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1. 发明专利

TWI527213B 功率半導體之製造方法有权
简体标题：功率半导体之制造方法
公开(公告)号：TWI527213B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW102115822
申请日：2013-05-03
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 , MOSEL VITELIC INC.
发明人：張建平 , CHANG, CHIEN PING
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66348 , H01L21/187 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834

2. 发明专利

TW201515248A 具選擇性射極之太陽能電池及其製法审中-公开
简体标题：具选择性射极之太阳能电池及其制法
公开(公告)号：TW201515248A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW102137211
申请日：2013-10-15
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 , MOSEL VITELIC INC.
发明人：游志成 , YU, CHIH CHENG
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本案係關於一種具選擇性射極之太陽能電池及其製法，其包括半導體基板、射極層、至少一第一電極及至少一第二電極。半導體基板具有第一表面及第二表面，其中第一表面包括至少一平坦表面區域及至少一非平坦表面區域。射極層形成於半導體基板之第一表面，且包括至少一濃摻雜區域及至少一淡摻雜區域，其中半導體基板與射極層之間形成pn接面，濃摻雜區域對應於平坦表面區域，且淡摻雜區域對應於非平坦表面區域。第一電極係形成於濃摻雜區域之上，且與濃摻雜區域電性接觸。第二電極係形成於半導體基板之第二表面上。
简体摘要：本案系关于一种具选择性射极之太阳能电池及其制法，其包括半导体基板、射极层、至少一第一电极及至少一第二电极。半导体基板具有第一表面及第二表面，其中第一表面包括至少一平坦表面区域及至少一非平坦表面区域。射极层形成于半导体基板之第一表面，且包括至少一浓掺杂区域及至少一淡掺杂区域，其中半导体基板与射极层之间形成pn接面，浓掺杂区域对应于平坦表面区域，且淡掺杂区域对应于非平坦表面区域。第一电极系形成于浓掺杂区域之上，且与浓掺杂区域电性接触。第二电极系形成于半导体基板之第二表面上。

3. 发明专利

TW201507105A 互補式金屬氧化物半導體之製造方法审中-公开
简体标题：互补式金属氧化物半导体之制造方法
公开(公告)号：TW201507105A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW102129209
申请日：2013-08-14
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 , MOSEL VITELIC, INC.
发明人：王乾輝 , WANG, CHYAN HUEI , 羅琇方 , LO, SHIU FANG , 詹尚堂 , JAN, JACK
IPC分类号： H01L27/092 , H01L23/34
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L27/0617 , H01L27/092
摘要：本案係關於一種互補式金屬氧化物半導體之製造方法，包括步驟：提供半導體基板；於半導體基板之第一表面形成具有厚度大於1微米之氧化物層之金屬氧化物半導體區；將氧化物層形成為金屬氧化物半導體區之隔離區及多晶加熱器之熱隔離區；將金屬氧化物半導體區之多晶閘形成為至少部分之多晶加熱器；形成介電質層；以及進行硒蝕刻。藉此可將氧化物層應用作為金屬氧化物半導體區之一隔離區及多晶加熱器之熱隔離區，且達到充分利用金屬氧化物半導體區之多晶閘作為多晶加熱器，並使多晶加熱器之散熱最佳化之功效。
简体摘要：本案系关于一种互补式金属氧化物半导体之制造方法，包括步骤：提供半导体基板；于半导体基板之第一表面形成具有厚度大于1微米之氧化物层之金属氧化物半导体区；将氧化物层形成为金属氧化物半导体区之隔离区及多晶加热器之热隔离区；将金属氧化物半导体区之多晶闸形成为至少部分之多晶加热器；形成介电质层；以及进行硒蚀刻。借此可将氧化物层应用作为金属氧化物半导体区之一隔离区及多晶加热器之热隔离区，且达到充分利用金属氧化物半导体区之多晶闸作为多晶加热器，并使多晶加热器之散热最优化之功效。

4. 发明专利

TWI450401B 太陽能電池及其製造方法有权
简体标题：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI450401B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW096131912
申请日：2007-08-28
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 , MOSEL VITELIC INC.
发明人：陳錫杰 , CHEN, HSI CHIEH , 朱志勳 , CHU, CHIH HSUN
IPC分类号： H01L31/043 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521

