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1. 发明专利

TW201113936A 閘極結構之製造方法 METHOD FOR FABRICATING A GATE STRUCTURE 审中-公开
简体标题：闸极结构之制造方法 METHOD FOR FABRICATING A GATE STRUCTURE
公开(公告)号：TW201113936A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW099133479
申请日：2010-10-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：葉明熙 , 黃益成 , 徐帆毅 , 歐陽暉
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/2822 , H01L29/51 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要：一種閘極結構之製造方法,包括:於一基板上依序沈積與圖案化一假氧化物層與一假閘極電極層;使一含氮介電層與一層間介電層環繞該假氧化物層與該假閘極電極層;移除該假閘極電極層;於一第一溫度下,暴露該假氧化物層之一表面於含氨氣與含氟化合物之一氣態混合物中,以移除該假氧化物層;加熱該基板至高於該第一溫度之一第二溫度,以於該含氮介電層內形成一開口;沈積一閘極介電物;以及沈積一閘極電極。
简体摘要：一种闸极结构之制造方法,包括:于一基板上依序沉积与图案化一假氧化物层与一假闸极电极层;使一含氮介电层与一层间介电层环绕该假氧化物层与该假闸极电极层;移除该假闸极电极层;于一第一温度下,暴露该假氧化物层之一表面于含氨气与含氟化合物之一气态混合物中,以移除该假氧化物层;加热该基板至高于该第一温度之一第二温度,以于该含氮介电层内形成一开口;沉积一闸极介电物;以及沉积一闸极电极。

2. 发明专利

TW536744B 改良超薄閘式介電體之電漿氮化作用之方法失效
简体标题：改良超薄闸式介电体之等离子氮化作用之方法
公开(公告)号：TW536744B
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：TW091104585
申请日：2002-03-12
申请人：萬國商業機器公司
发明人：穆凱希V 哈瑞 , 克里斯托夫P 迪艾米克 , 湯瑪斯T 黃 , 保羅C 傑米森 , J J 崑禮文 , 貝絲A 瓦德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/518 , H01L21/28202 , H01L21/2822 , H01L21/3144
摘要：一種形成積體電路裝置用之閘式介電體之方法。在本發明之一範例的具體實施例中，此方法包括在基材材料上形成起始氧氮化物層，此氧氮化物層具有一起始物理厚度。接著使起始氧氮化物層進行電漿氮化作用，電漿氮化作用產生具有一最終物理厚度之最終氧氮化物層。
简体摘要：一种形成集成电路设备用之闸式介电体之方法。在本发明之一范例的具体实施例中，此方法包括在基材材料上形成起始氧氮化物层，此氧氮化物层具有一起始物理厚度。接着使起始氧氮化物层进行等离子氮化作用，等离子氮化作用产生具有一最终物理厚度之最终氧氮化物层。

3. 发明专利

TW328147B 半導體裝置之製造失效
简体标题：半导体设备之制造
公开(公告)号：TW328147B
公开(公告)日：1998-03-11
申请号：TW086104621
申请日：1997-04-10
申请人：朗訊科技公司
发明人：派拉迪庫瑪羅伊
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L21/28202 , H01L21/2822 , H01L29/518
摘要：本發明係揭示一種在MOSFET中用以摻雜聚矽閘極材料以防止摻雜劑之擴散穿透之方法。在閘極氧化層生長之前，將原子氮導入基板內，稍後氮向上擴散進入閘極氧化層中，並阻斷隨後離子植入之閘極摻雜劑免於穿透到基板。
简体摘要：本发明系揭示一种在MOSFET中用以掺杂聚硅闸极材料以防止掺杂剂之扩散穿透之方法。在闸极氧化层生长之前，将原子氮导入基板内，稍后氮向上扩散进入闸极氧化层中，并阻断随后离子植入之闸极掺杂剂免于穿透到基板。

