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    • 3. 发明专利
    • 用於MEMS裝置製造之抗粘著塗層的選擇性紫外光臭氧乾蝕刻 SELECTIVE UV-OZONE DRY ETCHING OF ANTI-STICTION COATINGS FOR MEMS DEVICE FABRICATION
    • 用于MEMS设备制造之抗粘着涂层的选择性紫外光臭氧干蚀刻 SELECTIVE UV-OZONE DRY ETCHING OF ANTI-STICTION COATINGS FOR MEMS DEVICE FABRICATION
    • TW201116477A
    • 2011-05-16
    • TW099119219
    • 2010-06-14
    • 亞德諾公司
    • 哈塞 梅米特
    • B81CH01LB81B
    • B81C1/00269B81C2201/0181B81C2201/112B81C2203/0118
    • 本發明揭露一種有機抗粘著塗層,譬如例如用溶劑或經由化學蒸汽沈積來施加之以碳氫化合物與氟碳化合物為主的自組性有機矽烷與矽氧烷,其係可使用紫外光臭氧(UVO)乾蝕刻技術被選擇性蝕刻,其中欲被蝕刻的有機抗粘著塗層部分則同時被暴露於數波長的紫外光,其係從抗粘著塗層激發並且解離有機分子並且從分子氧與臭氧產生原子氧,以致於有機分子能夠與原子氧反應以形成被耗散的揮發性產品,以造成抗粘著塗層之暴露部分的移除。使用熱、後面接著紫外光臭氧曝光的混合蝕刻製程則可被使用。陰影遮罩(例如玻璃或石英製)、保護性材料層、或其他機制,其係可被使用來選擇性曝露抗粘著塗層部分,以被紫外光臭氧蝕刻。此選擇性紫外光臭氧蝕刻可例如被使用來在晶圓對晶圓粘結以前暴露晶圓粘結線,以便增加粘結切變與附著強度,以暴露粘結襯墊,以準備用於電性或其他連接,或者用於將抗粘著塗層材料從金屬或其他材料表面一般性移除。一種特定實施例使用兩種波長的紫外光,一個大約184.9nm,且另一個大約253.7nm。
    • 本发明揭露一种有机抗粘着涂层,譬如例如用溶剂或经由化学蒸汽沉积来施加之以碳氢化合物与氟碳化合物为主的自组性有机硅烷与硅氧烷,其系可使用紫外光臭氧(UVO)干蚀刻技术被选择性蚀刻,其中欲被蚀刻的有机抗粘着涂层部分则同时被暴露于数波长的紫外光,其系从抗粘着涂层激发并且解离有机分子并且从分子氧与臭氧产生原子氧,以致于有机分子能够与原子氧反应以形成被耗散的挥发性产品,以造成抗粘着涂层之暴露部分的移除。使用热、后面接着紫外光臭氧曝光的混合蚀刻制程则可被使用。阴影遮罩(例如玻璃或石英制)、保护性材料层、或其他机制,其系可被使用来选择性曝露抗粘着涂层部分,以被紫外光臭氧蚀刻。此选择性紫外光臭氧蚀刻可例如被使用来在晶圆对晶圆粘结以前暴露晶圆粘结线,以便增加粘结切变与附着强度,以暴露粘结衬垫,以准备用于电性或其他连接,或者用于将抗粘着涂层材料从金属或其他材料表面一般性移除。一种特定实施例使用两种波长的紫外光,一个大约184.9nm,且另一个大约253.7nm。