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1. 发明专利

TWI311981B 微電機系統(MEMS)裝置製造方法 MEHTOD OF PRODUCING A MEMS DEVICE 有权
简体标题：微电机系统(MEMS)设备制造方法 MEHTOD OF PRODUCING A MEMS DEVICE
公开(公告)号：TWI311981B
公开(公告)日：2009-07-11
申请号：TW094121069
申请日：2005-06-24
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：馬約翰 MARTIN, JOHN R. , 梅馬洛 MENA, MANOLO G. , 萊艾瑪 LACSAMANA, ELMER S. , 杜麥可 DUFFY, MICHAEL P. , 衛威廉 WEBSTER, WILLIAM A. , 勞倫斯 FELTON, LAWRENCE E. , 卡莫斯 KARPMAN, MAURICE S.
IPC分类号： B81C
CPC分类号： B81C1/00896
摘要：本發明揭露一種製造微機電系統裝置的方法,該方法在其可移動結構形成以後將裝置晶圓的底側移除。為了該目的,該方法提供裝置晶圓,其係具有一最初底側。接著,該方法將可移動結構形成在該裝置晶圓上,然後實質移除該裝置晶圓的整個最初底側。整個最初底側之移除會有效地形成一最終底側。
简体摘要：本发明揭露一种制造微机电系统设备的方法,该方法在其可移动结构形成以后将设备晶圆的底侧移除。为了该目的,该方法提供设备晶圆,其系具有一最初底侧。接着,该方法将可移动结构形成在该设备晶圆上,然后实质移除该设备晶圆的整个最初底侧。整个最初底侧之移除会有效地形成一最终底侧。

2. 发明专利

TW200906708A 使厚多晶矽薄膜應用在微機電中為可行之多晶矽沈積及退火過程 POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS 审中-公开
简体标题：使厚多晶硅薄膜应用在微机电中为可行之多晶硅沉积及退火过程 POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS
公开(公告)号：TW200906708A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097112551
申请日：2008-04-07
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：湯瑪斯 NUNAN, THOMAS KIERAN
IPC分类号： B81C , H01L
CPC分类号： B81C1/00666 , B81B2201/025 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0169
摘要：一種用於微機電元件慣性感測器之形成厚多晶矽薄膜的方法,該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在基材上形成第一多晶矽薄膜,至少使接近基材的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長(grain growth);該方法亦包含在第一多晶矽薄膜形成一氧化層,在約1100℃或更高溫度的環境下對第一非結晶型多晶矽薄膜進行退火以生成一結晶型多晶矽薄膜,並且移除該氧化層;最終,該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在該結晶型多晶矽薄膜的表面上形成第二非結晶型多晶矽薄膜,至少使接近該結晶型多晶矽薄膜表面的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長。
简体摘要：一种用于微机电组件惯性传感器之形成厚多晶硅薄膜的方法,该方法包含于高温环境下持续一段时间以在基材上形成第一多晶硅薄膜,至少使接近基材的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长(grain growth);该方法亦包含在第一多晶硅薄膜形成一氧化层,在约1100℃或更高温度的环境下对第一非结晶型多晶硅薄膜进行退火以生成一结晶型多晶硅薄膜,并且移除该氧化层;最终,该方法包含于高温环境下持续一段时间以在该结晶型多晶硅薄膜的表面上形成第二非结晶型多晶硅薄膜,至少使接近该结晶型多晶硅薄膜表面的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长。

3. 发明专利

TWI292825B 多軸加速感測器 MULTIPLE AXIS ACCELERATION SENSOR 失效
简体标题：多轴加速传感器 MULTIPLE AXIS ACCELERATION SENSOR
公开(公告)号：TWI292825B
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：TW094127786
申请日：2005-08-16
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：曼約翰 MEMISHIAN, JOHN
IPC分类号： G01P
CPC分类号： G01P15/18 , G01P15/125 , G01P2015/082
摘要：本發明揭露出一個或更多個固定感應電極，其係被用來感應在質塊/電極平面內與沿著垂直於該平面之軸兩者的質塊運動。為了測量沿著垂直於該平面之軸的質塊運動，在固定感應電極與下面傳導面之間測量一參考電容，且在質塊與下面傳導面之間測量一測量電容。可計算一值Cv- KCf，在此Cf是參考電容，Cv是測量電容，且K是預定常數。根據本發明某些實施例，測量平面內之質塊運動的標準一或兩軸加速度感應器，其係亦可被使用來測量在垂直於平面之軸的質塊運動。
简体摘要：本发明揭露出一个或更多个固定感应电极，其系被用来感应在质块/电极平面内与沿着垂直于该平面之轴两者的质块运动。为了测量沿着垂直于该平面之轴的质块运动，在固定感应电极与下面传导面之间测量一参考电容，且在质块与下面传导面之间测量一测量电容。可计算一值Cv- KCf，在此Cf是参考电容，Cv是测量电容，且K是预定常数。根据本发明某些实施例，测量平面内之质块运动的标准一或两轴加速度感应器，其系亦可被使用来测量在垂直于平面之轴的质块运动。

