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2. 发明专利

TWI601264B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI601264B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105132028
申请日：2016-10-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：于殿聖 , YU, DIAN SHEG , 崔壬汾 , TSUI, REN FEN , 廖忠志 , LIAW, JHON JHY
IPC分类号： H01L23/62
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L21/8234 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/11206

3. 发明专利

TWI587451B 半導體熔絲及其製法有权
简体标题：半导体熔丝及其制法
公开(公告)号：TWI587451B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104126811
申请日：2015-08-18
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：辛格杰高爾 , SINGH, JAGAR , 密特爾恩拉 , MITTAL, ANURAG
IPC分类号： H01L21/822 , H01L23/525 , H01L23/535
CPC分类号： H01L23/5256 , G11C17/16 , H01L21/823431 , H01L27/0617 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI433809B ＣＭＯＳ微機電懸臂結構有权
简体标题：ＣＭＯＳ微机电悬臂结构
公开(公告)号：TWI433809B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW098141974
申请日：2009-12-09
申请人：財團法人國家實驗研究院國家晶片系統設計中心 , NATIONAL CHIP IMPLEMENTATION CENTER NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES
发明人：邱進峯 , CHIU, CHIN FONG , 莊英宗 , JUANG, YING ZONG , 蔡瀚輝 , TSAI, HANN HUEI , 曾聖翔 , TSENG, SHENG HSIANG , 林建甫 , LIN, CHEN FU
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2203/0118 , B81B2207/015 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , G01F1/28 , H01L27/0617

5. 发明专利

TWI423347B 具有超陡峭接面之接面場效電晶體有权
简体标题：具有超陡峭接面之接面场效应管
公开(公告)号：TWI423347B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW097123026
申请日：2008-06-20
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：艾伯妮娜E 依夏 , ESHUN, EBENEZER E. , 傑弗瑞B 強森 , JOHNSON, JEFFREY B. , 理察A 菲爾普斯 , PHELPS, RICHARD A. , 羅伯特M 羅素 , RASSEL, ROBERT M. , 麥可J 齊克雷克 , ZICRAK, MICHAEL J.
IPC分类号： H01L21/337 , H01L29/808
CPC分类号： H01L29/808 , H01L27/0617 , H01L27/098 , H01L29/36 , H01L29/66901

6. 发明专利

TW201314866A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201314866A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101129402
申请日：2012-08-14
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/78
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/8213 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/3701 , H01L2224/3702 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40105 , H01L2224/40145 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/84
摘要：本發明係提供一種可提高半導體裝置之可靠性之技術。在本發明中，形成於半導體晶片CHP1之表面上之閘極焊墊GPj係以比其他引線(汲極引線DL或閘極引線GL)更接近源極引線SL之方式配置。其結果，根據本發明，由於可縮短閘極焊墊GPj與源極引線SL間之距離，故可縮短連接閘極焊墊GPj與源極引線SL之導線Wgj之長度。因此，根據本發明，可充分降低存在於導線Wgj中之寄生電感。
简体摘要：本发明系提供一种可提高半导体设备之可靠性之技术。在本发明中，形成于半导体芯片CHP1之表面上之闸极焊垫GPj系以比其他引线(汲极引线DL或闸极引线GL)更接近源极引线SL之方式配置。其结果，根据本发明，由于可缩短闸极焊垫GPj与源极引线SL间之距离，故可缩短连接闸极焊垫GPj与源极引线SL之导线Wgj之长度。因此，根据本发明，可充分降低存在于导线Wgj中之寄生电感。

