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1. 发明专利

TWI573905B 製造碳奈米纖維及／或碳奈米管的方法有权
简体标题：制造碳奈米纤维及／或碳奈米管的方法
公开(公告)号：TWI573905B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW099105582
申请日：2010-02-26
申请人：巴斯夫歐洲公司 , BASF SE
发明人：霍克斯特 J , HOEKSTRA, J. , 吉而斯約翰威爾赫姆 , GEUS, JOHN WILHELM , 傑尼斯肯斯 L W , JENNESKENS, L. W.
IPC分类号： D01F9/12 , C01B31/02 , B01J21/18 , B01J35/02 , B01J35/06
CPC分类号： D01F9/16 , B01J21/185 , B01J23/38 , B01J23/70 , B01J37/084 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C10G2/33 , C10G45/00 , D01F9/127

2. 发明专利

TW201628714A 碳奈米管製造用觸媒粒子之支撐構造以及其製造方法审中-公开
简体标题：碳奈米管制造用触媒粒子之支撑构造以及其制造方法
公开(公告)号：TW201628714A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104126803
申请日：2015-08-18
申请人：霓塔股份有限公司 , NITTA CORPORATION
发明人：小向拓治 , KOMUKAI, TAKUJI , 下元温 , SHIMOMOTO, YUTAKA , 輝平広美 , TERUHIRA, HIROMI
IPC分类号： B01J23/74 , B01J37/08 , C01B31/02
CPC分类号： B82Y40/00 , B01J21/12 , B01J21/185 , B01J23/745 , B01J37/0207 , B01J37/0228 , B01J37/08 , B01J37/12 , B32B1/08 , B82Y30/00 , C01B31/0233 , C01B32/162 , C22C38/02 , C22C38/06
摘要：提供可容易地製造之碳奈米管製造用觸媒粒子之支撐構造以及其製造方法。本發明之碳奈米管製造用觸媒粒子之支撐構造 11之製造方法，係包括：形成含有Si、Al以及Fe之觸媒粒子形成層3之工程；及在含有氧之氣氛中熱處理觸媒粒子形成層3，形成含有Fe而一部分埋沒於觸媒粒子形成層3而被支撐之觸媒粒子2之工程，因此，藉由調整熱處理時之氣氛的氧量，可調整所形成之含有Fe之觸媒粒子2的大小或數量，而可容易地形成觸媒粒子之支撐構造11。
简体摘要：提供可容易地制造之碳奈米管制造用触媒粒子之支撑构造以及其制造方法。本发明之碳奈米管制造用触媒粒子之支撑构造 11之制造方法，系包括：形成含有Si、Al以及Fe之触媒粒子形成层3之工程；及在含有氧之气氛中热处理触媒粒子形成层3，形成含有Fe而一部分埋没于触媒粒子形成层3而被支撑之触媒粒子2之工程，因此，借由调整热处理时之气氛的氧量，可调整所形成之含有Fe之触媒粒子2的大小或数量，而可容易地形成触媒粒子之支撑构造11。

3. 发明专利

TWI527755B 碳奈米管陣列之製造方法、紡織源構件、具備碳奈米管之構造體及複合構造體有权
简体标题：碳奈米管数组之制造方法、纺织源构件、具备碳奈米管之构造体及复合构造体
公开(公告)号：TWI527755B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW102137001
申请日：2013-10-14
申请人：捷恩智股份有限公司 , JNC CORPORATION
发明人：井上翼 , INOUE, YOKU , 中西太宇人 , NAKANISHI, TAUTO
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： C01B31/0226 , C01B31/00 , C01B32/00 , C01B32/05 , C01B32/158 , C01B32/16 , C01B32/162 , C01B2202/34 , D02G3/02 , D04H3/002

4. 发明专利

TWI432594B 在一設備中用於製造碳奈米管之觸媒散佈裝置有权
简体标题：在一设备中用于制造碳奈米管之触媒散布设备
公开(公告)号：TWI432594B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW097109501
申请日：2008-03-18
申请人：錦湖石油化學股份有限公司 , KOREA KUMHO PETROCHEMICAL CO., LTD
发明人：金成洙 , KIM, SUNG-SOO , 黃湖水 , HUANG, HO-SOO
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： B01J37/0215 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162

