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    • 1. 发明专利
    • 雷射加工裝置以及雷射加工方法
    • 激光加工设备以及激光加工方法
    • TW201811479A
    • 2018-04-01
    • TW106111313
    • 2017-04-05
    • 三星鑽石工業股份有限公司MITSUBOSHI DIAMOND INDUSTRIAL CO., LTD.
    • 池田剛史IKEDA, TAKESHI荒川美紀ARAKAWA, MINORI橋本百加HASHIMOTO, MOMOKA山本幸司YAMAMOTO, KOUJI
    • B23K26/38B23K101/18
    • 本發明之課題在於使得當藉由雷射加工裝置對複數層樹脂基板進行全切加工時,於表面側之層之加工時內側之樹脂層不易被加工。 雷射加工裝置1係用以自表面側將具有第1樹脂層L1與第2樹脂層L2之複數層樹脂基板P切斷之裝置,且具備第1雷射振盪器9A與第2雷射振盪器9B。第1雷射振盪器9A係產生用以將第1樹脂層L1切斷之第1雷射光R1之裝置。第1雷射光R1係與相對於第1樹脂層L1而言相比,相對於第2樹脂層L2而言吸收率較低。第2雷射振盪器9B係產生用以將第2樹脂層L2切斷之第2雷射光R2之裝置。第2雷射光R2係與相對於第1樹脂層L1而言相比,相對於第2樹脂層L2而言吸收率較高。
    • 本发明之课题在于使得当借由激光加工设备对复数层树脂基板进行全切加工时,于表面侧之层之加工时内侧之树脂层不易被加工。 激光加工设备1系用以自表面侧将具有第1树脂层L1与第2树脂层L2之复数层树脂基板P切断之设备,且具备第1激光振荡器9A与第2激光振荡器9B。第1激光振荡器9A系产生用以将第1树脂层L1切断之第1激光光R1之设备。第1激光光R1系与相对于第1树脂层L1而言相比,相对于第2树脂层L2而言吸收率较低。第2激光振荡器9B系产生用以将第2树脂层L2切断之第2激光光R2之设备。第2激光光R2系与相对于第1树脂层L1而言相比,相对于第2树脂层L2而言吸收率较高。