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1. 发明专利

TW201405632A 用於準分子雷射退火處理之監測方法及裝置审中-公开
简体标题：用于准分子激光退火处理之监测方法及设备
公开(公告)号：TW201405632A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102122172
申请日：2013-06-21
申请人：科希倫激光有限兩合公司 , COHERENT LASERSYSTEMS GMBH & CO. KG
发明人：范德韋特保羅 , VAN DER WILT, PAUL
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/324
CPC分类号： C30B13/24 , B23K26/0084 , B23K26/0622 , B23K26/083 , C30B13/28 , C30B29/06 , G01N21/4788 , G01N21/8422 , G01N2021/8461 , G01N2021/8477 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L22/12
摘要：本發明揭露一種評價一矽層之方法，且該矽層係藉由以來自一準分子雷射之脈衝照射而結晶。該結晶在該結晶層上依據在該層已暴露於該等脈衝中之數目及能量密度產生週期特徵。以光照亮該層之一區域。配置一偵測器以偵測由該照亮區域繞射之光及由該偵測之繞射光決定該層已暴露於該等脈衝中之能量密度。
简体摘要：本发明揭露一种评价一硅层之方法，且该硅层系借由以来自一准分子激光之脉冲照射而结晶。该结晶在该结晶层上依据在该层已暴露于该等脉冲中之数目及能量密度产生周期特征。以光照亮该层之一区域。配置一侦测器以侦测由该照亮区域绕射之光及由该侦测之绕射光决定该层已暴露于该等脉冲中之能量密度。

2. 发明专利

TW200504352A 用於使用動態可程式光空間濾波之大型平面圖案媒體的高通量檢查之方法與裝置 METHOD AND APPARATUS FOR HIGH-THROUGHPUT INSPECTION OF LARGE FLAT PATTERNED MEDIA USING DYNAMICALLY PROGRAMMABLE OPTICAL SPATIAL FILTERING 审中-公开
简体标题：用于使用动态可进程光空间滤波之大型平面图案媒体的高通量检查之方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR HIGH-THROUGHPUT INSPECTION OF LARGE FLAT PATTERNED MEDIA USING DYNAMICALLY PROGRAMMABLE OPTICAL SPATIAL FILTERING
公开(公告)号：TW200504352A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093103932
申请日：2004-02-18
申请人：飛騰動力公司 PHOTON DYNAMICS, INC.
发明人：亞當威斯 WEISS, ADAM , 亞法薩莎蘭妮 SARANLI, AFSAR , 洛帕汀歐勒席 LOPATIN, OLEKSIY , 亞歷山大歐波特尼 OBOTNINE, ALEXANDRE
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N21/95623 , G01N21/21 , G01N2021/1772 , G01N2021/8477 , G01N2201/0612 , G01N2201/0675
摘要：本發明揭示一種在具有週期性結構之平面物體的一檢查系統中，在一遠心透鏡系統焦平面中所使用的可程式光學傅立葉濾波，以直接識別表示非週期性缺陷的實體現象。透鏡裝配件與一同調光學來源可用來產生及觀察傅立葉平面中一週期性結構之空間傅立葉變換。一電子可程式與電子可對準的空間調光器可用來在焦平面中執行光學傅立葉濾波(OFF)。具有高信號雜訊比的該空間調光器可根據一回饋驅動的濾波器構造與對準演算法進行電子重新設定。該OFF可增強該物體之傅立葉平面與最終影像平面中所存在的任何非週期性成分。具有複數個檢查通道的一系統可對具有非週期性小缺陷的物體提供高通量檢查，同時維持高度偵測靈敏度。
简体摘要：本发明揭示一种在具有周期性结构之平面物体的一检查系统中，在一远心透镜系统焦平面中所使用的可进程光学傅里叶滤波，以直接识别表示非周期性缺陷的实体现象。透镜装配件与一同调光学来源可用来产生及观察傅里叶平面中一周期性结构之空间傅里叶变换。一电子可进程与电子可对准的空间调光器可用来在焦平面中运行光学傅里叶滤波(OFF)。具有高信号噪声比的该空间调光器可根据一回馈驱动的滤波器构造与对准算法进行电子重新设置。该OFF可增强该物体之傅里叶平面与最终影像平面中所存在的任何非周期性成分。具有复数个检查信道的一系统可对具有非周期性小缺陷的物体提供高通量检查，同时维持高度侦测灵敏度。

