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1. 发明专利

TW200931572A 基板處理設備 APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：基板处理设备 APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200931572A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097143759
申请日：2008-11-12
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：朴奇洪 GI-HONG PARK
IPC分类号： H01L
摘要：一種基板處理裝置,包括一處理室、至少一第一供應線、一噴射器及一驅動單元。處理室用以提供一空間以處理一基板。第一供應線設置於處理室並沿著一第一方向延伸,第一供應線用以讓一處理液由第一供應線的兩端部進入並於第一供應線內流動。噴射器係連接第一供應線,噴射器係往基板之方向延伸並提供處理液於基板。驅動單元係以非接觸方式搖動第一供應線,以使噴射器沿著一第二方向搖動,第二方向係實質上垂直第一方向。因此,本基板處理裝置可均勻地提供處理液至基板。
简体摘要：一种基板处理设备,包括一处理室、至少一第一供应线、一喷射器及一驱动单元。处理室用以提供一空间以处理一基板。第一供应线设置于处理室并沿着一第一方向延伸,第一供应线用以让一处理液由第一供应线的两端部进入并于第一供应线内流动。喷射器系连接第一供应线,喷射器系往基板之方向延伸并提供处理液于基板。驱动单元系以非接触方式摇动第一供应线,以使喷射器沿着一第二方向摇动,第二方向系实质上垂直第一方向。因此,本基板处理设备可均匀地提供处理液至基板。

2. 发明专利

TW200926328A 基板製造裝置及其方法 APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：基板制造设备及其方法 APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200926328A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097142570
申请日：2008-11-04
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：尹舜 YOON, SOON-YOUNG , 李淵 LEE, YEON
IPC分类号： H01L
摘要：一種基板製造裝置及方法,此基板製造裝置及方法可有效率地進行用於影像處理的液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,LCD)等的平板顯示裝置用的基板的壓痕檢查與聚矽氧塗佈。基板製造裝置具備配置於高度互不相同的上下層上的檢查模組與塗佈模組。若進行具體說明,則檢查模組對信號收發構件與基板的結合狀態進行檢查,該信號收發構件附著於基板上並對基板輸入/輸出信號。塗佈模組於信號送信構件與基板上形成保護膜,該保護膜用以保護信號收發構件的導線。此時,由於檢查模組與塗佈模組配置於高度互不相同的上下層,因此可提高空間活用率。
简体摘要：一种基板制造设备及方法,此基板制造设备及方法可有效率地进行用于影像处理的液晶显示设备(Liquid Crystal Display,LCD)等的平板显示设备用的基板的压痕检查与聚硅氧涂布。基板制造设备具备配置于高度互不相同的上下层上的检查模块与涂布模块。若进行具体说明,则检查模块对信号收发构件与基板的结合状态进行检查,该信号收发构件附着于基板上并对基板输入/输出信号。涂布模块于信号送信构件与基板上形成保护膜,该保护膜用以保护信号收发构件的导线。此时,由于检查模块与涂布模块配置于高度互不相同的上下层,因此可提高空间活用率。

3. 发明专利

TW200924098A 粒子排除單元及具有其之基板搬運設備 UNIT FOR ELIMINATING PARTICLES AND APPARATUS FOR TRANSFERRING A SUBSTRATE HAVING THE SAME 审中-公开
简体标题：粒子排除单元及具有其之基板搬运设备 UNIT FOR ELIMINATING PARTICLES AND APPARATUS FOR TRANSFERRING A SUBSTRATE HAVING THE SAME
公开(公告)号：TW200924098A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097135393
申请日：2008-09-15
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：安英基 AHN, YOUNG-KI , 鄭載正 JEONG, JAE-JEONG , 成寶倫彰 SUNG, BO-RAM-CHAN , 具教旭 KOO, KYO-WOOG
IPC分类号： H01L , B65G
CPC分类号： B08B5/00 , H01L21/67017
摘要：在基板傳輸裝置中,分隔牆係配置於殼體之垂直方向,用以將殼體之內部空間分隔為第一空間及第二空間。壓力產生元件將第一空間分隔為上部空間及下部空間,並於第一空間中沿著垂直方向移動,使得正壓力及負壓力交替地產生於上部空間及下部空間。基板支撐元件係可移動式地配置於第二空間,用以支撐及傳輸基板。數個閘門係配置於殼體之側壁及分隔牆。藉由正壓力及負壓力開啓及關閉閘門,使得顆粒透過第一空間由第二空間移至外部空間,進而消除顆粒。
简体摘要：在基板传输设备中,分隔墙系配置于壳体之垂直方向,用以将壳体之内部空间分隔为第一空间及第二空间。压力产生组件将第一空间分隔为上部空间及下部空间,并于第一空间中沿着垂直方向移动,使得正压力及负压力交替地产生于上部空间及下部空间。基板支撑组件系可移动式地配置于第二空间,用以支撑及传输基板。数个闸门系配置于壳体之侧壁及分隔墙。借由正压力及负压力开启及关闭闸门,使得颗粒透过第一空间由第二空间移至外部空间,进而消除颗粒。

