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1. 发明专利

TW447114B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW447114B
公开(公告)日：2001-07-21
申请号：TW088113639
申请日：1999-08-10
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：鳥居和功 , 三木浩史 , 藤崎芳久
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/56 , H01L21/28568 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L28/55 , H01L28/75
摘要：本發明之目的在於提供一種可防止層間絕緣膜與高強介電體膜之反應，且適宜於高積體化之微細記憶單元構造。在本發明中，其構造係於高強介電體膜71與層間絕緣膜32之間介入反應防止膜43，且擴散防止膜51之側壁乃不與高強介電體膜71直接接觸。藉此，可抑制層間絕緣膜32與高強介電體膜71之反應，且，可防止高強介電體膜71之剝離。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可防止层间绝缘膜与高强介电体膜之反应，且适宜于高积体化之微细记忆单元构造。在本发明中，其构造系于高强介电体膜71与层间绝缘膜32之间介入反应防止膜43，且扩散防止膜51之侧壁乃不与高强介电体膜71直接接触。借此，可抑制层间绝缘膜32与高强介电体膜71之反应，且，可防止高强介电体膜71之剥离。

2. 发明专利

TW413925B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW413925B
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：TW088107249
申请日：1999-05-04
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：鳥居和功 , 嵨本泰洋 , 三木浩史 , 亞伯德拉法惠子 , 藤崎芳久
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/7687 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L27/10894 , H01L28/75
摘要：本發明有關於半導體裝置及其製造方法。特別是有關於使用強電介質薄膜之元件特別是在L S I上合宜之分極反轉型不揮發性存儲器或D R A M之電容器。本發明之要點乃.將位於下部電極之底面，與連結下部電極之開關用電晶體之一方之擴散層之間之擴散防止層，自己整合地予以形成。
由而由於使用偽膜來形成孔圖樣，因此不會發生側溝槽，因此在存儲器部接觸塞與擴散防止層之間，發生對台之偏差時.存儲器部接觸塞與高電介率電介體膜不致於直接接觸，可獲得可靠性高之元件也。
简体摘要：本发明有关于半导体设备及其制造方法。特别是有关于使用强电介质薄膜之组件特别是在L S I上合宜之分极反转型不挥发性存储器或D R A M之电容器。本发明之要点乃.将位于下部电极之底面，与链接下部电极之开关用晶体管之一方之扩散层之间之扩散防止层，自己集成地予以形成。由而由于使用伪膜来形成孔图样，因此不会发生侧沟槽，因此在存储器部接触塞与扩散防止层之间，发生对台之偏差时.存储器部接触塞与高电介率电介体膜不致于直接接触，可获得可靠性高之组件也。

3. 发明专利

TW564549B 半導體裝置和該製造方法有权
简体标题：半导体设备和该制造方法
公开(公告)号：TW564549B
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW091116494
申请日：2002-07-24
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人： 本泰洋 , 小勝則 , 鳥居和功 , 平谷正彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02266 , H01L21/02323 , H01L21/02329 , H01L21/02337 , H01L21/28061 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L21/3141 , H01L21/3143 , H01L21/31612 , H01L21/3162 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L28/56 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/665 , H01L29/66545
摘要：本發明是有關一種半導體裝置和該製造方法，對於閘絕緣膜膜厚為SiO2換算膜厚2nm以下時，取代習知的 SiO2膜必需應用高介電質膜，來實現抑制泄放電流抑制和薄膜化兩者。但是習知技術所製作的閘絕緣膜會因固定電荷發生引發臨限值電壓偏移，或因移動度劣化引發降低汲極電流的問題。
解決手段：在Si基板(多結晶矽閘極)和高介電質絕緣膜界面形成0.5nm以上的SiO2膜，令SiO2膜形成溫度為後工程的熱處理溫度以上。
其效果只要按本發明，與習知的SiO2膜相比，泄放電流抑制在1/100以下，就能製造出不會發生固定電荷和移動度劣化之具有SiO2換算膜厚2nm以下的閘絕緣膜的場效電晶體。就是能夠實現微細場效電晶體的低耗電量化、大電流化。
简体摘要：本发明是有关一种半导体设备和该制造方法，对于闸绝缘膜膜厚为SiO2换算膜厚2nm以下时，取代习知的 SiO2膜必需应用高介电质膜，来实现抑制泄放电流抑制和薄膜化两者。但是习知技术所制作的闸绝缘膜会因固定电荷发生引发临限值电压偏移，或因移动度劣化引发降低汲极电流的问题。解决手段：在Si基板(多结晶硅闸极)和高介电质绝缘膜界面形成0.5nm以上的SiO2膜，令SiO2膜形成温度为后工程的热处理温度以上。其效果只要按本发明，与习知的SiO2膜相比，泄放电流抑制在1/100以下，就能制造出不会发生固定电荷和移动度劣化之具有SiO2换算膜厚2nm以下的闸绝缘膜的场效应管。就是能够实现微细场效应管的低耗电量化、大电流化。