5. 发明专利

TWI428276B 產生碳奈米管之流體化床裝置以及使用該裝置之碳奈米管生產設施及其方法有权
简体标题：产生碳奈米管之流体化床设备以及使用该设备之碳奈米管生产设施及其方法
公开(公告)号：TWI428276B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW097142559
申请日：2008-11-04
申请人：錦湖石油化學股份有限公司 , KOREA KUMHO PETROCHEMICAL CO., LTD.
发明人：張碩元 , JANG, SUK-WON , 全鐘官 , JEON, JONG-KWAN , 黃湖水 , HWANG, HO-SOO , 鄭忠憲 , JEONG, CHUNG-HEON
IPC分类号： C01B31/02 , B01J8/24
CPC分类号： B82Y40/00 , B01J8/002 , B01J8/0025 , B01J8/0055 , B01J8/382 , B01J2208/00415 , B01J2208/00867 , B82Y30/00 , C01B32/162

6. 发明专利

TWI411047B 利用分子組合體形成碳及半導體奈米材料之方法有权
简体标题：利用分子组合体形成碳及半导体奈米材料之方法
公开(公告)号：TWI411047B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW096115997
申请日：2007-05-04
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：阿非札里阿達卡尼阿里 , AFZALI-ARDAKANI, ALI , 卡根且利R , KAGAN, CHERIE R. , 寇斯巴羅拉L , KOSBAR, LAURA L.
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B29/60 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , Y10S977/762 , Y10S977/84 , Y10S977/89 , Y10S977/932 , Y10S977/936 , Y10S977/938

7. 发明专利

TW201315673A 奈米碳纖維形成用構造體、奈米碳纖維構造體及其製造方法以及奈米碳纖維電極审中-公开
简体标题：奈米碳纤维形成用构造体、奈米碳纤维构造体及其制造方法以及奈米碳纤维电极
公开(公告)号：TW201315673A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101133806
申请日：2012-09-14
申请人：藤倉股份有限公司 , FUJIKURA LTD.
发明人：稻熊正康 , INAGUMA, MASAYASU
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , C01B31/02 , H01M4/02 , H01M12/06
CPC分类号： B01J35/002 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/158 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , C01B2203/1041 , C01B2203/1047 , C01B2203/1064 , C01B2203/1082 , D01F9/127 , H01G9/042 , H01G9/2045 , H01M4/583 , H01M4/9075 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/932 , Y10S977/942 , Y10T428/12611 , Y10T428/1266 , Y10T428/12667 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/24612 , Y10T428/249921 , Y10T428/249924 , Y10T428/25 , Y10T428/265 , Y10T428/30
摘要：本發明是具備：含氧離子傳導性氧化物的基材，及設在基材的一面側的金屬觸媒之奈米碳纖維形成用構造體。
简体摘要：本发明是具备：含氧离子传导性氧化物的基材，及设在基材的一面侧的金属触媒之奈米碳纤维形成用构造体。

