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81. 发明专利

TW344897B 於一半導體基材上形成具有不同厚度閘氧化物之製程失效
简体标题：于一半导体基材上形成具有不同厚度闸氧化物之制程
公开(公告)号：TW344897B
公开(公告)日：1998-11-11
申请号：TW084112080
申请日：1995-11-15
申请人： AT&T公司
发明人：沙里西.奇特潘地
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28211 , H01L21/823462 , Y10S438/981
摘要：在一半導體層上形成具有不同厚度之閘氧化物之製程，其為藉由包含在一基材上形成一層半導體層，在該半導體層上形成一層氧化層，於該氧化層之選擇區域曝光，在該經曝光之氧化層下方將該半導體層非晶系化，除去該氧化層以將該具有非晶系及結晶系區域之半導體層予以曝光，並在該半導體層之非晶系及結晶系區域上形成閘氧化物。在非晶系區域上形成之閘氧化物將比在結晶系區域上形成之閘氧化物較厚。本發明之製程避免針對特別的積體電路製造設計修正之需並且可利用在製造寬泛各種不同之元件，特別是ＭＯＳ-型式元件。
简体摘要：在一半导体层上形成具有不同厚度之闸氧化物之制程，其为借由包含在一基材上形成一层半导体层，在该半导体层上形成一层氧化层，于该氧化层之选择区域曝光，在该经曝光之氧化层下方将该半导体层非晶系化，除去该氧化层以将该具有非晶系及结晶系区域之半导体层予以曝光，并在该半导体层之非晶系及结晶系区域上形成闸氧化物。在非晶系区域上形成之闸氧化物将比在结晶系区域上形成之闸氧化物较厚。本发明之制程避免针对特别的集成电路制造设计修正之需并且可利用在制造宽泛各种不同之组件，特别是ＭＯＳ-型式组件。

82. 发明专利

TW201810279A 非揮發性栓鎖電路及邏輯電路及使用其之半導體裝置审中-公开
简体标题：非挥发性栓锁电路及逻辑电路及使用其之半导体设备
公开(公告)号：TW201810279A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106118898
申请日：2010-11-15
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： G11C16/06 , H01L21/82
CPC分类号： H03K3/356104 , G11C7/04 , G11C14/0063 , G11C16/045 , G11C2211/4016 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L27/105 , H01L27/1203 , H01L27/1225 , H01L29/6659 , H03K3/0375 , H03K3/286 , H03K3/356 , H03K3/356121 , H03K3/356173
摘要：為了提供新穎的非揮發性栓鎖電路及使用該非揮發性栓鎖電路的半導體裝置，非揮發性栓鎖電路包括一栓鎖部，具有第一元件的輸出電連接至第二元件的輸入，且該第二元件的輸出電連接至該第一元件的輸入的迴路結構；以及一資料保存部，用於保存該栓鎖部的資料。在該資料保存部中，用於形成通道形成區之使用氧化物半導體作為半導體材料的電晶體被用作開關元件。此外，包括電連接至該電晶體之源極電極或汲極電極的反相器。使用該電晶體，保存在該栓鎖部中的資料可被寫入該反相器的閘極電容器或單獨設置的電容器。
简体摘要：为了提供新颖的非挥发性栓锁电路及使用该非挥发性栓锁电路的半导体设备，非挥发性栓锁电路包括一栓锁部，具有第一组件的输出电连接至第二组件的输入，且该第二组件的输出电连接至该第一组件的输入的回路结构；以及一数据保存部，用于保存该栓锁部的数据。在该数据保存部中，用于形成信道形成区之使用氧化物半导体作为半导体材料的晶体管被用作开关组件。此外，包括电连接至该晶体管之源极电极或汲极电极的反相器。使用该晶体管，保存在该栓锁部中的数据可被写入该反相器的闸极电容器或单独设置的电容器。

83. 发明专利

TWI590329B 藉由微波電漿處理以提升半導體裝置中之高介電常數膜成核速率及電移動度的方法有权
简体标题：借由微波等离子处理以提升半导体设备中之高介电常数膜成核速率及电移动度的方法
公开(公告)号：TWI590329B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104106451
申请日：2015-03-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：泰伯利坎達巴拉N , TAPILY, KANDABARA N. , 克拉克羅伯特D , CLARK, ROBERT D.
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02315 , C23C16/0272 , C23C16/405 , C23C16/45525 , H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02236 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/28167 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28211 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518

