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1. 发明专利

TW200909344A 製造奈米碳管的方法以及執行此方法的裝置與系統 METHOD OF MANUFACTURING A CARBON NANOTUBE, AND APPARATUS AND SYSTEM FOR PERFORMING THE METHOD 审中-公开
简体标题：制造奈米碳管的方法以及运行此方法的设备与系统 METHOD OF MANUFACTURING A CARBON NANOTUBE, AND APPARATUS AND SYSTEM FOR PERFORMING THE METHOD
公开(公告)号：TW200909344A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW097106503
申请日：2008-02-25
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：黃湖水 HWANG, HO-SOO , 金成洙 KIM, SUNG-SOO , 趙重根 CHO, JUNG-KEUN
IPC分类号： B82B
CPC分类号： C01B31/0233 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , Y10S977/843
摘要：在製造奈米碳管的方法中,用來容納基材的晶舟是位於奈米碳管合成所在的合成空間的外部。首先將基材載入於晶舟中。之後將晶舟轉換至合成空間中。然後在合成空間中的基材上進行形成奈米碳管的程序以形成奈米碳管。因此可以有效的製造奈米碳管。
简体摘要：在制造奈米碳管的方法中,用来容纳基材的晶舟是位于奈米碳管合成所在的合成空间的外部。首先将基材加载于晶舟中。之后将晶舟转换至合成空间中。然后在合成空间中的基材上进行形成奈米碳管的进程以形成奈米碳管。因此可以有效的制造奈米碳管。

2. 发明专利

TWI293584B 清洗與乾燥基底的方法及其裝置 METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING AND DRYING SUBSTRATES 有权
简体标题：清洗与干燥基底的方法及其设备 METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING AND DRYING SUBSTRATES
公开(公告)号：TWI293584B
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：TW095117607
申请日：2006-05-18
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：趙重根 CHO, JUNG-KEUN , 尹滄老 YOON, CHANG-RO , 具教旭 KOO, KYO-WOOG
IPC分类号： B08B , F26B
CPC分类号： H01L21/67028
摘要：本發明提供一種藉由將基底(例如半導體晶圓)滲入清洗液(例如清洗化學藥品或漂洗液(ringing liquids))並且之後乾燥基底來清洗基底的裝置與方法。本發明的基底清洗與乾燥裝置包括處理室，處理室包括用以裝載清洗液並且在底部排出清洗液的清洗室以及在清洗室上方的乾燥室。處理器更包括用以從乾燥室中排出供應至乾燥室中的空氣的排放裝置。排放裝置置於清洗室與乾燥室之間，並且藉由壓迫排出氣體以致於氣體在乾燥室中垂直地向下流動。本發明的基底清洗與乾燥裝置會在乾燥室中在基底的表面上產生適當垂直與均勻的氣體流動，並且快速地從乾燥室中排出氣體，由此增加乾燥程序的效率。
简体摘要：本发明提供一种借由将基底(例如半导体晶圆)渗入清洗液(例如清洗化学药品或漂洗液(ringing liquids))并且之后干燥基底来清洗基底的设备与方法。本发明的基底清洗与干燥设备包括处理室，处理室包括用以装载清洗液并且在底部排出清洗液的清洗室以及在清洗室上方的干燥室。处理器更包括用以从干燥室中排出供应至干燥室中的空气的排放设备。排放设备置于清洗室与干燥室之间，并且借由压迫排出气体以致于气体在干燥室中垂直地向下流动。本发明的基底清洗与干燥设备会在干燥室中在基底的表面上产生适当垂直与均匀的气体流动，并且快速地从干燥室中排出气体，由此增加干燥进程的效率。

