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71. 发明专利

TWI540668B 基板處理裝置、基板裝置之運用方法及記憶媒體有权
简体标题：基板处理设备、基板设备之运用方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI540668B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW102143762
申请日：2013-11-29
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：森川勝洋 , MORIKAWA, KATSUHIRO , 須中郁雄 , SUNAKA, IKUO
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683
CPC分类号： G01N21/88 , H01L21/67265 , H01L21/67326 , H01L21/67346 , H01L21/67733 , H01L21/67772 , H01L21/67775

72. 发明专利

TW201612504A 檢查裝置及檢查方法审中-公开
简体标题：检查设备及检查方法
公开(公告)号：TW201612504A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104119946
申请日：2015-06-22
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：永田泰史 , NAGATA, YASUSHI , 佐佐泰志 , SASA, YASUSHI
IPC分类号： G01N21/95
CPC分类号： G01N21/8851 , G01N21/88 , G01N21/956 , G01N21/95607 , G01N21/95684 , G01N2021/8864 , G01N2021/8887 , G06T7/0002 , G06T7/001
摘要：將根據攝影圖像各像素之值及參考圖像所對應像素之值的差值來檢出之第1缺陷候補區域、與根據攝影圖像各像素之值及參考圖像所對應像素之值的比值來檢出之第2缺陷候補區域中重複之區域作為缺陷區域來檢出。藉此，可抑制假缺陷的檢出，而精度良好地檢測出缺陷。優選之缺陷檢測部(62)，係在搖晃比較部(623)根據攝影圖像與參考圖像之間像素值的差值來檢出缺陷候補區域，並使在減低誤報處理部(629)用以求取上述比值之像素被限制為包含於該缺陷候補區域之像素。藉此，可效率良好地檢測出缺陷。
简体摘要：将根据摄影图像各像素之值及参考图像所对应像素之值的差值来检出之第1缺陷候补区域、与根据摄影图像各像素之值及参考图像所对应像素之值的比值来检出之第2缺陷候补区域中重复之区域作为缺陷区域来检出。借此，可抑制假缺陷的检出，而精度良好地检测出缺陷。优选之缺陷检测部(62)，系在摇晃比较部(623)根据摄影图像与参考图像之间像素值的差值来检出缺陷候补区域，并使在减低误报处理部(629)用以求取上述比值之像素被限制为包含于该缺陷候补区域之像素。借此，可效率良好地检测出缺陷。

73. 发明专利

TW201543865A 光學裝置及用於校正光學裝置之方法审中-公开
简体标题：光学设备及用于校正光学设备之方法
公开(公告)号：TW201543865A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104111086
申请日：2015-04-07
申请人：奧寶科技股份有限公司 , ORBOTECH LTD.
发明人：枸德尤里 , GOLD, URI , 歐恩瑞 , ORON, RAM
IPC分类号： H04N1/04
CPC分类号： G06T7/004 , G01N21/88 , G03F7/00 , G03F7/70383 , G03F7/70516 , G06T7/0004 , G06T7/521 , G06T7/80 , G06T2207/30164
摘要：一種光學裝置包含一固持一工件之架座。一由複數個光學頭形成之陣列將各自輻射圖案投射至該工件上。一校正總成擷取該等各自圖案之影像。一上面安裝有該校正總成之運動總成在該等光學頭之該陣列與該架座間之複數個不同位置之間輸送該校正總成，以在各該不同位置處對一由該等光學頭其中之一不同者投射之各自圖案進行攔截及成像。一處理器處理由該校正總成在該等不同位置處擷取之該等影像，以監視該裝置之運作。
简体摘要：一种光学设备包含一固持一工件之架座。一由复数个光学头形成之数组将各自辐射图案投射至该工件上。一校正总成截取该等各自图案之影像。一上面安装有该校正总成之运动总成在该等光学头之该数组与该架座间之复数个不同位置之间输送该校正总成，以在各该不同位置处对一由该等光学头其中之一不同者投射之各自图案进行拦截及成像。一处理器处理由该校正总成在该等不同位置处截取之该等影像，以监视该设备之运作。