5. 发明专利

TW201021221A 雙面太陽能電池之製造方法 MANUFACTURING METHOD OF BIFACIAL SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：双面太阳能电池之制造方法 MANUFACTURING METHOD OF BIFACIAL SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201021221A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW097145797
申请日：2008-11-26
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司
发明人：沈昌宏 , 羅珮婷 , 游志成 , 曾玉珠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種雙面太陽能電池之製造方法，至少包含步驟：提供半導體基板；於半導體基板之第一表面上形成射極層，並於半導體基板與射極層間形成pn接面；於射極層上形成第一抗反射膜；於半導體基板之第二表面上以網版印刷技術形成摻雜源層；於半導體基板與摻雜源層間形成背表面電場層；於背表面電場層上形成第二抗反射膜；於第二表面上形成至少一第二電極；以及於第一表面上形成至少一第一電極。
简体摘要：一种双面太阳能电池之制造方法，至少包含步骤：提供半导体基板；于半导体基板之第一表面上形成射极层，并于半导体基板与射极层间形成pn接面；于射极层上形成第一抗反射膜；于半导体基板之第二表面上以网版印刷技术形成掺杂源层；于半导体基板与掺杂源层间形成背表面电场层；于背表面电场层上形成第二抗反射膜；于第二表面上形成至少一第二电极；以及于第一表面上形成至少一第一电极。

6. 发明专利

TW201003934A 太陽能電池之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：太阳能电池之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201003934A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097126792
申请日：2008-07-15
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司
发明人：沈昌宏 , 羅珮婷
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本案係提供一種太陽能電池之製造方法，其包含下列步驟：(a)提供一半導體基板；(b)形成一具非晶矽結構之介電層於該半導體基板上；(c)選擇性地移除部分之該具非晶矽結構之介電層，並曝露出部分之該半導體基板；(d)以該具非晶矽結構之介電層為半通透層，同時於該曝露之半導體基板表層形成一高摻雜區域及於未曝露之半導體基板表層形成一低摻雜區域；(e)移除該具非晶矽結構之介電層；(f)形成一抗反射膜於該半導體基板上；以及(g)形成複數個第一電極於該抗反射膜上，且使該第一電極連接於對應之該高摻雜區域。
简体摘要：本案系提供一种太阳能电池之制造方法，其包含下列步骤：(a)提供一半导体基板；(b)形成一具非晶硅结构之介电层于该半导体基板上；(c)选择性地移除部分之该具非晶硅结构之介电层，并曝露出部分之该半导体基板；(d)以该具非晶硅结构之介电层为半通透层，同时于该曝露之半导体基板表层形成一高掺杂区域及于未曝露之半导体基板表层形成一低掺杂区域；(e)移除该具非晶硅结构之介电层；(f)形成一抗反射膜于该半导体基板上；以及(g)形成复数个第一电极于该抗反射膜上，且使该第一电极连接于对应之该高掺杂区域。

7. 发明专利

TW200952185A 太陽能電池及其製造方法 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制造方法 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200952185A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW097121575
申请日：2008-06-10
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司
发明人：沈昌宏 , 羅珮婷
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種太陽能電池及其製造方法，太陽能電池至少包含：半導體基板；射極層，形成於半導體基板之至少一表面上，且與半導體基板之間形成pn接面；抗反射膜，形成於射極層上；保護薄膜，形成於抗反射膜上；射極接觸區域，形成於射極層的部份區域；以及第一電極，與射極接觸區域連接。
简体摘要：一种太阳能电池及其制造方法，太阳能电池至少包含：半导体基板；射极层，形成于半导体基板之至少一表面上，且与半导体基板之间形成pn接面；抗反射膜，形成于射极层上；保护薄膜，形成于抗反射膜上；射极接触区域，形成于射极层的部份区域；以及第一电极，与射极接触区域连接。

