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1. 发明专利

TW201803801A 供集成微機電裝置用的設備及方法审中-公开
简体标题：供集成微机电设备用的设备及方法
公开(公告)号：TW201803801A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106111244
申请日：2017-03-31
申请人：矽立科技有限公司 , MCUBE, INC.
发明人：李班 , LEE, BEN , 郭明宏 , KUO, MING HONG , 陳文誌 , CHEN, WEN CHIH , 蔡文森 , TSAI, WENSEN
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00 , B81C99/00
CPC分类号： B81C99/0045 , B81C99/005 , G01R1/0433 , G01R31/2607 , H01L21/67132
摘要：一方法供一MEMS裝置包含接收具有設置在一黏著基材上且具有一對應已知良好裝置資料的複數個裝置的已切割晶圓，從來自黏著基材的複數個裝置移除一第一組裝置以對應已知良好裝置資料，撿與放第一組裝置進入在測試平台內的複數個孔，測試第一組集成裝置包含當物理性地加壓第一組裝置，提供電力給第一組裝置及從第一組裝置接收電回應資料，從第一組裝置決定第二組裝置，以回應電回應資料，撿與放第二組裝置進入輸送帶介質。
简体摘要：一方法供一MEMS设备包含接收具有设置在一黏着基材上且具有一对应已知良好设备数据的复数个设备的已切割晶圆，从来自黏着基材的复数个设备移除一第一组设备以对应已知良好设备数据，捡与放第一组设备进入在测试平台内的复数个孔，测试第一组集成设备包含当物理性地加压第一组设备，提供电力给第一组设备及从第一组设备接收电回应数据，从第一组设备决定第二组设备，以回应电回应数据，捡与放第二组设备进入输送带介质。

2. 发明专利

TW200627110A 於密封微機電系統裝置中測試濕度之系統與方法 SYSTEM AND METHOD OF TESTING HUMIDITY IN A SEALED MEMS DEVICE 审中-公开
简体标题：于密封微机电系统设备中测试湿度之系统与方法 SYSTEM AND METHOD OF TESTING HUMIDITY IN A SEALED MEMS DEVICE
公开(公告)号：TW200627110A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW094130736
申请日：2005-09-07
申请人： IDC公司 IDC, LLC
发明人：威廉J 卡密司 CUMMINGS, WILLIAM J. , 布萊恩J 蓋利 GALLY, BRIAN J. , 曼尼須克司里 KOTHARI, MANISH , 羅倫派麥特 PALMATEER, LAUREN
IPC分类号： G05D , B81B
CPC分类号： B81C99/0045 , G01M3/002 , G01M3/02 , G01M3/186 , G01M3/229 , G02B26/001 , Y10T29/49002
摘要：本發明係揭示一實施例而提供一種測試濕度之方法，其包含：判定一封入複數個干涉調變器的裝置之特性；及至少部分地基於該已判定之特性來判定在該裝置內之一相對濕度值或該相對濕度之一程度。在一實施例中，該裝置之該特性包括以下各項之一：i)該裝置之一重量；ii)封入該裝置中之一乾燥劑之一顏色變化；iii)該裝置內之一電阻；iv)該裝置與一冷指裝置接觸之一內部區域中是否形成霜；v)當向該裝置內提供水汽時，封入該裝置中之一乾燥劑是否完全起作用；及vi)i)至v)項中至少兩者之組合。
简体摘要：本发明系揭示一实施例而提供一种测试湿度之方法，其包含：判定一封入复数个干涉调制器的设备之特性；及至少部分地基于该已判定之特性来判定在该设备内之一相对湿度值或该相对湿度之一程度。在一实施例中，该设备之该特性包括以下各项之一：i)该设备之一重量；ii)封入该设备中之一干燥剂之一颜色变化；iii)该设备内之一电阻；iv)该设备与一冷指设备接触之一内部区域中是否形成霜；v)当向该设备内提供水汽时，封入该设备中之一干燥剂是否完全起作用；及vi)i)至v)项中至少两者之组合。

