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71. 发明专利

TW564549B 半導體裝置和該製造方法有权
简体标题：半导体设备和该制造方法
公开(公告)号：TW564549B
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW091116494
申请日：2002-07-24
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人： 本泰洋 , 小勝則 , 鳥居和功 , 平谷正彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02266 , H01L21/02323 , H01L21/02329 , H01L21/02337 , H01L21/28061 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3141 , H01L21/3143 , H01L21/31612 , H01L21/3162 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L28/56 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/665 , H01L29/66545
摘要：本發明是有關一種半導體裝置和該製造方法，對於閘絕緣膜膜厚為SiO2換算膜厚2nm以下時，取代習知的 SiO2膜必需應用高介電質膜，來實現抑制泄放電流抑制和薄膜化兩者。但是習知技術所製作的閘絕緣膜會因固定電荷發生引發臨限值電壓偏移，或因移動度劣化引發降低汲極電流的問題。
解決手段：在Si基板(多結晶矽閘極)和高介電質絕緣膜界面形成0.5nm以上的SiO2膜，令SiO2膜形成溫度為後工程的熱處理溫度以上。
其效果只要按本發明，與習知的SiO2膜相比，泄放電流抑制在1/100以下，就能製造出不會發生固定電荷和移動度劣化之具有SiO2換算膜厚2nm以下的閘絕緣膜的場效電晶體。就是能夠實現微細場效電晶體的低耗電量化、大電流化。
简体摘要：本发明是有关一种半导体设备和该制造方法，对于闸绝缘膜膜厚为SiO2换算膜厚2nm以下时，取代习知的 SiO2膜必需应用高介电质膜，来实现抑制泄放电流抑制和薄膜化两者。但是习知技术所制作的闸绝缘膜会因固定电荷发生引发临限值电压偏移，或因移动度劣化引发降低汲极电流的问题。解决手段：在Si基板(多结晶硅闸极)和高介电质绝缘膜界面形成0.5nm以上的SiO2膜，令SiO2膜形成温度为后工程的热处理温度以上。其效果只要按本发明，与习知的SiO2膜相比，泄放电流抑制在1/100以下，就能制造出不会发生固定电荷和移动度劣化之具有SiO2换算膜厚2nm以下的闸绝缘膜的场效应管。就是能够实现微细场效应管的低耗电量化、大电流化。

72. 发明专利

TW559923B 半導體積體電路裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体集成电路设备及其制造方法
公开(公告)号：TW559923B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091101664
申请日：2002-01-31
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：山本直樹 , 田邊義和 , 小粥敬成 , 吉田武彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4941 , H01L21/28044 , H01L21/28061 , H01L21/28176 , H01L21/28211 , H01L21/28556 , H01L21/324 , H01L27/10814 , H01L27/10873 , H01L27/10894
摘要：本發明係提供一種半導體積體電路裝置之製造方法，係在多結晶矽膜與高熔點金屬之間介存有包含阻障層之3層構造所組成之多金屬(Polymetal)構造之閘極中，防止高熔點金屬與多結晶矽膜之界面接觸電阻的增加。在包含高濃度氮氣之環境中進行構成具有多金屬構造之閘極7A之阻障層之WNx膜24之成膜，藉以抑制在閘極7A加工後之熱處理步驟中，從WNx膜24中放出N(氮)者。
简体摘要：本发明系提供一种半导体集成电路设备之制造方法，系在多结晶硅膜与高熔点金属之间介存有包含阻障层之3层构造所组成之多金属(Polymetal)构造之闸极中，防止高熔点金属与多结晶硅膜之界面接触电阻的增加。在包含高浓度氮气之环境中进行构成具有多金属构造之闸极7A之阻障层之WNx膜24之成膜，借以抑制在闸极7A加工后之热处理步骤中，从WNx膜24中放出N(氮)者。