74. 发明专利

TW201530803A 舉離方法审中-公开
简体标题：举离方法
公开(公告)号：TW201530803A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103142144
申请日：2014-12-04
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：森數洋司 , MORIKAZU, HIROSHI , 小柳將 , KOYANAGI, TASUKU , 田畑晉 , TABATA, SHIN
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , G01N21/88 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/3013
摘要：本發明提供一種舉離方法。課題為，可以在不使光裝置之品質降低的情形下，確實地剝離磊晶基板。解決手段為，將在磊晶基板的表面上透過緩衝層而積層有光裝置層之光裝置晶圓的光裝置層，移換到移設基板的舉離方法，其包含：複合基板形成步驟，透過接合劑在光裝置晶圓的光裝置層之表面上接合移設基板以形成複合基板；緩衝層破壞步驟，從複合基板之磊晶基板的背面側對緩衝層照射，對磊晶基板具有穿透性且對緩衝層具吸收性之波長的雷射光線，破壞緩衝層；及光裝置層移設步驟，將實施過緩衝層破壞步驟之複合基板的磊晶基板剝離，將光裝置層移設到移設基板。且緩衝層破壞步驟是，加熱複合基板以緩和於磊晶基板與移設基板之間產生的回彈，而將雷射光線照射在緩衝層上。
简体摘要：本发明提供一种举离方法。课题为，可以在不使光设备之品质降低的情形下，确实地剥离磊晶基板。解决手段为，将在磊晶基板的表面上透过缓冲层而积层有光设备层之光设备晶圆的光设备层，移换到移设基板的举离方法，其包含：复合基板形成步骤，透过接合剂在光设备晶圆的光设备层之表面上接合移设基板以形成复合基板；缓冲层破坏步骤，从复合基板之磊晶基板的背面侧对缓冲层照射，对磊晶基板具有穿透性且对缓冲层具吸收性之波长的激光光线，破坏缓冲层；及光设备层移设步骤，将实施过缓冲层破坏步骤之复合基板的磊晶基板剥离，将光设备层移设到移设基板。且缓冲层破坏步骤是，加热复合基板以缓和于磊晶基板与移设基板之间产生的回弹，而将激光光线照射在缓冲层上。

75. 发明专利

TW201448079A 偵測在晶圓上之缺陷审中-公开
简体标题：侦测在晶圆上之缺陷
公开(公告)号：TW201448079A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103108797
申请日：2014-03-12
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：黃軍秦 , HUANG, JUNQING , 高理升 , GAO, LISHENG
IPC分类号： H01L21/66 , G06T7/00
CPC分类号： G06T7/0004 , G01N21/88 , G01N21/8803 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N21/95607 , G01N2021/8825 , G06T7/0002 , G06T7/001 , G06T2207/10061 , G06T2207/20076 , G06T2207/30148
摘要：本發明提供用於偵測一晶圓上之缺陷之方法及系統。一種方法包含判定使用一檢驗系統之一第一光學模式所產生之用於一晶圓之第一輸出中之像素的差異值及判定使用該檢驗系統之一第二光學模式所產生之用於該晶圓之第二輸出中之像素的其他值。該第一光學模式及該第二光學模式彼此不同。該方法亦包含產生對應於該晶圓上之實質上相同定位之該第一輸出及該第二輸出中之該等像素的該等差異值，及該等其他值的一個二維散佈圖。該方法進一步包含基於該二維散佈圖來偵測該晶圓上之缺陷。
简体摘要：本发明提供用于侦测一晶圆上之缺陷之方法及系统。一种方法包含判定使用一检验系统之一第一光学模式所产生之用于一晶圆之第一输出中之像素的差异值及判定使用该检验系统之一第二光学模式所产生之用于该晶圆之第二输出中之像素的其他值。该第一光学模式及该第二光学模式彼此不同。该方法亦包含产生对应于该晶圆上之实质上相同定位之该第一输出及该第二输出中之该等像素的该等差异值，及该等其他值的一个二维散布图。该方法进一步包含基于该二维散布图来侦测该晶圆上之缺陷。

76. 发明专利

TW201425912A 檢查具有不規則凹凸表面之基板的裝置以及使用該裝置之方法审中-公开
简体标题：检查具有不守则凹凸表面之基板的设备以及使用该设备之方法
公开(公告)号：TW201425912A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102134449
申请日：2013-09-25
申请人：吉坤日礦日石能源股份有限公司 , JX NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION
发明人：佐藤祐輔 , SATO, YUSUKE , 西村涼 , NISHIMURA, SUZUSHI
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/958 , G01N21/956 , H01L51/50
CPC分类号： G01N21/956 , G01B11/30 , G01N21/4738 , G01N21/88 , G01N21/958 , G01N2201/062 , H01L22/12 , H01L51/5268 , H01L51/56
摘要：本發明係提供對具有凹凸表面的基板P進行檢查之裝置102，包括：對基板P照射第1檢測光的第1照射系統(114、116)；從經照射第1檢測光的基板之凹凸表面全體，進行輝度斑檢測的第1檢測系統(112)；將具有與第1檢測光不同波長的第2檢測光，照射於基板的第2照射系統(124、126)；以及對經第2檢測光照射的基板的凹凸表面，進行缺陷檢測的第2檢測系統(122)。本發明係提供針對具有不規則凹凸表面的基板之輝度斑及局部性圖案缺陷二者，能有效率且低成本進行檢查的檢查裝置及檢查方法。
简体摘要：本发明系提供对具有凹凸表面的基板P进行检查之设备102，包括：对基板P照射第1检测光的第1照射系统(114、116)；从经照射第1检测光的基板之凹凸表面全体，进行辉度斑检测的第1检测系统(112)；将具有与第1检测光不同波长的第2检测光，照射于基板的第2照射系统(124、126)；以及对经第2检测光照射的基板的凹凸表面，进行缺陷检测的第2检测系统(122)。本发明系提供针对具有不守则凹凸表面的基板之辉度斑及局部性图案缺陷二者，能有效率且低成本进行检查的检查设备及检查方法。