3. 发明专利

TW200814182A 使用超臨界流體之基板乾燥器,包含該乾燥器的裝置以及基板處理方法 SUBSTRATE DRYER USING SUPERCRITICAL FLUID, APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：使用超临界流体之基板干燥器,包含该干燥器的设备以及基板处理方法 SUBSTRATE DRYER USING SUPERCRITICAL FLUID, APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200814182A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096119270
申请日：2007-05-30
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：趙重根 CHO, JUNG-KEUN , 具教旭 KOO, KYO-WOOG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67034
摘要：本發明針對基板乾燥器、包含基板乾燥器之基板處理裝置,以及基板處理方法。基板乾燥器包含:腔室;處理腔室,其構成腔室之一部分且經提供以用於將超臨界流體供應至基板以乾燥基板;以及高壓腔室,其構成腔室的另一部分且經提供以用於將處理腔室增壓至臨界壓力以上。根據本發明,基板乾燥腔室由高壓腔室快速增壓以改變成超臨界狀態,且從而使用超臨界流體來執行基板乾燥處理。
简体摘要：本发明针对基板干燥器、包含基板干燥器之基板处理设备,以及基板处理方法。基板干燥器包含:腔室;处理腔室,其构成腔室之一部分且经提供以用于将超临界流体供应至基板以干燥基板;以及高压腔室,其构成腔室的另一部分且经提供以用于将处理腔室增压至临界压力以上。根据本发明,基板干燥腔室由高压腔室快速增压以改变成超临界状态,且从而使用超临界流体来运行基板干燥处理。

4. 发明专利

TW200832609A 旋轉頭,操作旋轉頭的方法以及以該旋轉頭處理基板的裝置 SPIN HEAD, METHOD OF OPERATING THE SPIN HEAD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES WITH THE SPIN HEAD 审中-公开
简体标题：旋转头,操作旋转头的方法以及以该旋转头处理基板的设备 SPIN HEAD, METHOD OF OPERATING THE SPIN HEAD AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES WITH THE SPIN HEAD
公开(公告)号：TW200832609A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096144970
申请日：2007-11-27
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：金柱元 KIM, JU-WON , 崔基勳 CHOI, KI-HOON , 趙重根 CHO, JUNG-KEUN , 具教旭 KOO, KYO-WOOG , 崔重奉 CHOI, JUNG-BONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68728 , H01L21/68742
摘要：一種旋轉頭,包括用於夾持和鬆開基板的夾持銷。處理過程中,夾持銷與基板的接觸部位不斷變化,以防止處理液殘留在夾持銷與基板的接觸處。
简体摘要：一种旋转头,包括用于夹持和松开基板的夹持销。处理过程中,夹持销与基板的接触部位不断变化,以防止处理液残留在夹持销与基板的接触处。

5. 发明专利

TW200814195A 處理基底的裝置及其方法 APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES 审中-公开
简体标题：处理基底的设备及其方法 APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES
公开(公告)号：TW200814195A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096131038
申请日：2007-08-22
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：金怡政 KIM, YI-JUNG , 徐庚進 SEO, KYUNG-JIN , 尹滄老 YOON, CHANG-RO , 趙重根 CHO, JUNG-KEUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B7/0035 , G03F7/422 , G03F7/427 , H01L21/67069 , H01L21/6708
摘要：一種基底處理裝置,可剝除基底上的光阻材料。所述基底處理裝置包括:支撐部件,用來支撐基底;乾式處理部件,用來剝除基底上的光阻材料;以及濕式處理部件,用來剝除基底上的光阻材料。基底是用支撐部件來支撐,而基底上的光阻材料是藉由乾式處理部件來進行第一次剝除,且藉由濕式處理部件來進行第二次剝除。乾式處理部件包括:電漿供應單元,經配置以供應電漿到基底上;以及移動單元,經配置以改變電漿供應單元與基底的相對位置。
简体摘要：一种基底处理设备,可剥除基底上的光阻材料。所述基底处理设备包括:支撑部件,用来支撑基底;干式处理部件,用来剥除基底上的光阻材料;以及湿式处理部件,用来剥除基底上的光阻材料。基底是用支撑部件来支撑,而基底上的光阻材料是借由干式处理部件来进行第一次剥除,且借由湿式处理部件来进行第二次剥除。干式处理部件包括:等离子供应单元,经配置以供应等离子到基底上;以及移动单元,经配置以改变等离子供应单元与基底的相对位置。