73. 发明专利

TW540111B 製作半導體裝置之方法有权
简体标题：制作半导体设备之方法
公开(公告)号：TW540111B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW091109534
申请日：2002-05-08
申请人：摩托羅拉公司
发明人：金柏利G 瑞德 , 曾新煌 , 茱麗C H 張 , 約翰R 艾維斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02312 , H01L21/02337 , H01L21/28167 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/31662 , H01L29/518
摘要：本發明提供一種用以藉由氧化前引入低溫氨氣，而達成矽氧化的控制之技術。此結果為後續矽氧化為較慢氧化速率，並且為較高氮含量。此較高氮含量對於閘極介電質特別有用，因為其扮演著硼的障壁，並且提供抵抗不必要之氧化。結果為跨越晶圓上具有改良後均勻厚度閘極介電質之電晶體，以達成較緊密臨限電壓分佈，減少之臨限電壓偏移，以及改善之崩潰時間。
简体摘要：本发明提供一种用以借由氧化前引入低温氨气，而达成硅氧化的控制之技术。此结果为后续硅氧化为较慢氧化速率，并且为较高氮含量。此较高氮含量对于闸极介电质特别有用，因为其扮演着硼的障壁，并且提供抵抗不必要之氧化。结果为跨越晶圆上具有改良后均匀厚度闸极介电质之晶体管，以达成较紧密临限电压分布，减少之临限电压偏移，以及改善之崩溃时间。

74. 发明专利

TW527635B 單結晶晶圓及太陽電池胞有权
简体标题：单结晶晶圆及太阳电池胞
公开(公告)号：TW527635B
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：TW090116779
申请日：2001-07-09
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 伊藤辰夫 , 金谷晃一
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L21/28211 , C30B15/00 , C30B29/06 , H01L29/518 , H01L31/028 , H01L31/036 , Y02E10/547 , Y02P80/30
摘要：本發明係一種單結晶晶圓，其單結晶之主表面，係對於單結晶之(100)軸，於(011)方向具α(0°
简体摘要：本发明系一种单结晶晶圆，其单结晶之主表面，系对於单结晶之(100)轴，于(011)方向具α(0°<α<90°)，于(01－1)方向具β(0°<β<90°)，于(10－1)方向或(101)方向具γ(0°≦γ<45°)之倾斜角度之面或与该面成等值之面。借此，晶圆厚度即使薄因提供可耐于设备制程之单结晶晶圆所以可减少单结晶原料之损失。又，因利用这种晶圆可用低成本提供MIS型半导体设备或太阳电池胞(solar battery cell)。

75. 发明专利

TW508669B 垂直電晶體均勻閘極氧化物之製造方法失效
简体标题：垂直晶体管均匀闸极氧化物之制造方法
公开(公告)号：TW508669B
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW089125321
申请日：2001-03-13
申请人：印芬龍科技北美股份有限公司 , 國際商業機器股份有限公司
发明人：裘那坦E 伐特密 , 蘇亞納拉樣海格德 , 布萊恩S 李 , 巫立克古倫寧 , 喇加拉歐賈咪 , 赫慕特H 提窩斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28211 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L21/2822 , H01L21/28238 , H01L27/10864 , H01L27/10876 , H01L29/045 , H01L29/4236 , H01L29/66666 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , Y10S438/931
摘要：本發明係關於一種製造垂直電晶體之閘極氧化物的方法。在第一步驟中在基板中形成溝渠，該溝渠自基板之上表面延伸，且具有溝渠底部和溝渠側壁。該溝渠側壁包含晶面和晶面。其次，在該溝渠側壁上形成一具有均勻厚度之犧牲層。在形成犧牲層之後，將氮離子佈植穿透該犧牲層，使使氮離子植入該溝渠側壁之晶面，但不會植入該溝渠側壁之晶面。然後移除該犧牲層，及氧化該溝渠側壁，以形成該閘極氧化物。
简体摘要：本发明系关于一种制造垂直晶体管之闸极氧化物的方法。在第一步骤中在基板中形成沟渠，该沟渠自基板之上表面延伸，且具有沟渠底部和沟渠侧壁。该沟渠侧壁包含<100>晶面和<110>晶面。其次，在该沟渠侧壁上形成一具有均匀厚度之牺牲层。在形成牺牲层之后，将氮离子布植穿透该牺牲层，使使氮离子植入该沟渠侧壁之<110>晶面，但不会植入该沟渠侧壁之<100>晶面。然后移除该牺牲层，及氧化该沟渠侧壁，以形成该闸极氧化物。

