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1. 发明专利

TWI231962B 金屬化製程失效
简体标题：金属化制程
公开(公告)号：TWI231962B
公开(公告)日：2005-05-01
申请号：TW090107953
申请日：2001-04-03
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：楊志申 YANG, CHIH SHENG , 黃盈堯 , 鄭重言 , 朱謙嵩 CHIEI SHUNG CHU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/7685 , H01L21/2855 , H01L21/32051
摘要：本發明提供一種金屬化製程，其係在高溫下的真空環境中濺鍍完鋁銅合金層後，在不破壞真空系統的情況下，將晶片移轉至氮化鈦濺鍍室，並在開始進行濺鍍之前，先通入惰性氣體將晶片冷卻，再進行氮化鈦的濺鍍製程。
简体摘要：本发明提供一种金属化制程，其系在高温下的真空环境中溅镀完铝铜合金层后，在不破坏真空系统的情况下，将芯片移转至氮化钛溅镀室，并在开始进行溅镀之前，先通入惰性气体将芯片冷却，再进行氮化钛的溅镀制程。

2. 发明专利

TWI305022B 監測離子植入機台之方法 METHOD OF MONITORING ION IMPLANTER 有权
简体标题：监测离子植入机台之方法 METHOD OF MONITORING ION IMPLANTER
公开(公告)号：TWI305022B
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW092137173
申请日：2003-12-26
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：林俊德 LIN, CHUN TE , 楊志申 YANG, CHIH SHENG , 李宏志 LEE, HONG ZHI , 陳達德 CHEN, TA TE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/34
摘要：本案係為一種監測離子植入機台之方法,該方法係包含下列步驟:提供一晶圓;形成一阻擋層於該晶圓表面,該阻擋層對離子植入有實質上阻擋的效果;對該晶圓進行一離子植入製程;施行一熱處理程序;移除該阻擋層;以及量測該晶圓之物質特性。
简体摘要：本案系为一种监测离子植入机台之方法,该方法系包含下列步骤:提供一晶圆;形成一阻挡层于该晶圆表面,该阻挡层对离子植入有实质上阻挡的效果;对该晶圆进行一离子植入制程;施行一热处理进程;移除该阻挡层;以及量测该晶圆之物质特性。

3. 发明专利

TWI293492B 形成渠溝底部氧化矽層與渠溝複晶矽層的方法有权
简体标题：形成渠沟底部氧化硅层与渠沟复晶硅层的方法
公开(公告)号：TWI293492B
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：TW091116769
申请日：2002-07-26
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：林俊德 LIN, CHUN TE , 楊志申 YANG, CHIH SHENG , 朱謙嵩 JASON C. S. CHU , 袁天民 YUAN, TIEN MIN
IPC分类号： H01L
摘要：一種形成渠溝底部氧化矽層與渠溝複晶矽層的方法，首先提供一半導體基板，並在所述半導體基板上陸續形成第一氧化矽層、氮化矽層與第二氧化矽層。後續利用微影與非等向性蝕刻技術在所述半導體基板內形成複數個渠溝，並在所述渠溝內形成一層閘極氧化矽層。接下來利用高密度電漿化學汽相沉積技術在所述渠溝之底部及所述第二氧化矽層之上形成一層第三氧化矽層，並在所述半導體基板上全面覆蓋沉積一層複晶矽層，並使所述複晶矽層將整個渠溝填滿。後續對所述半導體基板進行化學機械研磨製程，直至所述複晶矽層的頂部表面與所述氮化矽層之頂部表面等高，所述化學機械研磨製程係採用針對氧化矽層之研磨液。
简体摘要：一种形成渠沟底部氧化硅层与渠沟复晶硅层的方法，首先提供一半导体基板，并在所述半导体基板上陆续形成第一氧化硅层、氮化硅层与第二氧化硅层。后续利用微影与非等向性蚀刻技术在所述半导体基板内形成复数个渠沟，并在所述渠沟内形成一层闸极氧化硅层。接下来利用高密度等离子化学汽相沉积技术在所述渠沟之底部及所述第二氧化硅层之上形成一层第三氧化硅层，并在所述半导体基板上全面覆盖沉积一层复晶硅层，并使所述复晶硅层将整个渠沟填满。后续对所述半导体基板进行化学机械研磨制程，直至所述复晶硅层的顶部表面与所述氮化硅层之顶部表面等高，所述化学机械研磨制程系采用针对氧化硅层之研磨液。

4. 发明专利

TW200522240A 監測離子植入機台之方法 METHOD OF MONITORING ION IMPLANTER 审中-公开
简体标题：监测离子植入机台之方法 METHOD OF MONITORING ION IMPLANTER
公开(公告)号：TW200522240A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW092137173
申请日：2003-12-26
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：林俊德 LIN, CHUN TE , 楊志申 YANG, CHIH SHENG , 李宏志 LEE, HONG ZHI , 陳達德 CHEN, TA TE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/34
摘要：本案係為一種監測離子植入機台之方法，該方法係包含下列步驟：提供一晶圓；形成一阻擋層於該晶圓表面，該阻擋層對離子植入有實質上阻擋的效果；對該晶圓進行一離子植入製程；施行一熱處理程序；移除該阻擋層；以及量測該晶圓之物質特性。
简体摘要：本案系为一种监测离子植入机台之方法，该方法系包含下列步骤：提供一晶圆；形成一阻挡层于该晶圆表面，该阻挡层对离子植入有实质上阻挡的效果；对该晶圆进行一离子植入制程；施行一热处理进程；移除该阻挡层；以及量测该晶圆之物质特性。

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