4. 发明专利

TW200704916A 四聯交叉並垂直耦合之慣性感應器 CROSS-QUAD AND VERTICALLY COUPLED INERTIAL SENSORS 审中-公开
简体标题：四联交叉并垂直耦合之惯性感应器 CROSS-QUAD AND VERTICALLY COUPLED INERTIAL SENSORS
公开(公告)号：TW200704916A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW095113088
申请日：2006-04-13
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：葛約翰 GEEN, JOHN A. , 鄺錦波 KUANG, JINBO
IPC分类号： G01C , G01P
CPC分类号： G01C19/574
摘要：一慣性感應器包括一種四個互連感應器元件的四聯交叉組態。每一感應器元件具有一框架及一懸吊於該框架內的共振器。該等感應器元件被安排為致使相鄰感測器元件之框架被允許相互以反相移動但實質上被阻止相互以同相移動。該等感應器元件可被以一水平耦合排列、一垂直耦合排列、或一完全耦合排列建構。一感應器元件對可被垂直地耦合。
简体摘要：一惯性感应器包括一种四个互连感应器组件的四联交叉组态。每一感应器组件具有一框架及一悬吊于该框架内的共振器。该等感应器组件被安排为致使相邻传感器组件之框架被允许相互以反相移动但实质上被阻止相互以同相移动。该等感应器组件可被以一水平耦合排列、一垂直耦合排列、或一完全耦合排列建构。一感应器组件对可被垂直地耦合。

5. 发明专利

TW200540102A 具額外層之單晶矽感測器及其製造方法 SINGLE CRYSTAL SILICON SENSOR WITH ADDITIONAL LAYER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME 审中-公开
简体标题：具额外层之单晶硅传感器及其制造方法 SINGLE CRYSTAL SILICON SENSOR WITH ADDITIONAL LAYER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW200540102A
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：TW094105972
申请日：2005-03-01
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：紐湯瑪 NUNAN, THOMAS KIERAN , 布尼翰 BROSNIHAN, TIMOTHY J.
IPC分类号： B81B , G01P
CPC分类号： G01P15/0802 , G01P15/125
摘要：一種以絕緣層上覆矽為基材的微機電系統元件，其具有基礎層、元件層，與介於基礎層與元件層間之絕緣層。此元件並有部份與元件層相隔之沈積層。元件層係介於絕緣層與沈積層之間。
简体摘要：一种以绝缘层上覆硅为基材的微机电系统组件，其具有基础层、组件层，与介于基础层与组件层间之绝缘层。此组件并有部份与组件层相隔之沉积层。组件层系介于绝缘层与沉积层之间。

6. 发明专利

TW200837795A 驅動一開關之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR DRIVING A SWITCH 审中-公开
简体标题：驱动一开关之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR DRIVING A SWITCH
公开(公告)号：TW200837795A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096149157
申请日：2007-12-21
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：艾丹尼 ELLIS, DENIS , 古瑞莫 GOGGIN, RAYMOND
IPC分类号： H01H
CPC分类号： H01H59/0009 , H01H47/001
摘要：一種驅動具有可動構件及一接點之一開關之方法首先施加(至開關)具有一第一位準之一第一信號,接著施加具有一第二位準之一第二信號至開關(在施加第一信號後)。第一位準大於第二位準。第一及第二信號之一或兩者導致可動構件移動以與接點電連接。
简体摘要：一种驱动具有可动构件及一接点之一开关之方法首先施加(至开关)具有一第一位准之一第一信号,接着施加具有一第二位准之一第二信号至开关(在施加第一信号后)。第一位准大于第二位准。第一及第二信号之一或两者导致可动构件移动以与接点电连接。

7. 发明专利

TW200744943A 使用輔助釋放形成微型機製裝置之方法 METHOD OF FORMING A MICROMACHINED DEVICE USING AN ASSISTED RELEASE 审中-公开
简体标题：使用辅助释放形成微型机制设备之方法 METHOD OF FORMING A MICROMACHINED DEVICE USING AN ASSISTED RELEASE
公开(公告)号：TW200744943A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096107477
申请日：2007-03-05
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：瓦特曼 WACHTMANN, BRUCE K.
IPC分类号： B81B , H01L
CPC分类号： B81C1/00476
摘要：一種形成一微型機製裝置之方法,其嵌入一第一材料於一犧牲材料內,且然後移除此第一材料以形成穿過犧牲材料之一通道。此方法然後引導一犧牲材料移除流體穿過該通道。犧牲材料移除流體移除至少一部分的犧牲材料。
简体摘要：一种形成一微型机制设备之方法,其嵌入一第一材料于一牺牲材料内,且然后移除此第一材料以形成穿过牺牲材料之一信道。此方法然后引导一牺牲材料移除流体穿过该信道。牺牲材料移除流体移除至少一部分的牺牲材料。