3. 发明专利

TW201519403A 封裝積體電路結構、晶圓層級封裝結構及晶圓封裝方法审中-公开
简体标题：封装集成电路结构、晶圆层级封装结构及晶圆封装方法
公开(公告)号：TW201519403A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103104844
申请日：2014-02-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄧伊筌 , TENG, YI CHUAN , 彭榮輝 , PENG, JUNG HUEI , 蔡尙穎 , TSAI, SHANG YING , 洪麗閔 , HUNG, LI MIN , 黃耀德 , HUANG, YAO TE , 卓晉逸 , CHO, CHIN YI
IPC分类号： H01L25/04 , H01L21/56
CPC分类号： H01L24/06 , B81B2207/012 , B81C99/0045 , B81C99/005 , H01L22/32 , H01L23/10 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2224/0605 , H01L2224/32145 , H01L2224/83194 , H01L2924/01322 , H01L2924/16235 , H01L2924/00
摘要：一種封裝積體電路結構，包括一第一底材、一第二底材及一保護層。第一底材具有一互補金屬氧化物半導體裝置及一互補金屬氧化物半導體結合環。第二底材具有一微機電系統裝置及一微機電系統結合環。微機電系統結合環係圍繞微機電系統裝置之一周圍，並且係結合於互補金屬氧化物半導體結合環。保護層係覆蓋微機電系統結合環之複數個外側壁及互補金屬氧化物半導體結合環之複數個外側壁，並且係進一步覆蓋第一底材之一外側壁以及係不覆蓋第二底材之一外側壁。
简体摘要：一种封装集成电路结构，包括一第一底材、一第二底材及一保护层。第一底材具有一互补金属氧化物半导体设备及一互补金属氧化物半导体结合环。第二底材具有一微机电系统设备及一微机电系统结合环。微机电系统结合环系围绕微机电系统设备之一周围，并且系结合于互补金属氧化物半导体结合环。保护层系覆盖微机电系统结合环之复数个外侧壁及互补金属氧化物半导体结合环之复数个外侧壁，并且系进一步覆盖第一底材之一外侧壁以及系不覆盖第二底材之一外侧壁。

4. 发明专利

TWI359264B 控制測微組件的被封閉空穴的密閉性之方法及實施該方法之測微組件 METHOD FOR CONTROLLING THE HERMETICITY OF CLOSED CAVITY OF A MICROMETRIC COMPONENT AND MICROMETRIC COMPONENT FOR IMPLEMENTING THE SAME 有权
简体标题：控制测微组件的被封闭空穴的密闭性之方法及实施该方法之测微组件 METHOD FOR CONTROLLING THE HERMETICITY OF CLOSED CAVITY OF A MICROMETRIC COMPONENT AND MICROMETRIC COMPONENT FOR IMPLEMENTING THE SAME
公开(公告)号：TWI359264B
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW093135281
申请日：2004-11-17
申请人：瑟拉公司
发明人：法蘭西斯古薩茲 , 珍保羅蘭迪
IPC分类号： G01M , B81B
CPC分类号： G01M3/40 , B81C99/0045 , G01M3/047 , G01M3/38
摘要：本發明揭示一種檢查至少一測微組件(1)之被封閉空穴(14)的密閉性之方法，該測微組件包含在一部份基板(2)上或基板中所製成之結構(5,6,10)、及固定在該基板之一區域上以便保護該結構之蓋子(3)，及一指示器元件(4,15)，其光學或電性質於存在有一反應流體中改變。該指示器元件可為一用於光學檢查之銅層(4)或一用於電檢查之白金電阻器(15)。該測微組件(1)係放入一容器(15)中，然後密閉地密封該容器。該容器係在壓力之下充滿反應流體，該反應流體用於該光學檢查為氧氣及用於該電檢查為氫氣。該容器中之組件係遭受一大於10巴反應流體之壓力達一已決定之時期，且遭受一熱(T>攝氏100度)或光學(λ
简体摘要：本发明揭示一种检查至少一测微组件(1)之被封闭空穴(14)的密闭性之方法，该测微组件包含在一部份基板(2)上或基板中所制成之结构(5,6,10)、及固定在该基板之一区域上以便保护该结构之盖子(3)，及一指示器组件(4,15)，其光学或电性质于存在有一反应流体中改变。该指示器组件可为一用于光学检查之铜层(4)或一用于电检查之白金电阻器(15)。该测微组件(1)系放入一容器(15)中，然后密闭地密封该容器。该容器系在压力之下充满反应流体，该反应流体用于该光学检查为氧气及用于该电检查为氢气。该容器中之组件系遭受一大于10巴反应流体之压力达一已决定之时期，且遭受一热(T>摄氏100度)或光学(λ<500奈米)之活性化。经过此时期，该指示器组件(4,15)之一光学或电检查允许决定该空穴(14)之密闭性。

