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1. 发明专利

TWI553855B 功率半導體及其製造方法有权
简体标题：功率半导体及其制造方法
公开(公告)号：TWI553855B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW102116015
申请日：2013-05-06
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 , MOSEL VITELIC, INC.
发明人：張建平 , CHANG, CHIEN PING , 朱建仲 , CHU, CHIEN CHUNG , 唐亦仙 , TANG, I HSIEN , 周崇勳 , JOU, CHOU SHIN , 曾茂松 , TSENG, MAO SONG , 賴世麒 , LAI, SHIH CHI
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/66333 , H01L29/7397

2. 发明专利

TWI528424B 於金氧半場效電晶體形成遮蔽閘之方法有权
简体标题：于金氧半场效应管形成屏蔽闸之方法
公开(公告)号：TWI528424B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW102128009
申请日：2013-08-05
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 , MOSEL VITELIC, INC.
发明人：賴世麒 , LAI, RICHARD
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28008 , H01L29/42368 , H01L29/66734 , H01L29/7813

3. 发明专利

TW201444080A 功率半導體之製造方法审中-公开
简体标题：功率半导体之制造方法
公开(公告)号：TW201444080A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102115822
申请日：2013-05-03
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 , MOSEL VITELIC INC.
发明人：張建平 , CHANG, CHIEN PING
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66348 , H01L21/187 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：本案係關於一種功率半導體之製造方法，至少包括步驟：(a)提供第一半導體基板及第二半導體基板；(b)於第一半導體基板之第一表面形成金屬氧化物半導體區；(c)對第一半導體基板之第二表面進行表面研磨；(d)以離子佈植之方式於第二半導體基板之第三表面植入形成N型緩衝區及P型注入區；(e)對第二半導體基板之第四表面進行表面研磨；以及(f)將第一半導體基板之第二表面與第二半導體基板之第三表面相接合，俾形成第三半導體基板，藉以達到製程彈性提高且功率半導體之成品特性不受限制等功效。
简体摘要：本案系关于一种功率半导体之制造方法，至少包括步骤：(a)提供第一半导体基板及第二半导体基板；(b)于第一半导体基板之第一表面形成金属氧化物半导体区；(c)对第一半导体基板之第二表面进行表面研磨；(d)以离子布植之方式于第二半导体基板之第三表面植入形成N型缓冲区及P型注入区；(e)对第二半导体基板之第四表面进行表面研磨；以及(f)将第一半导体基板之第二表面与第二半导体基板之第三表面相接合，俾形成第三半导体基板，借以达到制程弹性提高且功率半导体之成品特性不受限制等功效。

4. 发明专利

TW201340358A 雙面太陽能電池之製造方法审中-公开
简体标题：双面太阳能电池之制造方法
公开(公告)号：TW201340358A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101109936
申请日：2012-03-22
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 , MOSEL VITELIC, INC.
发明人：游志成 , YU, CHIH CHENG
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本案係關於一種雙面太陽能電池之製造方法，至少包括步驟：提供半導體基板；以雷射光束對半導體基板之第一表面及第二表面進行表面處理；於半導體基板之至少部分區域形成均質之射極層，其中半導體基板與射極層間形成pn接面；形成抗反射膜於第一表面；以及分別形成第一電極及第二電極於第一表面及第二表面，藉由雷射光束可調整之特性作為表面處理工具，以達到增加受光面積，進而促進光線吸收效率，以及提高開路電壓(Voc)、短路電流(Isc)及填充因子(FF)等製程參數表現之功效。
简体摘要：本案系关于一种双面太阳能电池之制造方法，至少包括步骤：提供半导体基板；以激光光束对半导体基板之第一表面及第二表面进行表面处理；于半导体基板之至少部分区域形成均质之射极层，其中半导体基板与射极层间形成pn接面；形成抗反射膜于第一表面；以及分别形成第一电极及第二电极于第一表面及第二表面，借由激光光束可调整之特性作为表面处理工具，以达到增加受光面积，进而促进光线吸收效率，以及提高开路电压(Voc)、短路电流(Isc)及填充因子(FF)等制程参数表现之功效。

