专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

71. 发明专利

TW201505207A 成膜方法、半導體發光元件之製造方法、半導體發光元件、照明裝置审中-公开
简体标题：成膜方法、半导体发光组件之制造方法、半导体发光组件、照明设备
公开(公告)号：TW201505207A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103107672
申请日：2014-03-06
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：醍醐佳明 , DAIGO, YOSHIAKI
IPC分类号： H01L33/30 , H01L21/205
CPC分类号： H01L33/44 , C23C14/0617 , C23C14/34 , C30B23/025 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2221/00 , H01L2933/0025
摘要：本發明，係目的在於提供一種成膜技術，由於藉2μm程度之薄的膜厚而實現結晶性極優之底基層，因而具有高生產率。本發明之一實施形態，係有關於一種成膜方法，具有在保持於基板保持器之藍寶石基板上藉濺鍍法而形成緩衝層之程序，緩衝層具備磊晶膜，該磊晶膜具有對於AlxGa1-xN(其中，0≦x≦1)添加了從C，Si，Ge，Mg，Zn，Mn，Cr之群組中所選出的至少一個物質之纖鋅礦構造。
简体摘要：本发明，系目的在于提供一种成膜技术，由于藉2μm程度之薄的膜厚而实现结晶性极优之底基层，因而具有高生产率。本发明之一实施形态，系有关于一种成膜方法，具有在保持于基板保持器之蓝宝石基板上藉溅镀法而形成缓冲层之进程，缓冲层具备磊晶膜，该磊晶膜具有对于AlxGa1-xN(其中，0≦x≦1)添加了从C，Si，Ge，Mg，Zn，Mn，Cr之群组中所选出的至少一个物质之纤锌矿构造。

72. 发明专利

TW201502304A 真空處理裝置审中-公开
简体标题：真空处理设备
公开(公告)号：TW201502304A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103105639
申请日：2014-02-20
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：石崎諒 , ISHIZAKI, RYO , 小日向大輔 , KOBINATA, DAISUKE , 久保田直樹 , KUBOTA, NAOKI , 杉恭輔 , SUGI, KYOSUKE
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/50
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C14/225 , C23C14/541 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要：真空處理裝置(1)，係具備使具備冷卻機(13)之基板保持器(10)在真空容器(3)內作傾斜之傾斜部、及設於傾斜部並在與冷卻機(13)之間形成了將冷媒氣體作供應或排出之冷媒通路的旋轉接頭(29)，旋轉接頭(29)，係具備固定於真空容器(3)之固定部(30)、設置為可相對於固定部(30)作轉動並固定於基板保持器(10)之轉動部(31)、及作為在固定部(30)與轉動部(31)之間隙中將從冷媒通路所洩漏之冷媒氣體導引至旋轉接頭(29)的外部之導氣路徑的潤滑油供應用通路(60a)。
简体摘要：真空处理设备(1)，系具备使具备冷却机(13)之基板保持器(10)在真空容器(3)内作倾斜之倾斜部、及设于倾斜部并在与冷却机(13)之间形成了将冷媒气体作供应或排出之冷媒通路的旋转接头(29)，旋转接头(29)，系具备固定于真空容器(3)之固定部(30)、设置为可相对于固定部(30)作转动并固定于基板保持器(10)之转动部(31)、及作为在固定部(30)与转动部(31)之间隙中将从冷媒通路所泄漏之冷媒气体导引至旋转接头(29)的外部之导气路径的润滑油供应用通路(60a)。

73. 发明专利

TWI456607B 旋轉閥型通道磁阻元件之製造方法有权
简体标题：旋转阀型信道磁阻组件之制造方法
公开(公告)号：TWI456607B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW102131280
申请日：2009-02-19
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：恆川孝二 , TSUNEKAWA, KOJI , 細谷裕之 , HOSOYA, HIROYUKI , 永峰佳紀 , NAGAMINE, YOSHINORI , 古川真司 , FURUKAWA, SHINJI , 渡邊直樹 , WATANABE, NAOKI
IPC分类号： H01F41/14 , C23C14/34 , G11B5/39
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C14/225 , C23C14/3464 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/18 , H01F41/302 , H01L43/12