77. 发明专利

TW201337999A 電子轟擊電荷耦合裝置及使用電子轟擊電荷耦合裝置偵測器之檢測系統审中-公开
简体标题：电子轰击电荷耦合设备及使用电子轰击电荷耦合设备侦测器之检测系统
公开(公告)号：TW201337999A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101147031
申请日：2012-12-12
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：莊勇和艾力克斯 , CHUANG, YUNG-HO ALEX , 劉學峰 , LIU, XUEFENG , 費爾登約翰 , FIELDEN, JOHN , 布朗大衛L , BROWN, DAVID L.
IPC分类号： H01J31/26 , H01J29/46 , G01N21/47
CPC分类号： G01N21/88 , G01N21/9501 , G01N2021/8822 , G01N2021/95676 , H01J31/26 , H01L27/14806 , H01L27/14818 , H01L27/14856
摘要：本發明揭示一種聚焦電子轟擊電荷耦合裝置(EBCCD)，其包含定位於一光電陰極與一電荷耦合裝置(CCD)之間之一控制裝置。該控制裝置在其中具有複數個孔，其中該複數個孔經形成垂直於該光電陰極之一表面，且其中該複數個孔之一圖案係與該CCD中之像素之一圖案對齊。每一孔係藉由形成於該控制裝置面對該光電陰極之一表面上之至少一第一電極包圍。該控制裝置可包含該等孔之間之複數個脊部。該控制裝置可與該光電陰極分離達近似一CCD像素之一較短尺寸的一半或更小。可提供複數個第一電極，其中每一第一電極包圍一給定孔且藉由一間隙與該給定孔分離。
简体摘要：本发明揭示一种聚焦电子轰击电荷耦合设备(EBCCD)，其包含定位于一光电阴极与一电荷耦合设备(CCD)之间之一控制设备。该控制设备在其中具有复数个孔，其中该复数个孔经形成垂直于该光电阴极之一表面，且其中该复数个孔之一图案系与该CCD中之像素之一图案对齐。每一孔系借由形成于该控制设备面对该光电阴极之一表面上之至少一第一电极包围。该控制设备可包含该等孔之间之复数个嵴部。该控制设备可与该光电阴极分离达近似一CCD像素之一较短尺寸的一半或更小。可提供复数个第一电极，其中每一第一电极包围一给定孔且借由一间隙与该给定孔分离。

78. 发明专利

TW201337244A 氣袋偵測方法與系統审中-公开
简体标题：气袋侦测方法与系统
公开(公告)号：TW201337244A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101150220
申请日：2012-12-26
申请人： MEMC電子材料公司 , MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.
发明人：維利約翰F , VALLEY, JOHN F.
IPC分类号： G01N21/88 , G06T7/00
CPC分类号： G06T7/0002 , G01N21/00 , G01N21/59 , G01N21/88 , G01N21/9505 , G01N2021/5957 , G01N2021/8477 , G06F17/10 , G06T7/0004 , G06T7/68 , G06T2207/10048 , G06T2207/30148 , H01L22/12
摘要：本發明描述用於在偵測一單晶材料中之一氣袋中使用的方法及系統。一實例方法包含：提供包含複數個資料單元之一矩陣，該複數個資料單元包含關於該單晶材料之一關注區域的影像資料；藉由一處理器判定該矩陣之資料單元與該矩陣之一對應資料單元之間的一差，其中該對應資料單元係藉由該矩陣之一第一操作而界定；藉由該處理器基於該等對應資料單元之該等差來計算一第一指標值；並且基於該第一指標值及一預先判定之臨限值而識別該單晶材料內的一氣袋。
简体摘要：本发明描述用于在侦测一单晶材料中之一气袋中使用的方法及系统。一实例方法包含：提供包含复数个数据单元之一矩阵，该复数个数据单元包含关于该单晶材料之一关注区域的影像数据；借由一处理器判定该矩阵之数据单元与该矩阵之一对应数据单元之间的一差，其中该对应数据单元系借由该矩阵之一第一操作而界定；借由该处理器基于该等对应数据单元之该等差来计算一第一指针值；并且基于该第一指针值及一预先判定之临限值而识别该单晶材料内的一气袋。