7. 实用新型

TWM424608U 用於積體電路晶片最終測試微調之熔線電路 FUSE CIRCUIT FOR FINAL TEST TRIMMING OF INTEGRATED CIRCUIT CHIP 有权
简体标题：用于集成电路芯片最终测试微调之熔线电路 FUSE CIRCUIT FOR FINAL TEST TRIMMING OF INTEGRATED CIRCUIT CHIP
公开(公告)号：TWM424608U
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW100220806
申请日：2011-11-04
申请人：立錡科技股份有限公司
发明人：方立文 , 楊智皓 , 陳安東
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C29/785 , H01L27/0255 , H01L27/0617
摘要：本創作提出一種用於積體電路晶片最終測試微調(final test trim,FT-Trim)之熔線電路，包含：至少一電子熔線、與該電子熔線對應之至少一控制開關、以及阻抗元件。其中，電子熔線與對應之控制開關串接於預設接點與接地接點之間；控制開關接收控制訊號，以決定控制開關是否導通，使得預設電流流經對應之電子熔線，並使其熔斷，造成熔線電路開路；阻抗元件耦接於控制開關中之基板端與源極端之間，以增加寄生通道阻抗，改善熔線電路之靜電放電防護，避免積體電路晶片於最終測試微調時，造成調整錯誤。
简体摘要：本创作提出一种用于集成电路芯片最终测试微调(final test trim,FT-Trim)之熔线电路，包含：至少一电子熔线、与该电子熔线对应之至少一控制开关、以及阻抗组件。其中，电子熔线与对应之控制开关串接于默认接点与接地接点之间；控制开关接收控制信号，以决定控制开关是否导通，使得默认电流流经对应之电子熔线，并使其熔断，造成熔线电路开路；阻抗组件耦接于控制开关中之基板端与源极端之间，以增加寄生信道阻抗，改善熔线电路之静电放电防护，避免集成电路芯片于最终测试微调时，造成调整错误。

8. 发明专利

TW200722742A 奈米碳管與CMOS晶片整合為陣列型感測器的方法 METHOD TO INTEGRATE CARBON NANOTUBE WITH CMOS CHIP INTO ARRAY-TYPE MICROSENSOR 失效
简体标题：奈米碳管与CMOS芯片集成为数组型传感器的方法 METHOD TO INTEGRATE CARBON NANOTUBE WITH CMOS CHIP INTO ARRAY-TYPE MICROSENSOR
公开(公告)号：TW200722742A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW094144036
申请日：2005-12-13
申请人：黃榮堂 HUANG, JUNG-TANG
发明人：黃榮堂 HUANG, JUNG-TANG , 蔡政宏 TSAI, CHENG-HUNG
IPC分类号： G01N , C25D
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , H01L27/0617 , H01L29/0673 , H01L51/0048
摘要：一種運用奈米碳管整合CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,互補式金屬氧化物半導體)積體電路晶片成為含有訊號處理電路的分子級感測器陣列系統晶片的方法,其方法包括採用低溫的晶圓級(Wafer-Level)製程將含有分散良好的奈米碳管溶液置於已製作完成的CMOS晶片上,利用陣列型探針卡接觸每對銲墊(pad),施加介電泳(DEP)訊號吸引碳管至銲墊對上並同時實施阻抗(Impedance)量測,藉由量取阻抗値以偵測奈米碳管固定於每對銲墊上的數量;當有多出原定目標數量之奈米碳管時,利用直流偏壓、交流電壓、頻率的調整,以負介電泳力的方式排除,再重新執行一次訊號施加週期,直到達到所需的奈米碳管數,即維持住DEP力直到介電溶液蒸發,如此可讓奈米碳管與每對銲墊做良好的接觸。進一步對奈米碳管表面改質,使其對於環境中的外來分子(氣體分子、生物分子等)有高度靈敏反應,感測器可設計成阻抗型與場效電晶體型。將測得之訊號直接傳入與每對銲墊相連的CMOS訊號處理單元中,此訊號處理單元可為阻抗量測單元、電流量測單元、電導量測單元等,因此能夠直接量測、判斷與記錄所測得的微量電訊變化。
简体摘要：一种运用奈米碳管集成CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,互补式金属氧化物半导体)集成电路芯片成为含有信号处理电路的分子级传感器数组系统芯片的方法,其方法包括采用低温的晶圆级(Wafer-Level)制程将含有分散良好的奈米碳管溶液置于已制作完成的CMOS芯片上,利用数组型探针卡接触每对焊垫(pad),施加介电泳(DEP)信号吸引碳管至焊垫对上并同时实施阻抗(Impedance)量测,借由量取阻抗値以侦测奈米碳管固定于每对焊垫上的数量;当有多出原定目标数量之奈米碳管时,利用直流偏压、交流电压、频率的调整,以负介电泳力的方式排除,再重新运行一次信号施加周期,直到达到所需的奈米碳管数,即维持住DEP力直到介电溶液蒸发,如此可让奈米碳管与每对焊垫做良好的接触。进一步对奈米碳管表面改质,使其对于环境中的外来分子(气体分子、生物分子等)有高度灵敏反应,传感器可设计成阻抗型与场效应管型。将测得之信号直接传入与每对焊垫相连的CMOS信号处理单元中,此信号处理单元可为阻抗量测单元、电流量测单元、电导量测单元等,因此能够直接量测、判断与记录所测得的微量电讯变化。