76. 发明专利

TW505954B 具有包含金屬、矽及氧之絕緣膜之膜結構之閘絕緣膜結構之半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：具有包含金属、硅及氧之绝缘膜之膜结构之闸绝缘膜结构之半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW505954B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090105547
申请日：2001-03-09
申请人：東芝股份有限公司
发明人：綱島祥隆 , 犬宮誠治 , 水津康正 , 小澤良夫 , 宮野清孝 , 田中正幸
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/82345 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/31604 , H01L21/823462 , H01L21/823475 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545 , H01L29/6656
摘要：本發明申請且揭示一種半導體裝置，具有一閘極絕緣膜結構，其含有化合物形式之氮或氟，諸如金屬矽酸鹽、含有金屬、矽及氧；一閘極絕緣膜結構，具有一非晶形金屬氧化物薄膜與金屬矽酸鹽薄膜之層積結構；或一閘極絕緣薄膜結構，具有第一閘極絕緣薄膜，包括第一金屬元素之氧化物薄膜，及第二閘極絕緣薄膜，包括第二金屬元素之金屬矽酸鹽薄膜。
简体摘要：本发明申请且揭示一种半导体设备，具有一闸极绝缘膜结构，其含有化合物形式之氮或氟，诸如金属硅酸盐、含有金属、硅及氧；一闸极绝缘膜结构，具有一非晶形金属氧化物薄膜与金属硅酸盐薄膜之层积结构；或一闸极绝缘薄膜结构，具有第一闸极绝缘薄膜，包括第一金属元素之氧化物薄膜，及第二闸极绝缘薄膜，包括第二金属元素之金属硅酸盐薄膜。

77. 发明专利

TW495859B 防止閘極氧化層薄化之方法失效
简体标题：防止闸极氧化层薄化之方法
公开(公告)号：TW495859B
公开(公告)日：2002-07-21
申请号：TW090117931
申请日：2001-07-23
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司
发明人：張潔如 , 林才森 , 周崇勳 , 鍾逸夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28238 , C23C8/02 , C23C8/10 , C23C8/80 , H01L21/28211 , H01L21/3144 , H01L21/7621 , H01L29/518
摘要：本發明揭示一種防止閘極氧化層薄化之方法，適用於下凹(recess)式局部氧化矽(local oxidation silicon, LOCOS)製程之半導體元件，首先提供具有凹槽及主動區(active area, AA)的基底，接著在凹槽內形成場氧化層(field oxide, FOX)，接著在基底與場氧化層上形成一氧化薄層，厚度在100到200埃的範圍，之後通入氧氣與氮氣且氧氣對氮氣之流量比在0.5%到2%的範圍以防止氮分子與基底反應形成氮化矽而導致形成閘極氧化層時發生薄化(thinning)而影響半導體元件之電性。
简体摘要：本发明揭示一种防止闸极氧化层薄化之方法，适用于下凹(recess)式局部氧化硅(local oxidation silicon, LOCOS)制程之半导体组件，首先提供具有凹槽及主动区(active area, AA)的基底，接着在凹槽内形成场氧化层(field oxide, FOX)，接着在基底与场氧化层上形成一氧化薄层，厚度在100到200埃的范围，之后通入氧气与氮气且氧气对氮气之流量比在0.5%到2%的范围以防止氮分子与基底反应形成氮化硅而导致形成闸极氧化层时发生薄化(thinning)而影响半导体组件之电性。