8. 发明专利

TWI367861B 合成具有電子場發射性質之小直徑碳奈米管之方法 METHOD OF SYNTHESIZING SMALL-DIAMETER CARBON NANOTUBES WITH ELECTRON FIELD EMISSION PROPERTIES 有权
简体标题：合成具有电子场发射性质之小直径碳奈米管之方法 METHOD OF SYNTHESIZING SMALL-DIAMETER CARBON NANOTUBES WITH ELECTRON FIELD EMISSION PROPERTIES
公开(公告)号：TWI367861B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：TW093140574
申请日：2004-12-24
申请人：新泰科有限公司 , 公爵大學
发明人：劉杰 , 杜春生 , 傅強 , 高波 , 邱齊 , 周子剛
IPC分类号： C01B , H01J
CPC分类号： H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/04 , C01B2202/36 , H01J1/304 , H01J2201/30469
摘要：本發明揭示一種外徑小於10 nm且壁之數量少於十個之碳奈米管材料。本發明還揭示一種電子場發射裝置，其包括一基板、一黏附促進層之視情況選用層以及一電子場發射材料層。該電子場發射材料包括一碳奈米管，每管的同心石墨烯殼之數量係從二至十個，外徑為從2至8 nm，奈米管長度大於0.1微米。製造碳奈米管之一方法包括以下步驟：(a)製造一觸媒，其包含受支撐於MgO粉末上的Fe及Mo;(b)使用作為先驅物的含氫與碳之氣體之混合物；以及(c)將該觸媒加熱至950℃以上之溫度以產生一碳奈米管。製造一電子場發射陰極之另一方法包括以下步驟：(a)合成包含碳奈米管之電子場發射材料，其中每管的同心石墨烯殼之數量係從二至十個，外徑為從2至8 nm，而長度大於0.1微米；(b)將電子場發射材料分散於一合適的溶劑中；(c)將電子場發射材料沈積至一基板上；以及(d)對該基板予以退火。
简体摘要：本发明揭示一种外径小于10 nm且壁之数量少于十个之碳奈米管材料。本发明还揭示一种电子场发射设备，其包括一基板、一黏附促进层之视情况选用层以及一电子场发射材料层。该电子场发射材料包括一碳奈米管，每管的同心石墨烯壳之数量系从二至十个，外径为从2至8 nm，奈米管长度大于0.1微米。制造碳奈米管之一方法包括以下步骤：(a)制造一触媒，其包含受支撑于MgO粉末上的Fe及Mo;(b)使用作为先驱物的含氢与碳之气体之混合物；以及(c)将该触媒加热至950℃以上之温度以产生一碳奈米管。制造一电子场发射阴极之另一方法包括以下步骤：(a)合成包含碳奈米管之电子场发射材料，其中每管的同心石墨烯壳之数量系从二至十个，外径为从2至8 nm，而长度大于0.1微米；(b)将电子场发射材料分散于一合适的溶剂中；(c)将电子场发射材料沉积至一基板上；以及(d)对该基板予以退火。

9. 发明专利

TWI318248B 使用化學氣相沉積法或電漿增強化學氣相沉積法生成之碳奈米管直徑之控制 CONTROL OF CARBON NANOTUBE DIAMETER USING CVD OR PECVD GROWTH 失效
简体标题：使用化学气相沉积法或等离子增强化学气相沉积法生成之碳奈米管直径之控制 CONTROL OF CARBON NANOTUBE DIAMETER USING CVD OR PECVD GROWTH
公开(公告)号：TWI318248B
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：TW093130004
申请日：2004-10-04
申请人：萬國商業機器公司
发明人：安菲爾德吉爾 , 紐梅爾戴博拉 , 汀卡席
IPC分类号： C30B
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/36 , C30B25/00 , C30B25/105 , C30B29/605 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10S977/843
摘要：藉由控制反應器中反應性氣體之停留時間來獨立於催化劑尺寸控制由化學氣相沈積法生成之碳奈米管直徑。
简体摘要：借由控制反应器中反应性气体之停留时间来独立于催化剂尺寸控制由化学气相沉积法生成之碳奈米管直径。

10. 发明专利

TWI299320B 碳毫微管之製備 PRODUCTION OF CARBON NANOTUBES 失效
简体标题：碳毫微管之制备 PRODUCTION OF CARBON NANOTUBES
公开(公告)号：TWI299320B
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW091116865
申请日：2002-07-29
申请人：英國瑟里大學 UNIVERSITY OF SURREY
发明人：山卜古堤拉曲里拉米希麻 SEMBUKUTIARACHILAGE RAVI SILVA , 波珍O. 波斯柯米可 BOJAN O. BOSKOVIC , 沙傑哈 SAJAD HAQ
IPC分类号： C01B
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162
摘要：本發明係關於使用含碳氣體電漿藉由電漿增强化學蒸氣
沉積法形成碳毫微管之方法,其中該碳毫微管並非在300
℃或更高之溫度於基材上形成。
简体摘要：本发明系关于使用含碳气体等离子借由等离子增强化学蒸气沉积法形成碳毫微管之方法,其中该碳毫微管并非在300 ℃或更高之温度于基材上形成。

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