3. 发明专利

TW201337244A 氣袋偵測方法與系統审中-公开
简体标题：气袋侦测方法与系统
公开(公告)号：TW201337244A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101150220
申请日：2012-12-26
申请人： MEMC電子材料公司 , MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.
发明人：維利約翰F , VALLEY, JOHN F.
IPC分类号： G01N21/88 , G06T7/00
CPC分类号： G06T7/0002 , G01N21/00 , G01N21/59 , G01N21/88 , G01N21/9505 , G01N2021/5957 , G01N2021/8477 , G06F17/10 , G06T7/0004 , G06T7/68 , G06T2207/10048 , G06T2207/30148 , H01L22/12
摘要：本發明描述用於在偵測一單晶材料中之一氣袋中使用的方法及系統。一實例方法包含：提供包含複數個資料單元之一矩陣，該複數個資料單元包含關於該單晶材料之一關注區域的影像資料；藉由一處理器判定該矩陣之資料單元與該矩陣之一對應資料單元之間的一差，其中該對應資料單元係藉由該矩陣之一第一操作而界定；藉由該處理器基於該等對應資料單元之該等差來計算一第一指標值；並且基於該第一指標值及一預先判定之臨限值而識別該單晶材料內的一氣袋。
简体摘要：本发明描述用于在侦测一单晶材料中之一气袋中使用的方法及系统。一实例方法包含：提供包含复数个数据单元之一矩阵，该复数个数据单元包含关于该单晶材料之一关注区域的影像数据；借由一处理器判定该矩阵之数据单元与该矩阵之一对应数据单元之间的一差，其中该对应数据单元系借由该矩阵之一第一操作而界定；借由该处理器基于该等对应数据单元之该等差来计算一第一指针值；并且基于该第一指针值及一预先判定之临限值而识别该单晶材料内的一气袋。

4. 发明专利

TW200406861A 結晶化狀態之原位置監測方法 METHOD FOR MONITORING IN -SITU CRYSTALLIZING STATE 审中-公开
简体标题：结晶化状态之原位置监测方法 METHOD FOR MONITORING IN -SITU CRYSTALLIZING STATE
公开(公告)号：TW200406861A
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW092118441
申请日：2003-07-07
申请人：液晶先端技術開發中心股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA EKISHO SENTAN GIJUTSU KAIHATSU CENTER
发明人：高見芳夫 YOSHIO TAKAMI
IPC分类号： H01L , G01N
CPC分类号： H01L21/02686 , C30B13/28 , G01N21/8422 , G01N2021/8477 , H01L21/2026 , H01L21/67115 , H01L21/67253 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種結晶化狀態之原位置(in–situ)監測方法及裝置，係在於能量線之照射區域中，對於從熔融變換到固化以及結晶化之位置能夠予以監測，而能將薄膜之結晶化狀態，以高時間分解能即時地進行正確監視。本發明結晶化狀態之原位置(in–situ)監測方法，係用於達成薄膜之結晶化以及結晶化促進之至少其中一方而進行能量線照射之雷射退火處理，其特徵為具備：在前述能量線照射之前、中間以及之後之至少中間或之後，將用以監視前述薄膜之結晶化狀態之監測光，直接地或透過前述基板，對具有前述薄膜之表面以及背面之至少其中一面之預定面積之區域之至少複數個監視用部位處，予以同時進行照射之監測光照射，並且將來自前述監測光之前述薄膜之前述表面或前述背面之反射光以及透過光之至少其中一方光之強度之時間性變化予以測量，以作為與前述監視用部位處之位置相關聯之光強度分布。
简体摘要：本发明提供一种结晶化状态之原位置(in–situ)监测方法及设备，系在于能量线之照射区域中，对于从熔融变换到固化以及结晶化之位置能够予以监测，而能将薄膜之结晶化状态，以高时间分解能实时地进行正确监视。本发明结晶化状态之原位置(in–situ)监测方法，系用于达成薄膜之结晶化以及结晶化促进之至少其中一方而进行能量线照射之激光退火处理，其特征为具备：在前述能量线照射之前、中间以及之后之至少中间或之后，将用以监视前述薄膜之结晶化状态之监测光，直接地或透过前述基板，对具有前述薄膜之表面以及背面之至少其中一面之预定面积之区域之至少复数个监视用部位处，予以同时进行照射之监测光照射，并且将来自前述监测光之前述薄膜之前述表面或前述背面之反射光以及透过光之至少其中一方光之强度之时间性变化予以测量，以作为与前述监视用部位处之位置相关联之光强度分布。