4. 发明专利

TW201605045A 半導體器件以及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体器件以及其制造方法
公开(公告)号：TW201605045A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104122461
申请日：2015-07-13
申请人：東部高科股份有限公司 , DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：金東昔 , KIM, DONG SEOK , 李政官 , LEE, JEONG GWAN
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/06 , H01L21/335
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/26506 , H01L21/28211 , H01L21/2822 , H01L21/28238 , H01L21/823418 , H01L21/823462 , H01L29/42368 , H01L29/6659 , H01L29/66659 , H01L29/7833 , H01L29/7835
摘要：本發明公開了一種半導體器件及其製造方法。半導體器件包括基板以及形成在基板上的MOS電晶體。MOS電晶體包括在基板上形成的第一閘極絕緣層，在第一閘極絕緣層的一側上形成並且厚度大於第一閘極絕緣層的第二閘極絕緣層，在第一閘極絕緣層和第二閘極絕緣層上形成的閘極，鄰近第一閘極絕緣層的源區，以及鄰近第二閘極絕緣層的漏區。
简体摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括基板以及形成在基板上的MOS晶体管。MOS晶体管包括在基板上形成的第一闸极绝缘层，在第一闸极绝缘层的一侧上形成并且厚度大于第一闸极绝缘层的第二闸极绝缘层，在第一闸极绝缘层和第二闸极绝缘层上形成的闸极，邻近第一闸极绝缘层的源区，以及邻近第二闸极绝缘层的漏区。

5. 发明专利

TWI508189B 閘極堆疊形成期間於高介電閘極介電層中鈍化點缺陷有权
简体标题：闸极堆栈形成期间于高介电闸极介电层中钝化点缺陷
公开(公告)号：TWI508189B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW102104162
申请日：2013-02-04
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：艾爾班艾爾凱 , ERBEN, ELKE , 特瑞史奇馬丁 , TRENTZSCH, MARTIN , 卡特瑞奇J , CARTER, RICHARD J.
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/316
CPC分类号： H01L29/517 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/28194 , H01L21/2822 , H01L29/513

6. 发明专利

TWI421922B 閘極結構之製造方法有权
简体标题：闸极结构之制造方法
公开(公告)号：TWI421922B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW099133479
申请日：2010-10-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：葉明熙 , YEH, MATT , 黃益成 , HUANG, YI CHEN , 徐帆毅 , HSU, FAN YI , 歐陽暉 , OUYANG, HUI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L21/2822 , H01L29/51 , H01L29/6659 , H01L29/7833

7. 发明专利

TWI327754B 閘氧化層之製備方法 METHOD FOR PREPARING GATE OXIDE LAYER 有权
简体标题：闸氧化层之制备方法 METHOD FOR PREPARING GATE OXIDE LAYER
公开(公告)号：TWI327754B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：TW095100262
申请日：2006-01-04
申请人：茂德科技股份有限公司
发明人：陳中怡 , 朱志勳 , 周志文
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/7621 , H01L21/28211 , H01L21/2822 , H01L21/28238 , H01L21/76213
摘要：一種閘氧化層製備方法首先形成至少二溝渠於一基板之中，該二溝渠之間形成一主動區域。之後，形成介電區塊於該溝渠之中，該介電區塊之上表面不對齊該基板之上表面。接著，進行一摻雜製程，將一含氮摻質植入該主動區域之基板中，該主動區域中心處之基板內的含氮摻質濃度高於該主動區域邊緣處。然後，進行一熱氧化製程以形成一閘氧化層於該主動區域之基板的上表面。藉由該含氮摻質抑制熱氧化反應速率，即可避免該主動區域邊緣處之閘氧化層厚度小於該主動區域中心處之閘氧化層厚度的情形發生。
简体摘要：一种闸氧化层制备方法首先形成至少二沟渠于一基板之中，该二沟渠之间形成一主动区域。之后，形成介电区块于该沟渠之中，该介电区块之上表面不对齐该基板之上表面。接着，进行一掺杂制程，将一含氮掺质植入该主动区域之基板中，该主动区域中心处之基板内的含氮掺质浓度高于该主动区域边缘处。然后，进行一热氧化制程以形成一闸氧化层于该主动区域之基板的上表面。借由该含氮掺质抑制热氧化反应速率，即可避免该主动区域边缘处之闸氧化层厚度小于该主动区域中心处之闸氧化层厚度的情形发生。