5. 发明专利

TW200849614A 光能電源裝置與其製作方法 THE ILLUMINATED POWER SOURCE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：光能电源设备与其制作方法 THE ILLUMINATED POWER SOURCE AND THE MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200849614A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW096121069
申请日：2007-06-11
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC, INC.
发明人：陳錫杰 CHEN, HSI CHIEH , 朱志勳 CHU, CHIH HSUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L31/02168 , H01L31/022433 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要：本發明提供一種光能電源裝置包括一供給基板、一第一發射基板、一第二發射基板、一第一防反射層、一第一金屬電極、一第二金屬電極、一第二防反射層以及一第三金屬電極。該供給基板用以產生一第一電壓,該第一發射基板與該供給基板的第一表面相連,該第二發射基板用與該供給基板的一第二表面相連。該第一防反射層覆蓋該第一發射基板,該第一金屬電極設置於該第一防反射層上並與該第一發射基板融合,用以傳導該第一電子流。該第二金屬電極設置於該第二發射基板上並與該第二發射基板融合,用以產生一第二電壓。該第三金屬電極設置於該第二金屬電極上並與該第二發射基板融合,用以傳導該第二電子流。該第二防反射層設置於該第二金屬電極及該第三金屬電極之間作絕緣之用。
简体摘要：本发明提供一种光能电源设备包括一供给基板、一第一发射基板、一第二发射基板、一第一防反射层、一第一金属电极、一第二金属电极、一第二防反射层以及一第三金属电极。该供给基板用以产生一第一电压,该第一发射基板与该供给基板的第一表面相连,该第二发射基板用与该供给基板的一第二表面相连。该第一防反射层覆盖该第一发射基板,该第一金属电极设置于该第一防反射层上并与该第一发射基板融合,用以传导该第一电子流。该第二金属电极设置于该第二发射基板上并与该第二发射基板融合,用以产生一第二电压。该第三金属电极设置于该第二金属电极上并与该第二发射基板融合,用以传导该第二电子流。该第二防反射层设置于该第二金属电极及该第三金属电极之间作绝缘之用。

6. 发明专利

TWI297503B 確保泵充電性能之電荷泵 CHARGE PUMP WITH ENSURED PUMPING CAPABILITY 失效
简体标题：确保泵充电性能之电荷泵 CHARGE PUMP WITH ENSURED PUMPING CAPABILITY
公开(公告)号：TWI297503B
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW094137170
申请日：2005-10-24
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：金中俊 KIM, JONGJUN
IPC分类号： G11C
摘要：一n階段電荷泵結構包含有n個主要泵電容元件
(CC1-CCn或CD1-CDn)、n+1個電荷轉移單元胞(601-60n+1、
1101-110n+1、1201-120n+1或1301-130n+1),分別依序標示為
第一至第(n+1)個單元胞;以及彼此相逆之第一與第二時
脈電壓信號(VCKP與VCKP或VCKP1與VCKP2)來源。每一泵充電階
段(62i、112i、122i或132i)包含電容元件(CCi或CDi)之一與
一第一至第n個電荷轉移單元胞中之相對者(60i、110i、
120i或130i)。每一單元胞包含電荷轉移場效電晶體(PTi
或NTi)。一對側端場效電晶體(PSi與PDi或NSi與NDi)可供予
第一單元胞、第(n+1)個單元胞及每一個剩餘之單元胞)。
該側端場效電晶體於第一單元胞或/且第(n+1)個單元胞
中之連接依本案之方式以免除不必要的兩極化作動,該兩
極化作動可能會嚴重的降低該電荷泵之階段電壓增益。
简体摘要：一n阶段电荷泵结构包含有n个主要泵电容组件 (CC1-CCn或CD1-CDn)、n+1个电荷转移单元胞(601-60n+1、 1101-110n+1、1201-120n+1或1301-130n+1),分别依序标示为第一至第(n+1)个单元胞;以及彼此相逆之第一与第二时脉电压信号(VCKP与VCKP或VCKP1与VCKP2)来源。每一泵充电阶段(62i、112i、122i或132i)包含电容组件(CCi或CDi)之一与一第一至第n个电荷转移单元胞中之相对者(60i、110i、 120i或130i)。每一单元胞包含电荷转移场效应管(PTi 或NTi)。一对侧端场效应管(PSi与PDi或NSi与NDi)可供予第一单元胞、第(n+1)个单元胞及每一个剩余之单元胞)。该侧端场效应管于第一单元胞或/且第(n+1)个单元胞中之连接依本案之方式以免除不必要的两极化作动,该两极化作动可能会严重的降低该电荷泵之阶段电压增益。