5. 发明专利

TW201807476A 非線性光學晶體之鈍化审中-公开
简体标题：非线性光学晶体之钝化
公开(公告)号：TW201807476A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106141321
申请日：2012-09-26
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：莊勇何 , CHUANG,YUNG-HO , 杜立賓斯基維拉得摩 , DRIBINSKI,VLADIMIR
IPC分类号： G02F1/35 , G01N21/956
CPC分类号： H01L21/3003 , C30B29/10 , C30B33/00 , C30B33/02 , G01N21/3563 , G01N21/59 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595 , G01N2021/8477 , G01N2021/8822 , G01N2201/06113 , H01L21/322 , H01S3/027 , H01S3/094 , H01S3/109 , H01S3/1666
摘要：本發明包括：一曝露室，其經組態以含有具有一選定氫濃度之一鈍化氣體，該曝露室進一步經組態以含有供曝露於該室內之該鈍化氣體之至少一個非線性光學(NLO)晶體；一鈍化氣體源，其流體連接至該曝露室，該鈍化氣體源經組態以供應鈍化氣體至該曝露室之一內部部分；及一基板，其經組態以將該NLO晶體固持於該室內，該基板進一步經組態以使該NLO晶體之一溫度保持處於或接近一選定溫度，該選定溫度低於該NLO晶體之一熔化溫度。
简体摘要：本发明包括：一曝露室，其经组态以含有具有一选定氢浓度之一钝化气体，该曝露室进一步经组态以含有供曝露于该室内之该钝化气体之至少一个非线性光学(NLO)晶体；一钝化气体源，其流体连接至该曝露室，该钝化气体源经组态以供应钝化气体至该曝露室之一内部部分；及一基板，其经组态以将该NLO晶体固持于该室内，该基板进一步经组态以使该NLO晶体之一温度保持处于或接近一选定温度，该选定温度低于该NLO晶体之一熔化温度。

6. 发明专利

TWI611247B 非線性光學晶體之鈍化有权
简体标题：非线性光学晶体之钝化
公开(公告)号：TWI611247B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105123478
申请日：2012-09-26
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：莊勇何 , CHUANG, YUNG-HO , 杜立賓斯基維拉得摩 , DRIBINSKI, VLADIMIR
IPC分类号： G02F1/35 , G01N21/956
CPC分类号： H01L21/3003 , C30B29/10 , C30B33/00 , C30B33/02 , G01N21/3563 , G01N21/59 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595 , G01N2021/8477 , G01N2021/8822 , G01N2201/06113 , H01L21/322 , H01S3/027 , H01S3/094 , H01S3/109 , H01S3/1666

7. 发明专利

TW201319710A 非線性光學晶體之氫鈍化审中-公开
简体标题：非线性光学晶体之氢钝化
公开(公告)号：TW201319710A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101135409
申请日：2012-09-26
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：莊勇何 , CHUANG, YUNG-HO , 杜立賓斯基維拉得摩 , DRIBINSKI, VLADIMIR
IPC分类号： G02F1/35 , G01N21/956
CPC分类号： H01L21/3003 , C30B29/10 , C30B33/00 , C30B33/02 , G01N21/3563 , G01N21/59 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595 , G01N2021/8477 , G01N2021/8822 , G01N2201/06113 , H01L21/322 , H01S3/027 , H01S3/094 , H01S3/109 , H01S3/1666
摘要：本發明包括：一曝露室，其經組態以含有具有一選定氫濃度之一鈍化氣體，該曝露室進一步經組態以含有供曝露於該室內之該鈍化氣體之至少一個非線性光學(NLO)晶體；一鈍化氣體源，其流體連接至該曝露室，該鈍化氣體源經組態以供應鈍化氣體至該曝露室之一內部部分；及一基板，其經組態以將該NLO晶體固持於該室內，該基板進一步經組態以使該NLO晶體之一溫度保持處於或接近一選定溫度，該選定溫度低於該NLO晶體之一熔化溫度。
简体摘要：本发明包括：一曝露室，其经组态以含有具有一选定氢浓度之一钝化气体，该曝露室进一步经组态以含有供曝露于该室内之该钝化气体之至少一个非线性光学(NLO)晶体；一钝化气体源，其流体连接至该曝露室，该钝化气体源经组态以供应钝化气体至该曝露室之一内部部分；及一基板，其经组态以将该NLO晶体固持于该室内，该基板进一步经组态以使该NLO晶体之一温度保持处于或接近一选定温度，该选定温度低于该NLO晶体之一熔化温度。