8. 发明专利

TW200625467A 閘極氧化膜之製造方法 MANUFACTURING METHOD OF GATE OXIDATION FILMS 失效
简体标题：闸极氧化膜之制造方法 MANUFACTURING METHOD OF GATE OXIDATION FILMS
公开(公告)号：TW200625467A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094119145
申请日：2005-06-09
申请人：山葉股份有限公司 YAMAHA CORPORATION
发明人：高見秀誠 TAKAMI, SYUUSEI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02299 , H01L21/2822 , H01L21/31662 , H01L21/823462
摘要：本發明揭示一種閘極氧化膜之製造方法。在基板上形成場絕緣膜12後，形成犧牲氧化膜或閘極氧化膜作為氧化膜14a與氧化膜14b。在元件孔12a中使用抗蝕層16作為遮罩，經由氧化膜14a進行一或複數個植入氬(或氟化物)離子的程序，即可形成離子植入層18。在使用氧化膜14a與氧化膜14b作為犧牲氧化膜時，在移除抗蝕膜16及氧化膜14a與氧化膜14b後，在元件孔12a與元件孔12b中形成閘極氧化膜。在使用氧化膜14a與氧化膜14b作為閘極氧化膜時，氧化膜藉由蝕刻薄化一次，然後，在移除抗蝕層16後變厚。藉由形成離子植入層18，閘極氧化膜14a將比閘極氧化膜14b厚。
简体摘要：本发明揭示一种闸极氧化膜之制造方法。在基板上形成场绝缘膜12后，形成牺牲氧化膜或闸极氧化膜作为氧化膜14a与氧化膜14b。在组件孔12a中使用抗蚀层16作为遮罩，经由氧化膜14a进行一或复数个植入氩(或氟化物)离子的进程，即可形成离子植入层18。在使用氧化膜14a与氧化膜14b作为牺牲氧化膜时，在移除抗蚀膜16及氧化膜14a与氧化膜14b后，在组件孔12a与组件孔12b中形成闸极氧化膜。在使用氧化膜14a与氧化膜14b作为闸极氧化膜时，氧化膜借由蚀刻薄化一次，然后，在移除抗蚀层16后变厚。借由形成离子植入层18，闸极氧化膜14a将比闸极氧化膜14b厚。

9. 发明专利

TW200540991A 使用氮化鋁膜製造半導體裝置之閘極電極的方法 METHOD FOR MANUFACTURING GATE ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING ALUMINIUM NITRIDE FILM 审中-公开
简体标题：使用氮化铝膜制造半导体设备之闸极电极的方法 METHOD FOR MANUFACTURING GATE ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING ALUMINIUM NITRIDE FILM
公开(公告)号：TW200540991A
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：TW093137685
申请日：2004-12-07
申请人：海力士半導體股份有限公司 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人：李泰赫 LEE, TAE HYEOK , 張準洙 CHANG, JUN SOO , 朴東洙 PARK, DONG SU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/518 , H01L21/28185 , H01L21/28202 , H01L21/2822 , H01L21/823437
摘要：本發明揭示一種使用氮化鋁膜製造半導體裝置之閘極電極的方法，該方法包括：清潔一半導體基板的一表面；氮化該基板之該表面；在一半導體基板之該表面上形成包括一氮化鋁膜的一閘極介電膜；在該閘極介電膜上沈積一閘極導電層與一硬遮罩層；以及蝕刻該硬遮單層、該閘極導電層與該閘極介電膜，以形成一閘極電極。
简体摘要：本发明揭示一种使用氮化铝膜制造半导体设备之闸极电极的方法，该方法包括：清洁一半导体基板的一表面；氮化该基板之该表面；在一半导体基板之该表面上形成包括一氮化铝膜的一闸极介电膜；在该闸极介电膜上沉积一闸极导电层与一硬遮罩层；以及蚀刻该硬遮单层、该闸极导电层与该闸极介电膜，以形成一闸极电极。

10. 发明专利

TW525217B 介電體膜及其形成方法,半導體裝置,非揮發性半導體裝置,及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：介电体膜及其形成方法,半导体设备,非挥发性半导体设备,及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW525217B
公开(公告)日：2003-03-21
申请号：TW090132509
申请日：2001-12-27
申请人：大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 須川成利 , 平山昌樹 , 白井泰雪
IPC分类号： H01B , H01L
CPC分类号： H01L21/28202 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02249 , H01L21/02252 , H01L21/02315 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28211 , H01L21/2822 , H01L21/30604 , H01L21/3144 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , H01L21/823462 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11568 , H01L27/12 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L29/78645
摘要：本發明係於以矽為基體之電晶體至含複數個電容之半導體裝置之成膜方法中，於前述矽表面至少一部分預先有氫存在，將前述矽表面曝露於第1惰性氣體之電漿中除去前述氫再產生第2惰性氣體與一種至數種氣體分子之混合氣體的電漿，於前述矽基體表面形成矽化合物層，其係含有構成前述氣體分子之元素之至少一部分者。
简体摘要：本发明系于以硅为基体之晶体管至含复数个电容之半导体设备之成膜方法中，于前述硅表面至少一部分预先有氢存在，将前述硅表面曝露于第1惰性气体之等离子中除去前述氢再产生第2惰性气体与一种至数种气体分子之混合气体的等离子，于前述硅基体表面形成硅化合物层，其系含有构成前述气体分子之元素之至少一部分者。

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