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81. 发明专利

TW201407648A 旋轉閥型通道磁阻元件之製造方法审中-公开
简体标题：旋转阀型信道磁阻组件之制造方法
公开(公告)号：TW201407648A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102131280
申请日：2009-02-19
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：恆川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 細谷裕之 , HOSOYA, HIROYUKI , 永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 古川真司 , FURUKAWA, SHINJI , 渡邊直樹 , WATANABE, NAOKI
IPC分类号： H01F41/14 , C23C14/34 , G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/225 , C23C14/3464 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/18 , H01F41/302 , H01L43/12
摘要：將在旋轉閥型之通道磁阻元件或是巨大磁阻元件中的磁性層之磁性向異性提升。將磁性層之成膜，藉由將濺鍍粒子對於基板而從一定之入射方向來以一定之入射角度而傾斜入射，而進行之。
简体摘要：将在旋转阀型之信道磁阻组件或是巨大磁阻组件中的磁性层之磁性向异性提升。将磁性层之成膜，借由将溅镀粒子对于基板而从一定之入射方向来以一定之入射角度而倾斜入射，而进行之。

82. 发明专利

TWI425108B 磁控管濺鍍裝置及濺鍍方法有权
简体标题：磁控管溅镀设备及溅镀方法
公开(公告)号：TWI425108B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW100108997
申请日：2011-03-16
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：佐佐木雅夫 , SASAKI, MASAO
IPC分类号： C23C14/35

83. 发明专利

TW201342520A 基板承座裝置及真空處理裝置审中-公开
简体标题：基板承座设备及真空处理设备
公开(公告)号：TW201342520A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101146863
申请日：2012-12-12
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：三浦泰嗣 , MIURA, YASUSHI , 藤山英二 , FUJIYAMA, EIJI , 石田昌昭 , ISHIDA, MASAAKI
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32715 , C23C14/505 , H01J37/32733
摘要：基板承座裝置具備：可載腔室中之經減壓的處理空間中，保持基板的基板承座；和連接於基板承座的支柱；和將支柱支承成可轉動的第1轉動支承部；和在「從第1轉動支承部支承著支柱的位置，朝向支柱的軸方向分離」的位置，將支柱支承成可轉動的第2轉動支承部；及用來支承第1與第2轉動支承部的框體。第2轉動支承部與框體、或者支柱與框體形成電氣性絕緣。
简体摘要：基板承座设备具备：可载腔室中之经减压的处理空间中，保持基板的基板承座；和连接于基板承座的支柱；和将支柱支承成可转动的第1转动支承部；和在“从第1转动支承部支承着支柱的位置，朝向支柱的轴方向分离”的位置，将支柱支承成可转动的第2转动支承部；及用来支承第1与第2转动支承部的框体。第2转动支承部与框体、或者支柱与框体形成电气性绝缘。

84. 发明专利

TW201339346A 基板承座裝置及真空處理裝置审中-公开
简体标题：基板承座设备及真空处理设备
公开(公告)号：TW201339346A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101146861
申请日：2012-12-12
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：三浦泰嗣 , MIURA, YASUSHI , 藤山英二 , FUJIYAMA, EIJI , 石田昌昭 , ISHIDA, MASAAKI
IPC分类号： C23C14/50
CPC分类号： C23C14/50 , C23C14/505
摘要：基板承座裝置具備：可載腔室中之經減壓的處理空間中，保持基板的基板承座；和連接於基板承座的支柱；和將支柱支承成可轉動的第1轉動支承部；和在「從第1轉動支承部支承著支柱的位置，朝向支柱的軸方向分離」的位置，將支柱支承成可轉動的第2轉動支承部；和用來支承第1與第2轉動支承部的框體；及將支柱與框體予以電氣性連接的導電性構件。
简体摘要：基板承座设备具备：可载腔室中之经减压的处理空间中，保持基板的基板承座；和连接于基板承座的支柱；和将支柱支承成可转动的第1转动支承部；和在“从第1转动支承部支承着支柱的位置，朝向支柱的轴方向分离”的位置，将支柱支承成可转动的第2转动支承部；和用来支承第1与第2转动支承部的框体；及将支柱与框体予以电气性连接的导电性构件。