84. 发明专利

TW201714206A 磊晶層的形成方法审中-公开
简体标题：磊晶层的形成方法
公开(公告)号：TW201714206A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105106530
申请日：2016-03-03
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02057 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02598 , H01L21/02634 , H01L21/02658 , H01L21/28211 , H01L21/31111
摘要：本發明提出了一種磊晶層的形成方法，在採用氣相沉積法形成磊晶層時，使用包括氘氣的載氣，由於處於氘氣的環境中，能夠使形成的磊晶層內部存有氘原子，在後續閘氧化層或裝置的形成時，氘原子能夠擴散出，並與介面處等懸鍵進行結合，形成較為穩定的結構，從而避免熱載子效應的發生，提高裝置的性能。
简体摘要：本发明提出了一种磊晶层的形成方法，在采用气相沉积法形成磊晶层时，使用包括氘气的载气，由于处于氘气的环境中，能够使形成的磊晶层内部存有氘原子，在后续闸氧化层或设备的形成时，氘原子能够扩散出，并与界面处等悬键进行结合，形成较为稳定的结构，从而避免热载子效应的发生，提高设备的性能。

85. 发明专利

TW201508752A 非揮發性栓鎖電路及邏輯電路及使用其之半導體裝置审中-公开
简体标题：非挥发性栓锁电路及逻辑电路及使用其之半导体设备
公开(公告)号：TW201508752A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103140252
申请日：2010-11-15
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： G11C16/06 , H01L21/82
CPC分类号： H03K3/356104 , G11C7/04 , G11C14/0063 , G11C16/045 , G11C2211/4016 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L27/105 , H01L27/1203 , H01L27/1225 , H01L29/6659 , H03K3/0375 , H03K3/286 , H03K3/356 , H03K3/356121 , H03K3/356173
摘要：為了提供新穎的非揮發性栓鎖電路及使用該非揮發性栓鎖電路的半導體裝置，非揮發性栓鎖電路包括一栓鎖部，具有第一元件的輸出電連接至第二元件的輸入，且該第二元件的輸出電連接至該第一元件的輸入的迴路結構；以及一資料保存部，用於保存該栓鎖部的資料。在該資料保存部中，用於形成通道形成區之使用氧化物半導體作為半導體材料的電晶體被用作開關元件。此外，包括電連接至該電晶體之源極電極或汲極電極的反相器。使用該電晶體，保存在該栓鎖部中的資料可被寫入該反相器的閘極電容器或單獨設置的電容器。
简体摘要：为了提供新颖的非挥发性栓锁电路及使用该非挥发性栓锁电路的半导体设备，非挥发性栓锁电路包括一栓锁部，具有第一组件的输出电连接至第二组件的输入，且该第二组件的输出电连接至该第一组件的输入的回路结构；以及一数据保存部，用于保存该栓锁部的数据。在该数据保存部中，用于形成信道形成区之使用氧化物半导体作为半导体材料的晶体管被用作开关组件。此外，包括电连接至该晶体管之源极电极或汲极电极的反相器。使用该晶体管，保存在该栓锁部中的数据可被写入该反相器的闸极电容器或单独设置的电容器。