8. 发明专利

TW200537567A 藉由移除晶圓之傳導層以形成裝置之方法 METHOD OF FORMING A DEVICE BY REMOVING A CONDUCTIVE LAYER OF A WAFER 审中-公开
简体标题：借由移除晶圆之传导层以形成设备之方法 METHOD OF FORMING A DEVICE BY REMOVING A CONDUCTIVE LAYER OF A WAFER
公开(公告)号：TW200537567A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094103485
申请日：2005-02-04
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：布堤米 BROSNIHAN, TIMOTHY J. , 蘇羅伯 SULOUFF, JR., ROBERT E. , 史約翰 SLEDZIEWSKI, JOHN M.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00047
摘要：本發明揭露出一種形成微機電裝置的方法，其係提供一種具有基底、第一傳導層、第二傳導層與中間傳導層的晶圓。在提供晶圓以後，本方法移除至少一部份的中間傳導層，以在第一與第二傳導層之間形成一孔穴。至少一部份的第一傳導層可相對於該基底移動，以形成一薄膜，而第二傳導層則相對於該基底為實質上不可移動。在形成該孔穴以後，該方法會將該孔穴密封。
简体摘要：本发明揭露出一种形成微机电设备的方法，其系提供一种具有基底、第一传导层、第二传导层与中间传导层的晶圆。在提供晶圆以后，本方法移除至少一部份的中间传导层，以在第一与第二传导层之间形成一孔穴。至少一部份的第一传导层可相对于该基底移动，以形成一薄膜，而第二传导层则相对于该基底为实质上不可移动。在形成该孔穴以后，该方法会将该孔穴密封。

9. 发明专利

TW200522262A 元件層形成方法及裝置 APPARATUS AND METHOD OF FORMING A DEVICE LAYER 审中-公开
简体标题：组件层形成方法及设备 APPARATUS AND METHOD OF FORMING A DEVICE LAYER
公开(公告)号：TW200522262A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093117849
申请日：2004-06-21
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：瓦奇曼 WACHTMANN, BRUCE K. , 朱帝 JUDY, MICHAEL W.
IPC分类号： H01L , B81C
CPC分类号： B81C1/00238
摘要：一種形成微機電系統裝置的方法產生一裝置層晶圓，該晶圓在與處理晶圓耦合以前會具有一預先形成的傳導途徑。為了此目的，藉由1)提供一材料層，2)將一導體耦合到該材料層，以及3)形成通過至少一部份材料層而至導體的至少兩導電路徑，該方法會產生知名的裝置層晶圓。該方法隨後會提供知名的處理晶圓，並且將該裝置層晶圓耦合到處理晶圓。將該些晶圓耦合，以便使該導體包含在材料層與處理晶圓之間。
简体摘要：一种形成微机电系统设备的方法产生一设备层晶圆，该晶圆在与处理晶圆耦合以前会具有一预先形成的传导途径。为了此目的，借由1)提供一材料层，2)将一导体耦合到该材料层，以及3)形成通过至少一部份材料层而至导体的至少两导电路径，该方法会产生知名的设备层晶圆。该方法随后会提供知名的处理晶圆，并且将该设备层晶圆耦合到处理晶圆。将该些晶圆耦合，以便使该导体包含在材料层与处理晶圆之间。

10. 发明专利

TW200939438A 具有絕緣墊片以減少元件間漏電之封裝微晶片 PACKAGED MICROCHIP WITH SPACER FOR MITIGATING ELECTRICAL LEAKAGE BETWEEN COMPONENTS 审中-公开
简体标题：具有绝缘垫片以减少组件间漏电之封装微芯片 PACKAGED MICROCHIP WITH SPACER FOR MITIGATING ELECTRICAL LEAKAGE BETWEEN COMPONENTS
公开(公告)号：TW200939438A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097140282
申请日：2008-10-21
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：帕卡里汪干安捷羅 PAGKALIWANGAN, ANGELO , 葛瑞芬蓋瑞 GRIFFIN, GARRY
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/49506 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/32013 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：一種封裝微晶片具有一基部、至少一個墊片耦合至該基部,以及第一及第二微晶片,其固定至該至少一個墊片。該墊片係配置來實質上避免該第一及第二微晶片之間的漏電流。
简体摘要：一种封装微芯片具有一基部、至少一个垫片耦合至该基部,以及第一及第二微芯片,其固定至该至少一个垫片。该垫片系配置来实质上避免该第一及第二微芯片之间的漏电流。

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