74. 发明专利

TW201432845A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201432845A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102137720
申请日：2013-10-18
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：戶田哲郎 , TODA, TETSURO , 大坂知子 , OSAKA, TOMOKO , 齋藤孝之 , SAITO, TAKAYUKI , 田中洋 , TANAKA, YO , 高城信二 , TAKAGI, SHINJI
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/31 , C23C14/50
CPC分类号： C23C14/50 , H01L21/67346 , H01L21/68721 , H01L21/68771
摘要：一種基板處理裝置，基板托盤具備托盤本體，和包含支撐基板之基板支撐部的基板支撐板，托盤本體包含以基板應處理的部分露出之方式保持上述基板之周端部之基板保持部，和以藉由磁力，上述托盤本體保持上述基板支撐板之方式，被配置在較上述基板保持部更外側的磁鐵，基板托盤經密封構件而藉由托盤保持器被保持。
简体摘要：一种基板处理设备，基板托盘具备托盘本体，和包含支撑基板之基板支撑部的基板支撑板，托盘本体包含以基板应处理的部分露出之方式保持上述基板之周端部之基板保持部，和以借由磁力，上述托盘本体保持上述基板支撑板之方式，被配置在较上述基板保持部更外侧的磁铁，基板托盘经密封构件而借由托盘保持器被保持。

75. 发明专利

TW201432077A 濺鍍方法及功能元件的製造方法审中-公开
简体标题：溅镀方法及功能组件的制造方法
公开(公告)号：TW201432077A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102146656
申请日：2013-12-17
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：小野順子 , ONO, JUNKO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/16 , H01F10/3272 , H01F10/3286
摘要：本發明提供一種濺鍍方法及功能元件的製造方法，在使用將熱噴塗膜形成於表面上之防著構件的濺鍍處理中，減低雜質混入堆積於基板上之膜中，可改善包含該膜之功能元件的元件特性。本發明之一態樣在於，在具備基材、形成於基材上之熱噴塗膜、及形成於熱噴塗膜上之防擴散膜的防著構件被配置於處理室內之狀態下，藉濺鍍處理而於基板上進行成膜。防擴散膜具有防止存在於基材的表面或熱噴塗膜所含之Na和Al此類的雜質擴散至基板處理空間之作用。
简体摘要：本发明提供一种溅镀方法及功能组件的制造方法，在使用将热喷涂膜形成于表面上之防着构件的溅镀处理中，减低杂质混入堆积于基板上之膜中，可改善包含该膜之功能组件的组件特性。本发明之一态样在于，在具备基材、形成于基材上之热喷涂膜、及形成于热喷涂膜上之防扩散膜的防着构件被配置于处理室内之状态下，藉溅镀处理而于基板上进行成膜。防扩散膜具有防止存在于基材的表面或热喷涂膜所含之Na和Al此类的杂质扩散至基板处理空间之作用。

76. 发明专利

TWI444494B 鍍膜裝置有权
简体标题：镀膜设备
公开(公告)号：TWI444494B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW101122993
申请日：2012-06-27
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：木尾原雄二 , KAJIHARA, YUJI , 安松保志 , YASUMATSU, YASUSHI , 小長和也 , KONAGA, KAZUYA
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/3464 , C23C14/04 , C23C14/3407 , C23C14/505 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/3417 , H01J37/3429 , H01J37/3435 , H01J37/3447