5. 发明专利

TW200423261A 在埋置氧化層基體上製造多層裝置之方法 METHOD OF FABRICATING MULTI LAYER DEVICES ON BURIED OXIDE LAYER SUBSTRATES 审中-公开
简体标题：在埋置氧化层基体上制造多层设备之方法 METHOD OF FABRICATING MULTI LAYER DEVICES ON BURIED OXIDE LAYER SUBSTRATES
公开(公告)号：TW200423261A
公开(公告)日：2004-11-01
申请号：TW092132599
申请日：2003-11-20
申请人：雷佛公司 REVEO, INC.
发明人：斐利斯薩吉M. FARIS, SADEG M.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/20 , B81C99/0045 , G01R31/01 , H01L2224/13 , H01L2224/16 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要：本發明揭露一種在具有埋設的氧化物層之一基板上製造複合層裝置之方法。多層微機電、微射流、和積體電路裝置被製造於具有預定弱黏結區域及強黏結區域之層體的基板上，而裝置解構層位於弱黏結區域或在弱黏結區域上。該等層體接著被剝除然後被黏結而生產出一個多層微機電與微射流裝置。可黏結與堆疊任意層數來製造微機電裝置、或微射流裝置、或一種混成型態的裝置。
简体摘要：本发明揭露一种在具有埋设的氧化物层之一基板上制造复合层设备之方法。多层微机电、微射流、和集成电路设备被制造于具有预定弱黏结区域及强黏结区域之层体的基板上，而设备解构层位于弱黏结区域或在弱黏结区域上。该等层体接着被剥除然后被黏结而生产出一个多层微机电与微射流设备。可黏结与堆栈任意层数来制造微机电设备、或微射流设备、或一种混成型态的设备。

6. 发明专利

TWI543925B 微機械感測器及其製造方法有权
简体标题：微机械传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI543925B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW098132023
申请日：2009-09-23
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：史塔爾海可 , STAHL, HEIKO , 帕塔克克里斯堤安 , PATAK, CHRISTIAN , 布茲尤根 , BUTZ, JUERGEN , 修爾瑞羅蘭德 , SCHEUERER, ROLAND , 維伯赫利貝爾特 , WEBER, HERIBERT
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81C99/0045 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , G01C19/5755 , G01C19/5769 , G01P15/08 , G01P21/00

7. 发明专利

TW201414322A 用於麥克風及超低壓力感測器之缺陷製造之測試审中-公开
简体标题：用于麦克风及超低压力传感器之缺陷制造之测试
公开(公告)号：TW201414322A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102133235
申请日：2013-09-13
申请人：博世股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：多樂安德魯J , DOLLER, ANDREW J. , 戴利麥可J , DALEY, MICHAEL J.
IPC分类号： H04R29/00 , G01H17/00
CPC分类号： G01N29/14 , B81C99/0045 , B81C99/005 , H04R29/004 , H04R2201/003
摘要：本發明揭示一種測試一MEMS壓力感測器裝置(諸如，例如，一MEMS麥克風封裝)之方法。該MEMS壓力感測器裝置包含定位於一外殼內之一壓力感測器及將聲壓從該外殼外部朝著該壓力感測器導向之一壓力輸入埠。啟動一聲壓源且來自該聲壓源之聲壓被導向至該壓力輸入埠且至除了該壓力輸入埠之外之該外殼之一外部位置。基於該壓力感測器之輸出信號，判定是否存在容許聲壓透過除了該壓力輸入埠之外之位置處的該外殼之該外部到達該壓力感測器的任何缺陷。
简体摘要：本发明揭示一种测试一MEMS压力传感器设备(诸如，例如，一MEMS麦克风封装)之方法。该MEMS压力传感器设备包含定位于一外壳内之一压力传感器及将声压从该外壳外部朝着该压力传感器导向之一压力输入端口。启动一声压源且来自该声压源之声压被导向至该压力输入端口且至除了该压力输入端口之外之该外壳之一外部位置。基于该压力传感器之输出信号，判定是否存在容许声压透过除了该压力输入端口之外之位置处的该外壳之该外部到达该压力传感器的任何缺陷。