86. 发明专利

TW201310547A 使用微波晶體再生之單晶體Ｕ形金氧半場效電晶體閘極审中-公开
简体标题：使用微波晶体再生之单晶体Ｕ形金氧半场效应管闸极
公开(公告)号：TW201310547A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101124821
申请日：2012-07-10
申请人：菲爾卻德半導體公司 , FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：普托羅勃特J , PURTELL, ROBERT J. , 塞普史帝夫 , SAPP, STEVE
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02667 , H01L21/28035 , H01L21/28211 , H01L29/41766 , H01L29/49 , H01L29/4916 , H01L29/66727 , H01L29/66734
摘要：本發明闡述半導體裝置及用於製作此等裝置之方法。UMOS(U形MOSFET)半導體裝置含有已在低溫下使用微波再生長或形成之單晶體閘極。可藉由以下操作來形成該等裝置：提供一半導體基板；在該基板中形成一溝渠；在該溝渠中形成一絕緣層；在該絕緣層上沈積一預閘極層，該預閘極層包括具有一非單晶體結構之一導電及/或半導電材料(Si或SiGe)；使該預閘極層與具有一單晶體結構之一晶種層接觸；及在低溫下使用微波加熱該預閘極層以使該非單晶體結構再結晶成一單晶體結構。此等程序可改良作為視情況在源極-井接面上面具有一個矽化物觸點之一單晶體結構之該閘極之電阻及遷移率，從而達成一較高切換速度UMOS裝置。本發明亦闡述其他實施例。
简体摘要：本发明阐述半导体设备及用于制作此等设备之方法。UMOS(U形MOSFET)半导体设备含有已在低温下使用微波再生长或形成之单晶体闸极。可借由以下操作来形成该等设备：提供一半导体基板；在该基板中形成一沟渠；在该沟渠中形成一绝缘层；在该绝缘层上沉积一预闸极层，该预闸极层包括具有一非单晶体结构之一导电及/或半导电材料(Si或SiGe)；使该预闸极层与具有一单晶体结构之一晶种层接触；及在低温下使用微波加热该预闸极层以使该非单晶体结构再结晶成一单晶体结构。此等进程可改良作为视情况在源极-井接面上面具有一个硅化物触点之一单晶体结构之该闸极之电阻及迁移率，从而达成一较高切换速度UMOS设备。本发明亦阐述其他实施例。

87. 发明专利

TW201220394A 藉由化學氣相沉積之低溫介電膜形成 LOW-TEMPERATURE DIELECTRIC FILM FORMATION BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 审中-公开
简体标题：借由化学气相沉积之低温介电膜形成 LOW-TEMPERATURE DIELECTRIC FILM FORMATION BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
公开(公告)号：TW201220394A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100134827
申请日：2011-09-27
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：迪普安東尼 , 萊德金柏利G
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/28273 , H01L21/3105
摘要：在基板上沉積介電膜之方法,包含:將數個基板安置在製程腔室中;將製程腔室加熱至400℃與少於650℃間之沉積溫度;將包含水蒸氣之第一製程氣體流動到製程腔室中;將包含二氯矽烷(DCS)之第二製程氣體流動到製程腔室中;建立少於2 Torr之氣體壓力;以及使第一與第二製程氣體反應,以在數個基板上熱沉積氧化矽膜。一實施例更包含在流動第一製程氣體與第二製程氣體時將包含一氧化氮(NO)氣體之第三製程氣體流動到製程腔室中;以及使氧化物膜與第三製程氣體反應,以在基板上形成氮氧化矽膜。
简体摘要：在基板上沉积介电膜之方法,包含:将数个基板安置在制程腔室中;将制程腔室加热至400℃与少于650℃间之沉积温度;将包含水蒸气之第一制程气体流动到制程腔室中;将包含二氯硅烷(DCS)之第二制程气体流动到制程腔室中;创建少于2 Torr之气体压力;以及使第一与第二制程气体反应,以在数个基板上热沉积氧化硅膜。一实施例更包含在流动第一制程气体与第二制程气体时将包含一氧化氮(NO)气体之第三制程气体流动到制程腔室中;以及使氧化物膜与第三制程气体反应,以在基板上形成氮氧化硅膜。

88. 发明专利

TWI345272B 半導體結構的形成方法 A METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE 有权
简体标题：半导体结构的形成方法 A METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
公开(公告)号：TWI345272B
公开(公告)日：2011-07-11
申请号：TW096100506
申请日：2007-01-05
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：徐鵬富 , 金鷹 , 陶宏遠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02312 , H01L21/02046 , H01L21/02181 , H01L21/02194 , H01L21/02238 , H01L21/0228 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28211 , H01L21/3141 , H01L21/31641 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665
摘要：本發明係提供一種半導體結構的形成方法。上述半導體結構的形成方法，包括提供一半導體基底，接著，對該半導體基底進行一含氫氣退火步驟，在完成該含氫氣退火步驟之後，形成一底部氧化層於該半導體基底的上方，以及形成一高介電常數的介電層於該底部氧化層上。
简体摘要：本发明系提供一种半导体结构的形成方法。上述半导体结构的形成方法，包括提供一半导体基底，接着，对该半导体基底进行一含氢气退火步骤，在完成该含氢气退火步骤之后，形成一底部氧化层于该半导体基底的上方，以及形成一高介电常数的介电层于该底部氧化层上。