79. 发明专利

TW201215881A 熱點之三維定位 THREE-DIMENSIONAL HOT SPOT LOCALIZATION 审中-公开
简体标题：热点之三维定位 THREE-DIMENSIONAL HOT SPOT LOCALIZATION
公开(公告)号：TW201215881A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW100119928
申请日：2011-06-08
申请人： DCG系統公司 , 社團法人福勞賀佛應用研究推廣協會
发明人：阿特曼法蘭克 , 施密特克里斯坦 , 施郎格魯道夫 , 德蘭賀維
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01J5/0066 , G01J2005/0077 , G01J2005/0085 , G01N1/00 , G01N21/35 , G01N21/88 , G01N25/00 , G01N2021/8461 , G01R31/311
摘要：本發明揭示一種非破壞性方法，以使用鎖相熱成像(Lock-in Thermograply,LIT)技術，對電子裝置架構中包藏的熱點作三維的定位。該三維的分析是基於熱波在不同材料層內傳播的原理，以及所得的相位偏移/熱學時間遲延而獲得。對於較為複雜的多層晶粒堆疊架構，要進行精確的熱點深度定位需先取得在不同激發頻率下多數的LIT量測結果。此外，使用多數以縮小的視野在該熱點位置上方量測所得的時間解析熱波形，可以加速資料取得。所得到的波形形狀可用來分析，以進一步提高偵測的正確性及信賴等級。
简体摘要：本发明揭示一种非破坏性方法，以使用锁相热成像(Lock-in Thermograply,LIT)技术，对电子设备架构中包藏的热点作三维的定位。该三维的分析是基于热波在不同材料层内传播的原理，以及所得的相位偏移/热学时间迟延而获得。对于较为复杂的多层晶粒堆栈架构，要进行精确的热点深度定位需先取得在不同激发频率下多数的LIT量测结果。此外，使用多数以缩小的视野在该热点位置上方量测所得的时间解析热波形，可以加速数据取得。所得到的波形形状可用来分析，以进一步提高侦测的正确性及信赖等级。

80. 发明专利

TW201005283A 偵測晶片內微裂之方法與系統 METHOD AND SYSTEM FOR DETECTING MICRO-CRACKS IN WAFERS 审中-公开
简体标题：侦测芯片内微裂之方法与系统 METHOD AND SYSTEM FOR DETECTING MICRO-CRACKS IN WAFERS
公开(公告)号：TW201005283A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098117189
申请日：2009-05-22
申请人：曾淑玲
发明人：曾淑玲
IPC分类号： G01N , H01L
CPC分类号： G01N21/9505 , G01N21/88 , G01N21/956 , G01R31/309 , H01L22/12 , H01L31/18 , H01L2924/0002 , H04N7/18 , H01L2924/00
摘要：一種檢測方法，包括：接收自一晶圓的一第一表面所發射出且實質上沿著一第一軸線行進之光線，而由此獲得該第一表面之一第一影像；前述晶圓於其內形成有一裂隙，且該第一影像係包含該裂隙之至少一部份。該檢測方法亦包括：接收自該晶圓之第一表面所發射出且實質上沿著一第二軸線行進之光線，而由此獲得該第一表面之一第二影像，其中該第二影像係包含該裂隙之至少一第二部分；該第一表面實質上延伸平行於一平面，且於該平面上之第一軸線的正投影係實質上與該平面上之第二軸線的正投影相互垂直。該檢測方法更包括：經由分別顯示有該裂隙之至少一第一部分之第一影像以及顯示該裂隙之至少一第二部分之第二影像以建構一第三影像。其中，該第三影像實質上係為可被處理為用於檢測該晶圓中之裂隙者。
简体摘要：一种检测方法，包括：接收自一晶圆的一第一表面所发射出且实质上沿着一第一轴线行进之光线，而由此获得该第一表面之一第一影像；前述晶圆于其内形成有一裂隙，且该第一影像系包含该裂隙之至少一部份。该检测方法亦包括：接收自该晶圆之第一表面所发射出且实质上沿着一第二轴线行进之光线，而由此获得该第一表面之一第二影像，其中该第二影像系包含该裂隙之至少一第二部分；该第一表面实质上延伸平行于一平面，且于该平面上之第一轴线的正投影系实质上与该平面上之第二轴线的正投影相互垂直。该检测方法更包括：经由分别显示有该裂隙之至少一第一部分之第一影像以及显示该裂隙之至少一第二部分之第二影像以建构一第三影像。其中，该第三影像实质上系为可被处理为用于检测该晶圆中之裂隙者。

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