8. 发明专利

TW201539551A 用於準分子雷射退火之控制之監控方法及裝置审中-公开
简体标题：用于准分子激光退火之控制之监控方法及设备
公开(公告)号：TW201539551A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104106291
申请日：2015-02-26
申请人：科希倫激光有限兩合公司 , COHERENT LASERSYSTEMS GMBH & CO. KG
发明人：范德韋特保羅 , VAN DER WILT, PAUL
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/20 , B23K26/062
CPC分类号： H01L21/67253 , C30B1/02 , C30B29/06 , G01N21/21 , G01N21/4788 , G01N21/8422 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N2021/8461 , G01N2021/8477 , G01N2201/06113 , G01N2201/068 , G01N2201/0683 , G01N2201/0697 , G01N2201/10 , G01N2201/105 , G02B21/002 , G02B21/0092 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L22/12
摘要：一種方法係被揭露可評估一藉照射來自一準分子雷射之脈衝而結晶化的矽層。該結晶化會在該結晶層上造成週期性特徵，乃取決於該層所被曝露之該等脈衝中的能量密度ED和數目。該層之一區域係被以光照明。該照明區域之一顯微鏡影像係由來自該照明區域被該等週期性特徴繞射的光所造成。該顯微鏡影像包含對應的週期性特徴。該ED係由該顯微鏡影像中之該等週期性特徴的對比之一測量值來決定。
简体摘要：一种方法系被揭露可评估一藉照射来自一准分子激光之脉冲而结晶化的硅层。该结晶化会在该结晶层上造成周期性特征，乃取决于该层所被曝露之该等脉冲中的能量密度ED和数目。该层之一区域系被以光照明。该照明区域之一显微镜影像系由来自该照明区域被该等周期性特徴绕射的光所造成。该显微镜影像包含对应的周期性特徴。该ED系由该显微镜影像中之该等周期性特徴的对比之一测量值来决定。

9. 发明专利

TW201518812A 光學組件貼合體之製造方法审中-公开
简体标题：光学组件贴合体之制造方法
公开(公告)号：TW201518812A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103129494
申请日：2014-08-27
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：松本力也 , MATSUMOTO, RIKIYA
IPC分类号： G02F1/1335 , G01N21/88
CPC分类号： G01N21/84 , G01N2021/8472 , G01N2021/8477 , G01N2021/9513
摘要：本發明係關於一種光學組件貼合體之製造方法，係為將光學組件貼合至光學顯示部件所形成的光學組件貼合體之製造方法，包含：光學組件貼合體形成製程(S13)，自料捲滾筒捲出帶狀的光學組件層，將切斷該光學組件層所得到的複數光學組件貼合至複數光學顯示部件，以形成複數光學組件貼合體；及第一目視檢查製程(S14)，對複數光學組件貼合體分別目視檢查其缺陷；其中，該光學組件貼合體形成製程與該第一目視檢查製程在同一製造產線進行。
简体摘要：本发明系关于一种光学组件贴合体之制造方法，系为将光学组件贴合至光学显示部件所形成的光学组件贴合体之制造方法，包含：光学组件贴合体形成制程(S13)，自料卷滚筒卷出带状的光学组件层，将切断该光学组件层所得到的复数光学组件贴合至复数光学显示部件，以形成复数光学组件贴合体；及第一目视检查制程(S14)，对复数光学组件贴合体分别目视检查其缺陷；其中，该光学组件贴合体形成制程与该第一目视检查制程在同一制造产线进行。

10. 发明专利

TW201447060A 非線性光學晶體之鈍化审中-公开
简体标题：非线性光学晶体之钝化
公开(公告)号：TW201447060A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103113275
申请日：2014-04-10
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：莊勇和艾力克斯 , CHUANG, YUNG-HO ALEX , 杜立賓斯基維拉得摩 , DRIBINSKI, VLADIMIR
IPC分类号： C30B29/10 , C30B35/00 , G02F1/35 , G01N21/88
CPC分类号： C30B33/02 , C30B7/00 , C30B9/00 , C30B29/10 , C30B29/22 , G01N21/87 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/8477 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024
摘要：供在一檢驗工具中使用之一非線性光學晶體之鈍化包含：在存在氟、一個氟化物離子及一含氟化物化合物中之至少一者之情況下生長一非線性光學晶體；機械地製備該非線性光學晶體；對該非線性光學晶體執行一退火程序；及將該非線性光學晶體曝露於一含氫或含氘鈍化氣體。
简体摘要：供在一检验工具中使用之一非线性光学晶体之钝化包含：在存在氟、一个氟化物离子及一含氟化物化合物中之至少一者之情况下生长一非线性光学晶体；机械地制备该非线性光学晶体；对该非线性光学晶体运行一退火进程；及将该非线性光学晶体曝露于一含氢或含氘钝化气体。

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