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1. 发明专利

TW201021221A 雙面太陽能電池之製造方法 MANUFACTURING METHOD OF BIFACIAL SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：双面太阳能电池之制造方法 MANUFACTURING METHOD OF BIFACIAL SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201021221A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW097145797
申请日：2008-11-26
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司
发明人：沈昌宏 , 羅珮婷 , 游志成 , 曾玉珠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種雙面太陽能電池之製造方法，至少包含步驟：提供半導體基板；於半導體基板之第一表面上形成射極層，並於半導體基板與射極層間形成pn接面；於射極層上形成第一抗反射膜；於半導體基板之第二表面上以網版印刷技術形成摻雜源層；於半導體基板與摻雜源層間形成背表面電場層；於背表面電場層上形成第二抗反射膜；於第二表面上形成至少一第二電極；以及於第一表面上形成至少一第一電極。
简体摘要：一种双面太阳能电池之制造方法，至少包含步骤：提供半导体基板；于半导体基板之第一表面上形成射极层，并于半导体基板与射极层间形成pn接面；于射极层上形成第一抗反射膜；于半导体基板之第二表面上以网版印刷技术形成掺杂源层；于半导体基板与掺杂源层间形成背表面电场层；于背表面电场层上形成第二抗反射膜；于第二表面上形成至少一第二电极；以及于第一表面上形成至少一第一电极。

2. 发明专利

TW201003934A 太陽能電池之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：太阳能电池之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201003934A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097126792
申请日：2008-07-15
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司
发明人：沈昌宏 , 羅珮婷
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本案係提供一種太陽能電池之製造方法，其包含下列步驟：(a)提供一半導體基板；(b)形成一具非晶矽結構之介電層於該半導體基板上；(c)選擇性地移除部分之該具非晶矽結構之介電層，並曝露出部分之該半導體基板；(d)以該具非晶矽結構之介電層為半通透層，同時於該曝露之半導體基板表層形成一高摻雜區域及於未曝露之半導體基板表層形成一低摻雜區域；(e)移除該具非晶矽結構之介電層；(f)形成一抗反射膜於該半導體基板上；以及(g)形成複數個第一電極於該抗反射膜上，且使該第一電極連接於對應之該高摻雜區域。
简体摘要：本案系提供一种太阳能电池之制造方法，其包含下列步骤：(a)提供一半导体基板；(b)形成一具非晶硅结构之介电层于该半导体基板上；(c)选择性地移除部分之该具非晶硅结构之介电层，并曝露出部分之该半导体基板；(d)以该具非晶硅结构之介电层为半通透层，同时于该曝露之半导体基板表层形成一高掺杂区域及于未曝露之半导体基板表层形成一低掺杂区域；(e)移除该具非晶硅结构之介电层；(f)形成一抗反射膜于该半导体基板上；以及(g)形成复数个第一电极于该抗反射膜上，且使该第一电极连接于对应之该高掺杂区域。

3. 发明专利

TW200952185A 太陽能電池及其製造方法 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制造方法 SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200952185A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW097121575
申请日：2008-06-10
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司
发明人：沈昌宏 , 羅珮婷
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種太陽能電池及其製造方法，太陽能電池至少包含：半導體基板；射極層，形成於半導體基板之至少一表面上，且與半導體基板之間形成pn接面；抗反射膜，形成於射極層上；保護薄膜，形成於抗反射膜上；射極接觸區域，形成於射極層的部份區域；以及第一電極，與射極接觸區域連接。
简体摘要：一种太阳能电池及其制造方法，太阳能电池至少包含：半导体基板；射极层，形成于半导体基板之至少一表面上，且与半导体基板之间形成pn接面；抗反射膜，形成于射极层上；保护薄膜，形成于抗反射膜上；射极接触区域，形成于射极层的部份区域；以及第一电极，与射极接触区域连接。

4. 发明专利

TWI368999B 太陽能電池之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL 有权
简体标题：太阳能电池之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL
公开(公告)号：TWI368999B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW097126792
申请日：2008-07-15
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司
发明人：沈昌宏 , 羅珮婷
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本案係提供一種太陽能電池之製造方法，其包含下列步驟：(a)提供一半導體基板；(b)形成一具非晶矽結構之介電層於該半導體基板上；(c)選擇性地移除部分之該具非晶矽結構之介電層，並曝露出部分之該半導體基板；(d)以該具非晶矽結構之介電層為半通透層，同時於該曝露之半導體基板表層形成一高摻雜區域及於未曝露之半導體基板表層形成一低摻雜區域；(e)移除該具非晶矽結構之介電層；(f)形成一抗反射膜於該半導體基板上；以及(g)形成複數個第一電極於該抗反射膜上，且使該第一電極連接於對應之該高摻雜區域。
简体摘要：本案系提供一种太阳能电池之制造方法，其包含下列步骤：(a)提供一半导体基板；(b)形成一具非晶硅结构之介电层于该半导体基板上；(c)选择性地移除部分之该具非晶硅结构之介电层，并曝露出部分之该半导体基板；(d)以该具非晶硅结构之介电层为半通透层，同时于该曝露之半导体基板表层形成一高掺杂区域及于未曝露之半导体基板表层形成一低掺杂区域；(e)移除该具非晶硅结构之介电层；(f)形成一抗反射膜于该半导体基板上；以及(g)形成复数个第一电极于该抗反射膜上，且使该第一电极连接于对应之该高掺杂区域。

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