77. 发明专利

TW201415545A 離子束處理方法及離子束處理裝置审中-公开
简体标题：离子束处理方法及离子束处理设备
公开(公告)号：TW201415545A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102122960
申请日：2013-06-27
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：小平吉三 , KODAIRA, YOSHIMITSU , 竹內功 , TAKEUCHI, ISAO , 中村美保子 , NAKAMURA, MIHOKO
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01J37/3056 , H01J37/32357 , H01J2237/3345 , H01J2237/3347 , H01L21/68764 , H01L23/544 , H01L43/12 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之目的係提供即使對微細的圖案也能夠抑制再附著膜的堆積之處理方法及離子束處理裝置。在本發明之一實施型態中，進行離子束處理，使得從被形成在基板上之圖案溝延伸之方向側射入的離子束所致的蝕刻量，大於從其他方向側射入的離子束所致的蝕刻量。依此，可以抑制再附著膜堆積於微細圖案溝之底部，並加工微細圖案。
简体摘要：本发明之目的系提供即使对微细的图案也能够抑制再附着膜的堆积之处理方法及离子束处理设备。在本发明之一实施型态中，进行离子束处理，使得从被形成在基板上之图案沟延伸之方向侧射入的离子束所致的蚀刻量，大于从其他方向侧射入的离子束所致的蚀刻量。依此，可以抑制再附着膜堆积于微细图案沟之底部，并加工微细图案。

78. 发明专利

TWI431718B 托盤，托盤支撐構件，及真空處理裝置有权
简体标题：托盘，托盘支撑构件，及真空处理设备
公开(公告)号：TWI431718B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW099104444
申请日：2010-02-11
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：廣見太一 , HIROMI, TAICHI , 村上匡章 , MURAKAMI, TADAAKI
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68721 , H01L21/68728

79. 发明专利

TW201410901A 濺鍍裝置及濺鍍成膜方法审中-公开
简体标题：溅镀设备及溅镀成膜方法
公开(公告)号：TW201410901A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102119920
申请日：2013-06-05
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：佐佐木雅夫 , SASAKI, MASAO
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/562 , H01J37/32733 , H01J37/32761 , H01J37/3417 , H01J37/3455
摘要：濺鍍裝置具備具有磁鐵之三個靶材，磁鐵(7a)、(7b)、(7c)之各個被控制成進行從順方向之行程端移動至逆向之後停止的第1移動，和從第1移動後之停止為至移動至逆向之行程端之後停止的第2移動，和從逆向之行程端移動至順方向之行程端之後停止的第3移動。然後，成膜之時，被控制成於第1移動之期間成膜在基板上之第1膜，和於第2移動之期間成膜在基板上之第2膜，和於第3移動之期間成膜在基板的第3膜藉由各不相同的靶材(4a)、(4b)、(4c)被成膜，而且，第1、第2、第3膜在基板上重疊。
简体摘要：溅镀设备具备具有磁铁之三个靶材，磁铁(7a)、(7b)、(7c)之各个被控制成进行从顺方向之行程端移动至逆向之后停止的第1移动，和从第1移动后之停止为至移动至逆向之行程端之后停止的第2移动，和从逆向之行程端移动至顺方向之行程端之后停止的第3移动。然后，成膜之时，被控制成于第1移动之期间成膜在基板上之第1膜，和于第2移动之期间成膜在基板上之第2膜，和于第3移动之期间成膜在基板的第3膜借由各不相同的靶材(4a)、(4b)、(4c)被成膜，而且，第1、第2、第3膜在基板上重叠。

80. 发明专利

TWI428960B 薄膜形成裝置，薄膜形成方法及遮蔽組件有权
简体标题：薄膜形成设备，薄膜形成方法及屏蔽组件
公开(公告)号：TWI428960B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW099145222
申请日：2010-12-22
申请人：佳能安內華股份有限公司 , CANON ANELVA CORPORATION
发明人：江上明宏 , EGAMI, AKIHIRO , 中澤俊和 , NAKAZAWA, TOSHIKAZU , 鈴木勝大 , SUZUKI, KATSUHIRO , 長谷川晉也 , HASEGAWA, SHINYA
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/0036 , C23C14/34 , C23C16/4401 , C23C16/45591 , C23C16/4585 , H01J37/32477 , H01J37/32651 , H01J37/3405 , H01J37/3411 , H01J37/3441 , H01J2237/026 , H01J2237/0268

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式