7. 发明专利

TWI285222B 真空蒸鍍系統之坩堝結構 CRUCIBLE STRUCTURE FOR VACUUM EVAPORATION SYSTEM 失效
简体标题：真空蒸镀系统之坩埚结构 CRUCIBLE STRUCTURE FOR VACUUM EVAPORATION SYSTEM
公开(公告)号：TWI285222B
公开(公告)日：2007-08-11
申请号：TW094118255
申请日：2005-06-02
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：林明正 LIN, MINE ZHENG , 曾華仁 TSENG, HUA JEN , 楊環隆 YANG, HWAN LONG , 柯宏霖 KE, HUNG LIN
IPC分类号： C23C
摘要：本案為一種坩堝結構，應用於一真空蒸鍍系統中，其中該真空蒸鍍系統具有一腔體冷卻基座。本案之坩堝結構包含：一本體部，其頂部具有一容置空間；以及至少一間隔元件，設置於本體部之底部，用以間隔本體部與真空蒸鍍系統之腔體冷卻基座。本案之坩堝結構可以增加坩堝之使用壽命、避免生產產品的報廢、增加機台加熱燈絲之使用壽命以及增加機台生產的產量。
简体摘要：本案为一种坩埚结构，应用于一真空蒸镀系统中，其中该真空蒸镀系统具有一腔体冷却基座。本案之坩埚结构包含：一本体部，其顶部具有一容置空间；以及至少一间隔组件，设置于本体部之底部，用以间隔本体部与真空蒸镀系统之腔体冷却基座。本案之坩埚结构可以增加坩埚之使用寿命、避免生产产品的报废、增加机台加热灯丝之使用寿命以及增加机台生产的产量。

8. 发明专利

TWI281028B 電流量測裝置失效
简体标题：电流量测设备
公开(公告)号：TWI281028B
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：TW091114945
申请日：2002-07-05
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：蔡文旺 WEN-WANG TSAI , 陳智平 CHEN CHIH PING
IPC分类号： G01R
摘要：本發明係一種電流量測裝置，適用於一保險絲座之封蓋及一保險絲被移除後，設置於上述保險絲座中，以量測一電子設備之操作電流，其中上述保險絲座具有一第一、第二接點分別耦接至上述電子設備及一電源供應端，上述電流量測裝置包括一筒型構件，具有一第一端設有一第一導電接點，一第二端設有一底座部分及一第二導電接點；一第一及第二導線，各具有一第一及第二端，上述第一及第二導線之第一端分別連接至上述第一導電接點及第二導電接點；一電流錶，具有一第一端耦接上述第一導線之第二端，以及一第二端；一附屬保險絲座，耦接於上述電流錶之第二端與上述第二導線之第二端之間，用以裝載上述被移除之保險絲，當電流過大時，產生斷路；其中當上述筒型構件插入於上述保險絲座中時，上述筒型構件係透過上述底座部分，組合式地裝設於上述保險絲座中，而使得上述第一、第二導電接點分別電性連接至上述保險絲座之第一、第二接點，藉此上述電流錶能量測上述電子設備之操作電流。
简体摘要：本发明系一种电流量测设备，适用于一保险丝座之封盖及一保险丝被移除后，设置于上述保险丝座中，以量测一电子设备之操作电流，其中上述保险丝座具有一第一、第二接点分别耦接至上述电子设备及一电源供应端，上述电流量测设备包括一筒型构件，具有一第一端设有一第一导电接点，一第二端设有一底座部分及一第二导电接点；一第一及第二导线，各具有一第一及第二端，上述第一及第二导线之第一端分别连接至上述第一导电接点及第二导电接点；一电流表，具有一第一端耦接上述第一导线之第二端，以及一第二端；一附属保险丝座，耦接于上述电流表之第二端与上述第二导线之第二端之间，用以装载上述被移除之保险丝，当电流过大时，产生断路；其中当上述筒型构件插入于上述保险丝座中时，上述筒型构件系透过上述底座部分，组合式地装设于上述保险丝座中，而使得上述第一、第二导电接点分别电性连接至上述保险丝座之第一、第二接点，借此上述电流表能量测上述电子设备之操作电流。