9. 发明专利

TWI270961B 具有高性能積體電路多晶矽凝集熔消元件之互補金氧半導體之製法 CMOS PROCESS WITH AN INTEGRATED, HIGH PERFORMANCE, SILICIDE AGGLOMERATION FUSE 有权
简体标题：具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件之互补金属氧化物半导体之制法 CMOS PROCESS WITH AN INTEGRATED, HIGH PERFORMANCE, SILICIDE AGGLOMERATION FUSE
公开(公告)号：TWI270961B
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：TW091135639
申请日：2002-12-10
申请人：高級微裝置公司 ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
发明人：西比.蘇魯塞伊爾 CIBY THURUTHIYIL , 菲利浦.A.費雪 PHILIP A. FISHER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0617 , H01L21/823842
摘要：一種互補金氧半導體之製法，該製法包括創造具備作為電晶體閘極區域之第一厚度以及作為熔消元件區域之第二厚度之多晶矽層，該第一厚度較該第二厚度為大，其中，在該熔消元件區域中之大部份多晶矽將與金屬層起反應，以在快速熱退火製程期間形成聚矽化物。
简体摘要：一种互补金属氧化物半导体之制法，该制法包括创造具备作为晶体管闸极区域之第一厚度以及作为熔消组件区域之第二厚度之多晶硅层，该第一厚度较该第二厚度为大，其中，在该熔消组件区域中之大部份多晶硅将与金属层起反应，以在快速热退火制程期间形成聚硅化物。

10. 发明专利

TW262595B 電感可變元件失效
简体标题：电感可变组件
公开(公告)号：TW262595B
公开(公告)日：1995-11-11
申请号：TW083110490
申请日：1994-11-14
申请人：池田毅 , 岡村進
发明人：池田毅 , 岡本明 , 岡村進
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0617 , H01F17/0006 , H01F21/12 , H01F2017/0086 , H01F2021/125
摘要：一種可變電抗元件，其構成係含有形成於半導體基座42之表面之絕緣層40上之既定形狀之電抗器導體10，和用為將該電抗器導體10作部份短路之開關16，24，和電抗器導體10兩端之輸出入端子12，14，當開關16，24之任一或兩者，成on狀態時則從以既定形狀之電抗器導體10整體所構成之電抗器變成較小電抗之電抗器。
此可變電抗元件能藉外部之控制變更電抗，構造單純，也能和積體電路等之半導體製品一體形成。
简体摘要：一种可变电抗组件，其构成系含有形成于半导体基座42之表面之绝缘层40上之既定形状之电抗器导体10，和用为将该电抗器导体10作部份短路之开关16，24，和电抗器导体10两端之输出入端子12，14，当开关16，24之任一或两者，成on状态时则从以既定形状之电抗器导体10整体所构成之电抗器变成较小电抗之电抗器。此可变电抗组件能藉外部之控制变更电抗，构造单纯，也能和集成电路等之半导体制品一体形成。

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