4. 发明专利

TW561618B 絕緣閘型場效電晶體,半導體裝置及絕緣閘型場效電晶體的製造方法失效
简体标题：绝缘闸型场效应管,半导体设备及绝缘闸型场效应管的制造方法
公开(公告)号：TW561618B
公开(公告)日：2003-11-11
申请号：TW091110534
申请日：2002-05-20
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：齋藤慎一 , 鳥居和功 , 尾內享裕 , 峰利之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L21/28017 , H01L21/28061 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L29/4916 , H01L29/4925 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545
摘要：【課題】
閘極絕緣膜的膜厚為SiO2換算膜厚2nm以下的話，起因於閘極絕緣膜的膜厚誤差的遷移率的劣化顯在化，被極電流降低。為了次世代高性能場效電晶體的實用化，必須抑制遷移率的劣化，作成與現在被實用化的遷移率的值同程度。【解決手段】
在微細場效電晶體中，以原子標度控制閘極絕緣膜與閘電極的界面的凹凸。藉由降低閘極絕緣膜的膜厚誤差，製造高遷移率的場效電晶體。閘極絕緣膜不限於習知的 SiO2熱氧化膜，當使用高介電常數的材料時也能達成場效電晶體的高遷移率化。
简体摘要：【课题】闸极绝缘膜的膜厚为SiO2换算膜厚2nm以下的话，起因于闸极绝缘膜的膜厚误差的迁移率的劣化显在化，被极电流降低。为了次世代高性能场效应管的实用化，必须抑制迁移率的劣化，作成与现在被实用化的迁移率的值同程度。【解决手段】在微细场效应管中，以原子标度控制闸极绝缘膜与闸电极的界面的凹凸。借由降低闸极绝缘膜的膜厚误差，制造高迁移率的场效应管。闸极绝缘膜不限于习知的 SiO2热氧化膜，当使用高介电常数的材料时也能达成场效应管的高迁移率化。

5. 发明专利

TW343376B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW343376B
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：TW086110808
申请日：1997-07-29
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：三木浩史 , 平谷正彥 , 松井裕一 , 鳥居和功 , 櫛田惠子
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/40
摘要：本發明係有關將氧化物介電質呈電容器之半導體裝置及其製造方法，以抑制電容器下部電極之界面氧化者。經下部電極層１１，該上之導電性氧化物層１６、該上部之上部電極層１７，構成氧化物介電質電容器者。下部電極１１係包含２層導電性氧化物層１２，此鄰接２層１４和１５係自同一結晶構造及元素所構成。基板側１０之層１４係包含缺氧。包含缺氧之導電性氧化物層１４則做為擴散防止層加以工作之故，鄰接此之下部電極的構成要素１３及該界面係抑挖氧化，保障良好之電氣性接觸。
简体摘要：本发明系有关将氧化物介电质呈电容器之半导体设备及其制造方法，以抑制电容器下部电极之界面氧化者。经下部电极层１１，该上之导电性氧化物层１６、该上部之上部电极层１７，构成氧化物介电质电容器者。下部电极１１系包含２层导电性氧化物层１２，此邻接２层１４和１５系自同一结晶构造及元素所构成。基板侧１０之层１４系包含缺氧。包含缺氧之导电性氧化物层１４则做为扩散防止层加以工作之故，邻接此之下部电极的构成要素１３及该界面系抑挖氧化，保障良好之电气性接触。

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