4. 发明专利

TW200909605A 產生碳奈米管之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING A CARBON NANOTUBE 审中-公开
简体标题：产生碳奈米管之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING A CARBON NANOTUBE
公开(公告)号：TW200909605A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW097131652
申请日：2008-08-19
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：張碩元 SUK-WON JANG , 孔炳閏 BYUNG-YUN KONG , 鄭忠憲 CHUNG-HEON JEONG
IPC分类号： C23C , C01B , B82B
CPC分类号： B82Y40/00 , B01J19/088 , B01J2219/0869 , B01J2219/0871 , B01J2219/0875 , B01J2219/0892 , B01J2219/0898 , B82Y30/00 , C01B32/162
摘要：一種產生碳奈米管之裝置與方法。加熱製程室至目標溫度,且供應觸媒粉至加熱之製程室中。觸媒粉係沿著第一方向於製程室中移動。來源氣體係沿著與第一方向相對之第二方向而被供應至製程室中。藉此,來源氣體延遲觸媒粉於第一方向上之移動,使得來源氣體與觸媒粉於製程室中反應藉以於製程室中產生碳奈米管。與觸媒粉之流動抵觸之來源氣體之氣流降低了觸媒粉之掉落速度,使得來源氣體與觸媒粉於充足之時間內彼此反應。
简体摘要：一种产生碳奈米管之设备与方法。加热制程室至目标温度,且供应触媒粉至加热之制程室中。触媒粉系沿着第一方向于制程室中移动。来源气体系沿着与第一方向相对之第二方向而被供应至制程室中。借此,来源气体延迟触媒粉于第一方向上之移动,使得来源气体与触媒粉于制程室中反应借以于制程室中产生碳奈米管。与触媒粉之流动抵触之来源气体之气流降低了触媒粉之掉落速度,使得来源气体与触媒粉于充足之时间内彼此反应。

5. 发明专利

TW200909344A 製造奈米碳管的方法以及執行此方法的裝置與系統 METHOD OF MANUFACTURING A CARBON NANOTUBE, AND APPARATUS AND SYSTEM FOR PERFORMING THE METHOD 审中-公开
简体标题：制造奈米碳管的方法以及运行此方法的设备与系统 METHOD OF MANUFACTURING A CARBON NANOTUBE, AND APPARATUS AND SYSTEM FOR PERFORMING THE METHOD
公开(公告)号：TW200909344A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW097106503
申请日：2008-02-25
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：黃湖水 HWANG, HO-SOO , 金成洙 KIM, SUNG-SOO , 趙重根 CHO, JUNG-KEUN
IPC分类号： B82B
CPC分类号： C01B31/0233 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , Y10S977/843
摘要：在製造奈米碳管的方法中,用來容納基材的晶舟是位於奈米碳管合成所在的合成空間的外部。首先將基材載入於晶舟中。之後將晶舟轉換至合成空間中。然後在合成空間中的基材上進行形成奈米碳管的程序以形成奈米碳管。因此可以有效的製造奈米碳管。
简体摘要：在制造奈米碳管的方法中,用来容纳基材的晶舟是位于奈米碳管合成所在的合成空间的外部。首先将基材加载于晶舟中。之后将晶舟转换至合成空间中。然后在合成空间中的基材上进行形成奈米碳管的进程以形成奈米碳管。因此可以有效的制造奈米碳管。

