116477
申请日：2012-05-09
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：岡本浩和 , OKAMOTO, HIROKAZU , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOJI , 福原健司 , FUKUHARA, KENJI
IPC分类号： C03B33/09

7. 发明专利

TW201317071A 利用雷射射束的玻璃基板加工裝置审中-公开
简体标题：利用激光射束的玻璃基板加工设备
公开(公告)号：TW201317071A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101133434
申请日：2012-09-13
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：國生智史 , KOKUSEI, SATOSHI , 伊藤建心 , ITO, KENSHIN , 福原健司 , FUKUHARA, KENJI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOJI
IPC分类号： B23K26/04 , B23K26/00 , G02B7/18 , C03B33/02
摘要：本發明之目的係在於以簡單的構成，將全部的切斷部之端面斜面設為相同角度。該雷射加光裝置係具備有：雷射射束輸出部15；第1及第2楔形稜鏡17a、18a，係用以使從雷射射束輸出部15所射出之雷射射束偏向；第1及第2中空馬達，係用以使各楔形稜鏡17a、18a進行旋轉；聚光透鏡19，使通過第2楔形稜鏡18a之雷射射束聚光在工件之加工預定線上；掃描手段，沿著工件之加工預定線掃描聚光之雷射射束；以及控制部34。控制部34係在沿著加工預定線掃描雷射射束時，使各楔形稜鏡17a、18a繞著光軸進行旋轉，俾使藉由聚光透鏡19所形成之雷射射束之聚光點聚光在光軸上的一點。
简体摘要：本发明之目的系在于以简单的构成，将全部的切断部之端面斜面设为相同角度。该激光加光设备系具备有：激光射束输出部15；第1及第2楔形棱镜17a、18a，系用以使从激光射束输出部15所射出之激光射束偏向；第1及第2中空马达，系用以使各楔形棱镜17a、18a进行旋转；聚光透镜19，使通过第2楔形棱镜18a之激光射束聚光在工件之加工预定在线；扫描手段，沿着工件之加工预定线扫描聚光之激光射束；以及控制部34。控制部34系在沿着加工预定线扫描激光射束时，使各楔形棱镜17a、18a绕着光轴进行旋转，俾使借由聚光透镜19所形成之激光射束之聚光点聚光在光轴上的一点。

8. 发明专利

TW201315557A 母基板之分斷方法审中-公开
简体标题：母基板之分断方法
公开(公告)号：TW201315557A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101119277
申请日：2012-05-30
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：福原健司 , FUKUHARA, KENJI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOJI
IPC分类号： B23K26/14 , C03B33/09 , B23K101/40
摘要：本發明提供一種可沿著分斷預定線精度較佳地進行分斷之基板之裂斷方法。於刻線步驟中，以特定之間距形成複數條劃線，接下來於裂斷步驟中，沿著上述複數條劃線之一即第1劃線裂斷基板，並將沿著第1劃線而形成之基板之端緣作為基準，移動特定之間距而沿著其他劃線將裂斷機構定位而裂斷上述基板。
简体摘要：本发明提供一种可沿着分断预定线精度较佳地进行分断之基板之裂断方法。于刻线步骤中，以特定之间距形成复数条划线，接下来于裂断步骤中，沿着上述复数条划线之一即第1划线裂断基板，并将沿着第1划线而形成之基板之端缘作为基准，移动特定之间距而沿着其他划线将裂断机构定位而裂断上述基板。

9. 发明专利

TWI380963B 脆性材料基板之加工方法有权
公开(公告)号：TWI380963B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW098111344
申请日：2009-04-06
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：福原健司 , FUKUHARA, KENJI , 井村淳史 , IMURA, ATSUSHI , 山本幸司 , YAMAMOTO, KOJI , 井上修一 , INOUE, SHUICHI , 熊谷透 , KUMAGAI, TORU
IPC分类号： C03B33/09 , C03B33/02 , B23K26/38
CPC分类号： B28D5/0005 , B23K26/146 , B23K26/40 , B23K2203/50 , C03B33/074 , C03B33/091 , C03B33/107 , G02F1/133351

10. 发明专利

TWI532693B 脆性材料基板的加工方法有权
公开(公告)号：TWI532693B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW101113560
申请日：2012-04-17
申请人：三星鑽石工業股份有限公司 , MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：福原健司 , FUKUHARA, KENJI , 岡本浩和 , OKAMOTO, HIROKAZU , 荒川美紀 , ARAKAWA, MINORI
IPC分类号： C03B33/023 , C03B33/09 , B23K26/36
CPC分类号： Y02P40/57

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