85. 发明专利

TW201318946A 搬送裝置审中-公开
简体标题：搬送设备
公开(公告)号：TW201318946A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101121095
申请日：2012-06-13
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：北川淳一 , KITAGAWA, JUNICHI , 若林秀紀 , WAKABAYASHI, HIDEKI
IPC分类号： B65G54/02 , H01L21/683
摘要：本發明之課題為提供一種能夠抑制微粒之發生的搬送裝置。本發明之解決手段為一種搬送裝置，係具備有：腔、和基板支撐體，係將基板作支撐且能沿著腔內之路徑而移動、和第1磁性齒條，係具有被直線排列於基板支撐體的複數之齒條磁鐵、和第1磁性小齒輪，係具有複數之小齒輪磁鐵，且被配置於第1磁性齒條之側方，與第1磁性齒條磁性結合、以及支撐構件，係將基板支撐體予以能移動地支撐；且藉由使第1磁性小齒輪旋轉，而使基板支撐體移動。
简体摘要：本发明之课题为提供一种能够抑制微粒之发生的搬送设备。本发明之解决手段为一种搬送设备，系具备有：腔、和基板支撑体，系将基板作支撑且能沿着腔内之路径而移动、和第1磁性齿条，系具有被直线排列于基板支撑体的复数之齿条磁铁、和第1磁性小齿轮，系具有复数之小齿轮磁铁，且被配置于第1磁性齿条之侧方，与第1磁性齿条磁性结合、以及支撑构件，系将基板支撑体予以能移动地支撑；且借由使第1磁性小齿轮旋转，而使基板支撑体移动。

86. 发明专利

TW201301387A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201301387A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101110815
申请日：2012-03-28
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：吉田達彥 , YOSHIDA, TATSUHIKO , 長谷川雅己 , HASEGAWA, MASAMI , 長田智明 , OSADA, TOMOAKI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/32559 , H05H2001/463
摘要：以電漿處理基板的基板處理裝置，其特徵為具備：容器，其係具有形成供處理基板之用的處理空間之第1容器構件，以及在被安裝於第1容器構件的狀態下形成與處理空間連通的電漿生成用的電漿生成空間之第2容器構件；氣體導入部，係對容器導入氣體；電漿生成部，係被射於容器的外部空間，具有藉由來自電源的高頻電壓的供電導致的電場激發電漿生成空間內的氣體的天線；以及基板保持部，係於處理空間可以保持基板。在被配置於與天線接近的位置之第2容器構件的表面形成含有半導體材料的覆蓋膜。
简体摘要：以等离子处理基板的基板处理设备，其特征为具备：容器，其系具有形成供处理基板之用的处理空间之第1容器构件，以及在被安装于第1容器构件的状态下形成与处理空间连通的等离子生成用的等离子生成空间之第2容器构件；气体导入部，系对容器导入气体；等离子生成部，系被射于容器的外部空间，具有借由来自电源的高频电压的供电导致的电场激发等离子生成空间内的气体的天线；以及基板保持部，系于处理空间可以保持基板。在被配置于与天线接近的位置之第2容器构件的表面形成含有半导体材料的覆盖膜。

87. 发明专利

TW201241922A 不揮發性記憶元件及其製造方法审中-公开
简体标题：不挥发性记忆组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201241922A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100144215
申请日：2011-12-01
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：金恩美 , 大谷裕一 , 中川隆史
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L45/1625 , C23C14/0042 , C23C14/0641 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/35 , C23C14/505 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/55 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要：本發明提供一種在具備具層合構造之可變阻抗層的不揮發性記憶元件中,該可變阻抗層具有高的阻抗變化比之不揮發性記憶元件以及其製造方法。本發明之一實施例的不揮發性記憶元件,係具備:第1電極(2)、第2電極(6)、被挾持於第1電極(2)與第2電極(6)之間,且在至少2個相異之阻抗狀態下阻抗値變化之可變阻抗層(5);該可變阻抗層(5)為具有層合構造,該層合構造係具有含Hf與O之第1金屬氧化物層(3)、與設於該第1金屬氧化物層(3)與第1電極(2)及第2電極(6)之至少一者之間,且含Al與O之第2金屬氧化物層(4)。
简体摘要：本发明提供一种在具备具层合构造之可变阻抗层的不挥发性记忆组件中,该可变阻抗层具有高的阻抗变化比之不挥发性记忆组件以及其制造方法。本发明之一实施例的不挥发性记忆组件,系具备:第1电极(2)、第2电极(6)、被挟持于第1电极(2)与第2电极(6)之间,且在至少2个相异之阻抗状态下阻抗値变化之可变阻抗层(5);该可变阻抗层(5)为具有层合构造,该层合构造系具有含Hf与O之第1金属氧化物层(3)、与设于该第1金属氧化物层(3)与第1电极(2)及第2电极(6)之至少一者之间,且含Al与O之第2金属氧化物层(4)。