89. 发明专利

TWI328289B 形成半導體記憶體的電荷捕捉介電層的方法 METHOD OF FORMING CHARGE-TRAPPING DIELECTRIC LAYER IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
简体标题：形成半导体内存的电荷捕捉介电层的方法 METHOD OF FORMING CHARGE-TRAPPING DIELECTRIC LAYER IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TWI328289B
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW095119124
申请日：2006-05-30
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：施彥豪 , 李士勤 , 謝榮裕 , 賴二琨 , 謝光宇
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/2652 , H01L21/28211 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L29/7923
摘要：一種形成半導體記憶體中的電荷捕捉介電層的方法，包含：(a)提供半導體基底；(b)在基底的至少一部分上形成氧化層；(c)在氧化層下方的基底中形成兩個或兩個以上的源極和汲極區；(d)對氧化層進行再氧化；(e)在氧化層上形成電荷捕捉介電層；(f)在電荷捕捉介電層上形成絕緣層。且另外描述包含如下步驟的方法：(a)提供半導體基底；(b)在乾氧環境中於基底的至少一部分上形成氧化層；(c)在氧化層下方的基底中形成兩個或兩個以上的源極和汲極區；(d)在氧化層上形成電荷捕捉介電層；(e)在電荷捕捉介電層上形成絕緣層；(f)在氫含量低於約0.01%的環境中對絕緣層進行退火。
简体摘要：一种形成半导体内存中的电荷捕捉介电层的方法，包含：(a)提供半导体基底；(b)在基底的至少一部分上形成氧化层；(c)在氧化层下方的基底中形成两个或两个以上的源极和汲极区；(d)对氧化层进行再氧化；(e)在氧化层上形成电荷捕捉介电层；(f)在电荷捕捉介电层上形成绝缘层。且另外描述包含如下步骤的方法：(a)提供半导体基底；(b)在干氧环境中于基底的至少一部分上形成氧化层；(c)在氧化层下方的基底中形成两个或两个以上的源极和汲极区；(d)在氧化层上形成电荷捕捉介电层；(e)在电荷捕捉介电层上形成绝缘层；(f)在氢含量低于约0.01%的环境中对绝缘层进行退火。

90. 发明专利

TW200941579A 氧化矽膜的形成方法审中-公开
简体标题：氧化硅膜的形成方法
公开(公告)号：TW200941579A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW098103133
申请日：2009-01-23
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：中村秀雄 , 壁義郎 , 北川淳一
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01L27/11521 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/02238 , H01L21/28211 , H01L21/31662 , H01L21/32105 , H01L21/76235 , H01L21/823468 , H01L29/42372 , H01L29/7881
摘要：在具有凹凸形狀的矽的氧化處理中，使形成於側壁的氧化矽膜的膜厚相較於底部極力形成薄。利用藉由具有複數的微波放射孔（32）的平面天線板（31）來導入微波至窒室（1）內的電漿處理裝置（100），一邊施加高頻電力至載置台（2），一邊在處理氣體中的氧的比例為0.1％以上50％以下的範圍內，且處理壓力為1.3Pa異常667Pa以下的範圍內的條件下使電漿生成。藉由此電漿來使形成於晶圓W上的凹凸形狀的矽的側壁面之氧化矽膜的膜厚、與形成於凹部的底壁面之氧化矽膜的膜厚的比[側壁面的膜厚/底壁面的膜厚]能夠形成0.6以下的範圍內。
简体摘要：在具有凹凸形状的硅的氧化处理中，使形成于侧壁的氧化硅膜的膜厚相较于底部极力形成薄。利用借由具有复数的微波放射孔（32）的平面天线板（31）来导入微波至窒室（1）内的等离子处理设备（100），一边施加高频电力至载置台（2），一边在处理气体中的氧的比例为0.1％以上50％以下的范围内，且处理压力为1.3Pa异常667Pa以下的范围内的条件下使等离子生成。借由此等离子来使形成于晶圆W上的凹凸形状的硅的侧壁面之氧化硅膜的膜厚、与形成于凹部的底壁面之氧化硅膜的膜厚的比[侧壁面的膜厚/底壁面的膜厚]能够形成0.6以下的范围内。

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