78. 发明专利

TW466600B 半導體裝置之製造方法及半導體裝置失效
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW466600B
公开(公告)日：2001-12-01
申请号：TW087117541
申请日：1998-10-23
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：川崎洋司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28211 , H01L21/2822 , H01L21/823857 , H01L21/8249
摘要：本發明係提供一種可在半導體基板上，以高能量離子(iron)植入法所形成之井(welI)上構成之元件l閘極(gate)氧化膜中，將所含氧原子或晶格缺陷量，幾乎完全消除之半導體裝置的製造方法。將基板表面形成之墊膜(pad film)之膜種、膜厚、成膜條件，植入離子之離子價(valence)及植入能量(energy)，依照墊膜消除前或消除後之離子植入等製造條件，做適當組合。並視需要選定離子植入後之退火(annealving)條件及犧牲(sacrificial)氧化膜之成膜條件等，以製造高可靠性閘極氧化膜元件。
简体摘要：本发明系提供一种可在半导体基板上，以高能量离子(iron)植入法所形成之井(welI)上构成之组件l闸极(gate)氧化膜中，将所含氧原子或晶格缺陷量，几乎完全消除之半导体设备的制造方法。将基板表面形成之垫膜(pad film)之膜种、膜厚、成膜条件，植入离子之离子价(valence)及植入能量(energy)，依照垫膜消除前或消除后之离子植入等制造条件，做适当组合。并视需要选定离子植入后之退火(annealving)条件及牺牲(sacrificial)氧化膜之成膜条件等，以制造高可靠性闸极氧化膜组件。

79. 发明专利

TW460617B 去除半導體基底表面碳污染的方法失效
简体标题：去除半导体基底表面碳污染的方法
公开(公告)号：TW460617B
公开(公告)日：2001-10-21
申请号：TW087118501
申请日：1998-11-06
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：呂理彥 , 許堯凱
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01L21/02046 , H01L21/02052 , H01L21/28167 , H01L21/28211 , H01L21/31116 , H01L21/31662 , Y10S438/906 , Y10S438/974
摘要：一種去除半導體基底表面碳污染之方法，利用二氯乙烯與氧氣在高溫下，於半導體基底上形成一層犧牲氧化層，用以反應結合半導體基底表面上碳污染，接著再以稀釋過的氟化氫作為蝕刻劑去除此犧牲氧化層，並可一併去除晶片表面的碳污染，因而達到所需求的晶片表面潔淨度。利用本發明所提出之方法，可使後續所形成的氧化層具有較佳的品質，並可達到製程所需求的厚度。
简体摘要：一种去除半导体基底表面碳污染之方法，利用二氯乙烯与氧气在高温下，于半导体基底上形成一层牺牲氧化层，用以反应结合半导体基底表面上碳污染，接着再以稀释过的氟化氢作为蚀刻剂去除此牺牲氧化层，并可一并去除芯片表面的碳污染，因而达到所需求的芯片表面洁净度。利用本发明所提出之方法，可使后续所形成的氧化层具有较佳的品质，并可达到制程所需求的厚度。

80. 发明专利

TW439157B 溝渠閘極氧化層之形成方法有权
简体标题：沟渠闸极氧化层之形成方法
公开(公告)号：TW439157B
公开(公告)日：2001-06-07
申请号：TW088121607
申请日：1999-12-09
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司
发明人：鍾逸夫 , 張益馨 , 林平偉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28211 , H01L29/42368 , H01L29/512 , H01L29/66734 , H01L29/7813
摘要：一種改善溝渠閘極氧化層於溝渠底部角落偏薄的方法，如以下步驟:首先，提供一矽基板，並有一溝渠形成於其中。接著，施以高密度電漿化學氣相沉積法沉積一第一氧化層於溝渠之底部，隨後，施以一回蝕刻以使溝渠底部之第一氧化層保留一厚度。隨後，施以低壓化學氣相沉積法沉積一第二氧化層，再施以退火製程，然後，再施以等向性蝕刻以去除大部分第二氧化層，但留下溝渠之角落之小部分第二氧化層於第一氧化層上，因此溝渠底部之角落將圓滑化，最後，再施成熱氧化製程成形成第三氧化層於溝渠之側壁以做為閘極氧化層。
简体摘要：一种改善沟渠闸极氧化层于沟渠底部角落偏薄的方法，如以下步骤:首先，提供一硅基板，并有一沟渠形成于其中。接着，施以高密度等离子化学气相沉积法沉积一第一氧化层于沟渠之底部，随后，施以一回蚀刻以使沟渠底部之第一氧化层保留一厚度。随后，施以低压化学气相沉积法沉积一第二氧化层，再施以退火制程，然后，再施以等向性蚀刻以去除大部分第二氧化层，但留下沟渠之角落之小部分第二氧化层于第一氧化层上，因此沟渠底部之角落将圆滑化，最后，再施成热氧化制程成形成第三氧化层于沟渠之侧壁以做为闸极氧化层。

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