8. 发明专利

TWI305022B 監測離子植入機台之方法 METHOD OF MONITORING ION IMPLANTER 有权
简体标题：监测离子植入机台之方法 METHOD OF MONITORING ION IMPLANTER
公开(公告)号：TWI305022B
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW092137173
申请日：2003-12-26
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：林俊德 LIN, CHUN TE , 楊志申 YANG, CHIH SHENG , 李宏志 LEE, HONG ZHI , 陳達德 CHEN, TA TE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/34
摘要：本案係為一種監測離子植入機台之方法,該方法係包含下列步驟:提供一晶圓;形成一阻擋層於該晶圓表面,該阻擋層對離子植入有實質上阻擋的效果;對該晶圓進行一離子植入製程;施行一熱處理程序;移除該阻擋層;以及量測該晶圓之物質特性。
简体摘要：本案系为一种监测离子植入机台之方法,该方法系包含下列步骤:提供一晶圆;形成一阻挡层于该晶圆表面,该阻挡层对离子植入有实质上阻挡的效果;对该晶圆进行一离子植入制程;施行一热处理进程;移除该阻挡层;以及量测该晶圆之物质特性。

9. 发明专利

TW200809982A 溝渠式功率半導體裝置及其製法 FABRICATING PROCESS AND STRUCTURE OF TRENCH POWER SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：沟渠式功率半导体设备及其制法 FABRICATING PROCESS AND STRUCTURE OF TRENCH POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200809982A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW095129704
申请日：2006-08-11
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：趙國梁 JAW, KOU LIANG , 葉宗智 YEH, TSUNG CHIH , 曾大瑋 CHEN, TECK WEI , 袁天民 YUAN, TIEN MIN , 陳銘傳 CHEN, MING CHUAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734
摘要：本案為一種溝渠式功率半導體裝置及其製法,該裝置包含:基板;溝渠結構,形成於基板中;閘氧化層,形成於溝渠結構之內壁面;閘極,形成於溝渠結構內部且突出於溝渠結構之表面;側壁結構,形成於突出溝渠結構表面之閘極之側邊;第一導電層,至少形成於閘極表面;以及源極結構,形成於基板內且鄰近閘氧化層。
简体摘要：本案为一种沟渠式功率半导体设备及其制法,该设备包含:基板;沟渠结构,形成于基板中;闸氧化层,形成于沟渠结构之内壁面;闸极,形成于沟渠结构内部且突出于沟渠结构之表面;侧壁结构,形成于突出沟渠结构表面之闸极之侧边;第一导电层,至少形成于闸极表面;以及源极结构,形成于基板内且邻近闸氧化层。

10. 发明专利

TWI293492B 形成渠溝底部氧化矽層與渠溝複晶矽層的方法有权
简体标题：形成渠沟底部氧化硅层与渠沟复晶硅层的方法
公开(公告)号：TWI293492B
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：TW091116769
申请日：2002-07-26
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：林俊德 LIN, CHUN TE , 楊志申 YANG, CHIH SHENG , 朱謙嵩 JASON C. S. CHU , 袁天民 YUAN, TIEN MIN
IPC分类号： H01L
摘要：一種形成渠溝底部氧化矽層與渠溝複晶矽層的方法，首先提供一半導體基板，並在所述半導體基板上陸續形成第一氧化矽層、氮化矽層與第二氧化矽層。後續利用微影與非等向性蝕刻技術在所述半導體基板內形成複數個渠溝，並在所述渠溝內形成一層閘極氧化矽層。接下來利用高密度電漿化學汽相沉積技術在所述渠溝之底部及所述第二氧化矽層之上形成一層第三氧化矽層，並在所述半導體基板上全面覆蓋沉積一層複晶矽層，並使所述複晶矽層將整個渠溝填滿。後續對所述半導體基板進行化學機械研磨製程，直至所述複晶矽層的頂部表面與所述氮化矽層之頂部表面等高，所述化學機械研磨製程係採用針對氧化矽層之研磨液。
简体摘要：一种形成渠沟底部氧化硅层与渠沟复晶硅层的方法，首先提供一半导体基板，并在所述半导体基板上陆续形成第一氧化硅层、氮化硅层与第二氧化硅层。后续利用微影与非等向性蚀刻技术在所述半导体基板内形成复数个渠沟，并在所述渠沟内形成一层闸极氧化硅层。接下来利用高密度等离子化学汽相沉积技术在所述渠沟之底部及所述第二氧化硅层之上形成一层第三氧化硅层，并在所述半导体基板上全面覆盖沉积一层复晶硅层，并使所述复晶硅层将整个渠沟填满。后续对所述半导体基板进行化学机械研磨制程，直至所述复晶硅层的顶部表面与所述氮化硅层之顶部表面等高，所述化学机械研磨制程系采用针对氧化硅层之研磨液。

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