6. 发明专利

TW200847266A 利用電漿處理基材的裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE USING PLASMA 审中-公开
简体标题：利用等离子处理基材的设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE USING PLASMA
公开(公告)号：TW200847266A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096127785
申请日：2007-07-30
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：申泰浩 SHIN, TAE HO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3266 , H01J37/32091
摘要：一種利用電漿處理裝置的方法。在電漿處理期間,用於產生電漿之電力以脈衝的方式被供應,以防止晶圓表面的電荷密度隨電能上升而增加。一磁場被設置在一電漿被產生的區域,以防止電漿密度下降,當電力以脈衝的形式被供應時。該朝向外殼的內部及外部用於產生之電力以脈衝的形式供應以選擇性的增進晶圓中央區域或邊緣區域之蝕刻速率。
简体摘要：一种利用等离子处理设备的方法。在等离子处理期间,用于产生等离子之电力以脉冲的方式被供应,以防止晶圆表面的电荷密度随电能上升而增加。一磁场被设置在一等离子被产生的区域,以防止等离子密度下降,当电力以脉冲的形式被供应时。该朝向外壳的内部及外部用于产生之电力以脉冲的形式供应以选择性的增进晶圆中央区域或边缘区域之蚀刻速率。

7. 发明专利

TW200842108A 合成奈米碳管之裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR SYNTHESIZING CARBON NANOTUBE 失效
简体标题：合成奈米碳管之设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR SYNTHESIZING CARBON NANOTUBE
公开(公告)号：TW200842108A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096145750
申请日：2007-11-30
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：金炯俊 HYUNG-JOON KIM , 黃湖水 HO-SOO HWANG , 趙重根 JUNG-KEUN CHO
IPC分类号： C01B
CPC分类号： B82Y30/00 , B01J23/745 , B01J23/755 , B01J37/18 , B82Y40/00 , C01B32/16
摘要：一種合成奈米碳管(carbon nanotube)之裝置。合成奈米碳管之裝置包括一反應室(reaction chamber)、一燒盆(cassette)、一運輸元件(transferring member)、一加熱器(heater)、一氣體供應元件(gas supply member)及一氣體排放元件(gas exhausting member)。奈米碳管在反應室裡合成。反應室具有一實質垂直之主軸。燒盆用以容置複數個基材。運輸元件以沿著實質上平行於主軸的方向運送燒盆,而將燒盆運送進反應室或將燒盆運送出反應室。加熱器用以加熱反應室。氣體供應元件用以將一氣體提供於反應室,氣體用以合成奈米碳管。氣體排放元件用以將一殘留氣體排放出反應室。如此,可以促進奈米碳管之回收、增進管理反應室的效率及提高奈米碳管之生產率。
简体摘要：一种合成奈米碳管(carbon nanotube)之设备。合成奈米碳管之设备包括一反应室(reaction chamber)、一烧盆(cassette)、一运输组件(transferring member)、一加热器(heater)、一气体供应组件(gas supply member)及一气体排放组件(gas exhausting member)。奈米碳管在反应室里合成。反应室具有一实质垂直之主轴。烧盆用以容置复数个基材。运输组件以沿着实质上平行于主轴的方向运送烧盆,而将烧盆运送进反应室或将烧盆运送出反应室。加热器用以加热反应室。气体供应组件用以将一气体提供于反应室,气体用以合成奈米碳管。气体排放组件用以将一残留气体排放出反应室。如此,可以促进奈米碳管之回收、增进管理反应室的效率及提高奈米碳管之生产率。