9. 发明专利

TW200705613A 遮罩式唯讀記憶體結構之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING MASK ROM 失效
简体标题：遮罩式唯读内存结构之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING MASK ROM
公开(公告)号：TW200705613A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW094124776
申请日：2005-07-21
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：湯莉蘭 TANG, LI LAN , 羅琇方 LO, SHIU FANG , 周崇勳 JOU, CHOU SHIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/112 , H01L27/1122
摘要：本案係為一種遮罩式唯讀記憶體(Mask ROM)結構之製造方法,其步驟至少包含:(a)提供一基板,並形成複數個閘極結構於基板之上;(b)形成第一氧化層於基板之上,並覆蓋複數個閘極結構;(c)形成遮罩層於第一氧化層上,並部份蝕刻遮罩層,以形成寫入開口;(d)透過遮罩層,進行離子植入程序;(e)移除遮罩層,以曝露第一氧化層;(f)形成第二氧化層於第一氧化層之上;(g)部份蝕刻第二氧化層及第一氧化層,以部份曝露基板,而形成一金屬接觸開口;以及(h)形成一導接金屬層於金屬接觸開口之上,藉此所得到之遮罩式唯讀記憶體結構可有效避免損害閘極結構或造成金屬導線短路。
简体摘要：本案系为一种遮罩式唯读内存(Mask ROM)结构之制造方法,其步骤至少包含:(a)提供一基板,并形成复数个闸极结构于基板之上;(b)形成第一氧化层于基板之上,并覆盖复数个闸极结构;(c)形成遮罩层于第一氧化层上,并部份蚀刻遮罩层,以形成写入开口;(d)透过遮罩层,进行离子植入进程;(e)移除遮罩层,以曝露第一氧化层;(f)形成第二氧化层于第一氧化层之上;(g)部份蚀刻第二氧化层及第一氧化层,以部份曝露基板,而形成一金属接触开口;以及(h)形成一导接金属层于金属接触开口之上,借此所得到之遮罩式唯读内存结构可有效避免损害闸极结构或造成金属导线短路。

10. 发明专利

TW200643209A 真空蒸鍍系統之坩堝結構 CRUCIBLE STRUCTURE FOR VACUUM EVAPORATION SYSTEM 失效
简体标题：真空蒸镀系统之坩埚结构 CRUCIBLE STRUCTURE FOR VACUUM EVAPORATION SYSTEM
公开(公告)号：TW200643209A
公开(公告)日：2006-12-16
申请号：TW094118255
申请日：2005-06-02
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 MOSEL VITELIC INC.
发明人：林明正 LIN, MINE ZHENG , 曾華仁 TSENG, HUA JEN , 楊環隆 YANG, HWAN LONG , 柯宏霖 KE, HUNG LIN
IPC分类号： C23C
摘要：本案為一種坩堝結構，應用於一真空蒸鍍系統中，其中該真空蒸鍍系統具有一腔體冷卻基座。本案之坩堝結構包含：一本體部，其頂部具有一容置空間;以及至少一間隔元件，設置於本體部之底部，用以間隔本體部與真空蒸鍍系統之腔體冷卻基座。本案之坩堝結構可以增加坩堝之使用壽命、避免生產產品的報廢、增加機台加熱燈絲之使用壽命以及增加機台生產的產量。
简体摘要：本案为一种坩埚结构，应用于一真空蒸镀系统中，其中该真空蒸镀系统具有一腔体冷却基座。本案之坩埚结构包含：一本体部，其顶部具有一容置空间;以及至少一间隔组件，设置于本体部之底部，用以间隔本体部与真空蒸镀系统之腔体冷却基座。本案之坩埚结构可以增加坩埚之使用寿命、避免生产产品的报废、增加机台加热灯丝之使用寿命以及增加机台生产的产量。

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