8. 发明专利

TWI383947B 微機電黏滯測試設備及方法有权
简体标题：微机电黏滞测试设备及方法
公开(公告)号：TWI383947B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW098121286
申请日：2009-06-25
申请人：亞德諾公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：沙慕拉費拉斯 , SAMMOURA, FIRAS N. , 索依爾威廉 , SAWYER, WILLIAM , 楊光隆 , YANG, KUANG L.
IPC分类号： B81C1/00 , G01N19/04
CPC分类号： B81C99/0045

9. 发明专利

TW200519366A 控制測微組件的被封閉空穴的密閉性之方法及實施該方法之測微組件 METHOD FOR CONTROLLING THE HERMETICITY OF CLOSED CAVITY OF A MICROMETRIC COMPONENT AND MICROMETRIC COMPONENT FOR IMPLEMENTING THE SAME 审中-公开
简体标题：控制测微组件的被封闭空穴的密闭性之方法及实施该方法之测微组件 METHOD FOR CONTROLLING THE HERMETICITY OF CLOSED CAVITY OF A MICROMETRIC COMPONENT AND MICROMETRIC COMPONENT FOR IMPLEMENTING THE SAME
公开(公告)号：TW200519366A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093135281
申请日：2004-11-17
申请人：瑟拉公司 ASULAB S.A.
发明人：法蘭西斯古薩茲 GUEISSAZ, FRANCOIS , 珍保羅蘭迪 RANDIN, JEAN-PAUL
IPC分类号： G01M , B81B
CPC分类号： G01M3/40 , B81C99/0045 , G01M3/047 , G01M3/38
摘要：本發明揭示一種檢查至少一測微組件(1)之被封閉空穴(14)的密閉性之方法，該測微組件包含在一部份基板(2)上或基板中所製成之結構(5,6,10)、及固定在該基板之一區域上以便保護該結構之蓋子(3)，及一指示器元件(4,15)，其光學或電性質於存在有一反應流體中改變。該指示器元件可為一用於光學檢查之銅層(4)或一用於電檢查之白金電阻器(15)。該測微組件(1)係放入一容器(15)中，然後密閉地密封該容器。該容器係在壓力之下充滿反應流體，該反應流體用於該光學檢查為氧氣及用於該電檢查為氫氣。該容器中之組件係遭受一大於10巴反應流體之壓力達一已決定之時期，且遭受一熱(T＞攝氏100度)或光學(λ＜500奈米)之活性化。經過此時期，該指示器元件(4,15)之一光學或電檢查允許決定該空穴(14)之密閉性。
简体摘要：本发明揭示一种检查至少一测微组件(1)之被封闭空穴(14)的密闭性之方法，该测微组件包含在一部份基板(2)上或基板中所制成之结构(5,6,10)、及固定在该基板之一区域上以便保护该结构之盖子(3)，及一指示器组件(4,15)，其光学或电性质于存在有一反应流体中改变。该指示器组件可为一用于光学检查之铜层(4)或一用于电检查之白金电阻器(15)。该测微组件(1)系放入一容器(15)中，然后密闭地密封该容器。该容器系在压力之下充满反应流体，该反应流体用于该光学检查为氧气及用于该电检查为氢气。该容器中之组件系遭受一大于10巴反应流体之压力达一已决定之时期，且遭受一热(T＞摄氏100度)或光学(λ＜500奈米)之活性化。经过此时期，该指示器组件(4,15)之一光学或电检查允许决定该空穴(14)之密闭性。

10. 发明专利

TWI609590B 測試一麥克風封裝之方法及用於量測一麥克風封裝之非聲響雜訊之測試設備有权
简体标题：测试一麦克风封装之方法及用于量测一麦克风封装之非声响噪声之测试设备
公开(公告)号：TWI609590B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW102133232
申请日：2013-09-13
申请人：博世股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：多樂安德魯J , DOLLER, ANDREW J. , 普拉夫利克戴夫 , PRAVLIK, DAVE
IPC分类号： H04R29/00 , G01H17/00
CPC分类号： H04R29/004 , B81C99/0045 , G01H3/005 , H04R2201/003 , H04R2410/03

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