6. 发明专利

TW200811934A 處理基板的裝置及其方法 APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES 审中-公开
简体标题：处理基板的设备及其方法 APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES
公开(公告)号：TW200811934A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096122325
申请日：2007-06-21
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：金賢鍾 KIM, HYUN-JONG , 具教旭 KOO, KYO-WOOG , 趙重根 CHO, JUNG-KEUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67051
摘要：一種基板處理裝置包括:一具有夾盤的基板支撐單元,用於裝載基板;一開頂式底部腔室,圍繞於夾盤周圍;一頂部腔室,用於打開與關閉底部腔室的頂部,當頂部腔室與外界隔絕時,使基板乾燥;以及一直接注射噴嘴,裝配於頂部腔室中,用於當底部腔室的頂部關閉時,將流體直接地注入至基板。使用此基板處理裝置,能使提升整個基板的乾燥效率,阻絕外界污染物,以及抑制氧化層的生成。
简体摘要：一种基板处理设备包括:一具有夹盘的基板支撑单元,用于装载基板;一开顶式底部腔室,围绕于夹盘周围;一顶部腔室,用于打开与关闭底部腔室的顶部,当顶部腔室与外界隔绝时,使基板干燥;以及一直接注射喷嘴,装配于顶部腔室中,用于当底部腔室的顶部关闭时,将流体直接地注入至基板。使用此基板处理设备,能使提升整个基板的干燥效率,阻绝外界污染物,以及抑制氧化层的生成。

7. 发明专利

TW200640584A 清洗與乾燥基底的方法及其裝置 METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING AND DRYING SUBSTRATES 审中-公开
简体标题：清洗与干燥基底的方法及其设备 METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING AND DRYING SUBSTRATES
公开(公告)号：TW200640584A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW095117607
申请日：2006-05-18
申请人：細美事有限公司 SEMES CO., LTD.
发明人：趙重根 CHO, JUNG-KEUN , 尹滄老 YOON, CHANG-RO , 具教旭 KOO, KYO-WOOG
IPC分类号： B08B , F26B
CPC分类号： H01L21/67028
摘要：本發明提供一種藉由將基底(例如半導體晶圓)滲入清洗液(例如清洗化學藥品或漂洗液(ringing liquids))並且之後乾燥基底來清洗基底的裝置與方法。本發明的基底清洗與乾燥裝置包括處理室，處理室包括用以裝載清洗液並且在底部排出清洗液的清洗室以及在清洗室上方的乾燥室。處理器更包括用以從乾燥室中排出供應至乾燥室中的空氣的排放裝置。排放裝置置於清洗室與乾燥室之間，並且藉由壓迫排出氣體以致於氣體在乾燥室中垂直地向下流動。本發明的基底清洗與乾燥裝置會在乾燥室中在基底的表面上產生適當垂直與均勻的氣體流動，並且快速地從乾燥室中排出氣體，由此增加乾燥程序的效率。
简体摘要：本发明提供一种借由将基底(例如半导体晶圆)渗入清洗液(例如清洗化学药品或漂洗液(ringing liquids))并且之后干燥基底来清洗基底的设备与方法。本发明的基底清洗与干燥设备包括处理室，处理室包括用以装载清洗液并且在底部排出清洗液的清洗室以及在清洗室上方的干燥室。处理器更包括用以从干燥室中排出供应至干燥室中的空气的排放设备。排放设备置于清洗室与干燥室之间，并且借由压迫排出气体以致于气体在干燥室中垂直地向下流动。本发明的基底清洗与干燥设备会在干燥室中在基底的表面上产生适当垂直与均匀的气体流动，并且快速地从干燥室中排出气体，由此增加干燥进程的效率。

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