88. 发明专利

TW201241213A 濺鍍設備及電子裝置的製造方法 SPUTTERING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
简体标题：溅镀设备及电子设备的制造方法 SPUTTERING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE
公开(公告)号：TW201241213A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100148632
申请日：2011-12-26
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：大谷裕一 , 山口述夫
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/185 , C23C14/505 , H01J37/3417 , H01J37/3435 , H01J37/3447
摘要：本發明提供一種可有效率地於短時間內層疊薄膜而不用降低通量之濺鍍設備，以及電子裝置的製造方法。根據本發明實施例之濺鍍設備包含：可旋轉基板夾持具；四個標靶夾持具，相對於該基板夾持具傾斜配置；以及第一與第二擋門，其每一者設在該等標靶夾持具與該基板夾持具之間，並具有二孔，配置成相對於旋轉軸X雙重對稱。此等四個標靶夾持具之二者係第一組標靶夾持具，配置成相對於旋轉軸X雙重對稱，且另兩個標靶夾持具係第二組標靶夾持具，配置於該等第一組標靶夾持具之間，且相對於旋轉軸X雙重對稱。
简体摘要：本发明提供一种可有效率地于短时间内层叠薄膜而不用降低通量之溅镀设备，以及电子设备的制造方法。根据本发明实施例之溅镀设备包含：可旋转基板夹持具；四个标靶夹持具，相对于该基板夹持具倾斜配置；以及第一与第二挡门，其每一者设在该等标靶夹持具与该基板夹持具之间，并具有二孔，配置成相对于旋转轴X双重对称。此等四个标靶夹持具之二者系第一组标靶夹持具，配置成相对于旋转轴X双重对称，且另两个标靶夹持具系第二组标靶夹持具，配置于该等第一组标靶夹持具之间，且相对于旋转轴X双重对称。

89. 发明专利

TW201145358A 薄膜形成裝置，薄膜形成方法及遮蔽組件 THIN FILM FORMING APPARATUS, THIN FILM FORMING METHOD, AND SHIELD COMPONENT 审中-公开
简体标题：薄膜形成设备，薄膜形成方法及屏蔽组件 THIN FILM FORMING APPARATUS, THIN FILM FORMING METHOD, AND SHIELD COMPONENT
公开(公告)号：TW201145358A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW099145222
申请日：2010-12-22
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：江上明宏 , 中澤俊和 , 鈴木勝大 , 長谷川晉也
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/0036 , C23C14/34 , C23C16/4401 , C23C16/45591 , C23C16/4585 , H01J37/32477 , H01J37/32651 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/026 , H01J2237/0268
摘要：本發明的發明人實施測試且發現到,為了防止附著膜的剝離,曲率半徑設定等於或大於預定臨界値並沒有實質的重要性。本發明的發明人亦發現到,附著膜的剝離發生於曲率半徑改變之區域且在遮蔽的曲率變化小時較不可能發生。因此,問題的關鍵係遮蔽之曲率變化的大小,因而逐步改變曲率使其可能抑制大的曲率變化,且因此防止附著膜的剝離而免於諸如膜厚度分佈的劣化之任何缺點,其可能由於遮蔽尺寸的增大而發生。
简体摘要：本发明的发明人实施测试且发现到,为了防止附着膜的剥离,曲率半径设置等于或大于预定临界値并没有实质的重要性。本发明的发明人亦发现到,附着膜的剥离发生于曲率半径改变之区域且在屏蔽的曲率变化小时较不可能发生。因此,问题的关键系屏蔽之曲率变化的大小,因而逐步改变曲率使其可能抑制大的曲率变化,且因此防止附着膜的剥离而免于诸如膜厚度分布的劣化之任何缺点,其可能由于屏蔽尺寸的增大而发生。

90. 发明专利

TW201125017A 真空加熱冷卻裝置及磁性電阻元件之製造方法审中-公开
简体标题：真空加热冷却设备及磁性电阻组件之制造方法
公开(公告)号：TW201125017A
公开(公告)日：2011-07-16
申请号：TW099116676
申请日：2010-05-25
申请人：佳能安內華股份有限公司
发明人：恆川孝二 , 永峰佳紀 , 古川真司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6719 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L43/12
摘要：本發明係提供，可以於成膜處理後，在繼續維持高真空度之情形下，只針對基板進行急速加熱及急速冷卻之真空加熱冷卻裝置。本發明之一實施形態之真空加熱冷卻裝置，係具備：真空腔室(1)、放射加熱光之鹵素燈(2)、供上述加熱光入射至真空腔室(1)之石英窗(3)、具有冷卻機能之基板支撐台(9)、以及使基板(5)靜止於加熱位置(P3)及冷卻位置(P1)且使基板(5)於加熱位置(P3)及冷卻位置(P1)間移動之升降銷(13)。
简体摘要：本发明系提供，可以于成膜处理后，在继续维持高真空度之情形下，只针对基板进行急速加热及急速冷却之真空加热冷却设备。本发明之一实施形态之真空加热冷却设备，系具备：真空腔室(1)、放射加热光之卤素灯(2)、供上述加热光入射至真空腔室(1)之石英窗(3)、具有冷却机能之基板支撑台(9)、以及使基板(5)静止于加热位置(P3)及冷却位置(P1)且使基板(5)于加热位置(P3)及冷却位置(P1)间移动之升降销(13)。

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