8. 发明专利

TW200823978A 旋轉頭以及使用該旋轉頭處理基體的方法 SPIN HEAD AND SUBSTRATE TREATING METHOD USING THE SAME 审中-公开
简体标题：旋转头以及使用该旋转头处理基体的方法 SPIN HEAD AND SUBSTRATE TREATING METHOD USING THE SAME
公开(公告)号：TW200823978A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096132061
申请日：2007-08-29
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：金賢鍾 KIM, HYUN JONG , 金柱元 KIM, JU WON , 趙重根 CHO, JUNG KEUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23B31/28 , B23B2260/10 , H01L21/68728 , Y10T279/23
摘要：一種旋轉頭,包括一可旋轉板、多數用以支持一載置在該板上之基體之邊緣部份的第一夾持銷與第二夾持銷、及一用以選擇性地驅動該等第一與第二夾持銷之驅動單元。該驅動單元包括一與該第一夾持銷連接且設置於第一高度處之第一磁鐵、一與該第二夾持銷連接且設置於第二高度處之第二磁鐵、及一用以驅動該等第一與第二磁鐵之驅動磁鐵。該驅動磁鐵利用升降構件升降,以對該第一或第二磁鐵選擇性地施加一磁力,且由於一磁力而朝該第一或第二夾持銷之半徑外側方向移動。
简体摘要：一种旋转头,包括一可旋转板、多数用以支持一载置在该板上之基体之边缘部份的第一夹持销与第二夹持销、及一用以选择性地驱动该等第一与第二夹持销之驱动单元。该驱动单元包括一与该第一夹持销连接且设置于第一高度处之第一磁铁、一与该第二夹持销连接且设置于第二高度处之第二磁铁、及一用以驱动该等第一与第二磁铁之驱动磁铁。该驱动磁铁利用升降构件升降,以对该第一或第二磁铁选择性地施加一磁力,且由于一磁力而朝该第一或第二夹持销之半径外侧方向移动。

9. 发明专利

TW200629336A 半導體電漿處理裝置及其方法 SEMICONDUCTOR PLASMA-PROCESSING APPARATUS AND METHOD 审中-公开
简体标题：半导体等离子处理设备及其方法 SEMICONDUCTOR PLASMA-PROCESSING APPARATUS AND METHOD
公开(公告)号：TW200629336A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：TW095102024
申请日：2006-01-19
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：金炯俊 KIM, HYUNG-JOON , 李奇英 LEE, KI-YUNG
IPC分类号： H01J , H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/321
摘要：一種半導體電漿–處理裝置，其緩和側邊自由基集中(其是由感應–耦合電漿源不斷地產生)的影響以強化其蝕刻均勻性。此裝置包括：遠端電漿源，其是用以活化製程氣體以產生自由基與離子；製程腔室，其具有入口，其中活化的製程氣體可由此入口流入製程腔室；基座，其配置在製程腔室中並且其上可放置晶圓；以及感應–耦合電漿源，其是配置在製程腔室中並且提供高頻能量給活化的製程氣體。當產生足夠實施蝕刻製程的自由基與離子時，藉由遠端與感應–耦合電漿源，此反應會活躍地進行以改善蝕刻效率。
简体摘要：一种半导体等离子–处理设备，其缓和侧边自由基集中(其是由感应–耦合等离子源不断地产生)的影响以强化其蚀刻均匀性。此设备包括：远程等离子源，其是用以活化制程气体以产生自由基与离子；制程腔室，其具有入口，其中活化的制程气体可由此入口流入制程腔室；基座，其配置在制程腔室中并且其上可放置晶圆；以及感应–耦合等离子源，其是配置在制程腔室中并且提供高频能量给活化的制程气体。当产生足够实施蚀刻制程的自由基与离子时，借由远程与感应–耦合等离子源，此反应会活跃地进行以改善蚀刻效率。

10. 发明专利

TWI313045B 基底傳送裝置 SUBSTRATE TRANSPORT APPARATUS 有权
简体标题：基底发送设备 SUBSTRATE TRANSPORT APPARATUS
公开(公告)号：TWI313045B
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW094116450
申请日：2005-05-20
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：朴舟楫 PARK, JOO-JIB , 崔貞烈 CHOI, JEONG-YEOL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68707
摘要：一種基底傳送裝置,用於穩定傳送基底和檢測基底獲取情況。該基底傳送裝置包括一夾持部件,用於在一傳送手臂從拾取位置返回貯槽位置時夾持置於手臂之承載部上的基底。該夾持部件可包括一推板和一彈性部件。該推板具有一曲面,與基底之邊緣接觸,該曲面配置在基座上,隨至少一手臂同向移動。該彈性部件施加彈力使推板側向擠壓基底之邊緣。
简体摘要：一种基底发送设备,用于稳定发送基底和检测基底获取情况。该基底发送设备包括一夹持部件,用于在一发送手臂从十取位置返回贮槽位置时夹持置于手臂之承载部上的基底。该夹持部件可包括一推板和一弹性部件。该推板具有一曲面,与基底之边缘接触,该曲面配置在基座上,随至少一手臂同向移动。该弹性部件施加弹力使推板侧向挤压基底之边缘。

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