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61. 发明专利

TWI603194B 資料儲存裝置以及其資料存取方法有权
简体标题：数据存储设备以及其数据存取方法
公开(公告)号：TWI603194B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW102144357
申请日：2013-12-04
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
发明人：蕭力碩 , HSIAO, LI SHUO , 鄭張鎧 , CHENG, CHANG KAI
IPC分类号： G06F12/06 , G11C16/16 , G11C29/42
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F11/1016 , G06F12/00 , G06F2212/1016 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7207

62. 发明专利

TW201732797A 半導體記憶體裝置的控制器及其操作方法审中-公开
简体标题：半导体内存设备的控制器及其操作方法
公开(公告)号：TW201732797A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105125225
申请日：2016-08-09
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：盧永東 , ROH, YOUNG DONG
IPC分类号： G11C7/24
CPC分类号： G06F3/0659 , G06F3/0604 , G06F3/0653 , G06F3/0673 , G06F11/36 , G06F11/362 , G06F12/00
摘要：提供一種半導體記憶體裝置的控制器以及控制器的操作方法，該控制器儲存用於除錯處理的數據。用於控制半導體記憶體裝置的控制器包括：事件發生檢測單元，被配置爲檢測是否發生事件；事件資訊産生單元，被配置爲響應於來自事件發生檢測單元的檢測結果産生事件資訊；以及命令産生單元，被配置爲産生用於將事件資訊儲存在半導體記憶體裝置中的命令。
简体摘要：提供一种半导体内存设备的控制器以及控制器的操作方法，该控制器存储用于调试处理的数据。用于控制半导体内存设备的控制器包括：事件发生检测单元，被配置为检测是否发生事件；事件信息产生单元，被配置为响应于来自事件发生检测单元的检测结果产生事件信息；以及命令产生单元，被配置为产生用于将事件信息存储在半导体内存设备中的命令。

63. 发明专利

TWI592864B 資料儲存裝置及其資料維護方法有权
简体标题：数据存储设备及其数据维护方法
公开(公告)号：TWI592864B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW105119405
申请日：2016-06-21
申请人：慧榮科技股份有限公司 , SILICON MOTION, INC.
发明人：鄭張鎧 , CHENG, CHANG KAI , 林瑜智 , LIN, YU CHIH
IPC分类号： G06F3/06 , G06F12/08
CPC分类号： G06F3/0608 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0653 , G06F3/0658 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F12/00

64. 发明专利

TWI590588B 互補輸出產生器模組有权
简体标题：互补输出产生器模块
公开(公告)号：TWI590588B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW102141815
申请日：2013-11-15
申请人：微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：史迪曼尙恩史黛西 , STEEDMAN, SEAN STACY , 倫德史特姆查克 , LUNDSTRUM, ZEKE , 葛羅札克利斯汀尼可拉 , GROZA, CRISTIAN NICOLAE , 寇帕西恩賽巴斯汀丹恩 , COPACIAN, SEBASTIAN DAN , 達爾瑪娃斯奇塔哈爾托拿 , DARMAWASKITA, HARTONO
IPC分类号： H03K5/15
CPC分类号： G06F1/06 , G06F12/00 , G06F13/1694 , H03K5/05 , H03K5/1515 , H03K7/08 , H03L7/089 , H03L7/10 , Y02D10/14

65. 发明专利

TW201706846A 資訊處理裝置、方法及程式审中-公开
简体标题：信息处理设备、方法及进程
公开(公告)号：TW201706846A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105115986
申请日：2016-05-23
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：毛利文 , MOURI, FUMITAKA
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/02
CPC分类号： G06F12/00
摘要：實施形態之資訊處理裝置，係控制對於n個(n：2以上之整數)MPU(micro processing unit；微處理單元)的共享記憶體之存取之資訊處理裝置。又，控制部，於同一存取階段中，依據從n個MPU並行受理之對於共享記憶體之存取要求，分析對共享記憶體的存取模式，並以基於分析出的存取模式之順序，於存取階段內依序處理受理之m個(m：n以下之自然數)存取要求。
简体摘要：实施形态之信息处理设备，系控制对于n个(n：2以上之整数)MPU(micro processing unit；微处理单元)的共享内存之存取之信息处理设备。又，控制部，于同一存取阶段中，依据从n个MPU并行受理之对于共享内存之存取要求，分析对共享内存的存取模式，并以基于分析出的存取模式之顺序，于存取阶段内依序处理受理之m个(m：n以下之自然数)存取要求。

66. 发明专利

TW201633138A 記憶體系統及其操作方法审中-公开
简体标题：内存系统及其操作方法
公开(公告)号：TW201633138A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104120204
申请日：2015-06-23
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：朴淙柱 , PARK, JONG-JU
IPC分类号： G06F12/02 , G06F3/06
CPC分类号： G11C16/32 , G06F12/00 , G06F13/18 , G11C7/109 , G11C7/20 , G11C7/22 , G11C16/0483 , G11C16/20
摘要：本發明揭示一種記憶體系統，其包含：一指令儲存單元，用來儲存從一主機接收的最多N個指令；K個記憶體裝置，每一者都用於基於該等最多N個指令來儲存最多M個指令並執行每一組操作，以在輸入順序中回應所儲存的該等最多M個指令；以及一重設單元，用於只要從該主機接收的該等指令被儲存在該指令儲存單元內，就基於有關在各該K個記憶體裝置中各該最多N個指令與各該最多M個指令的執行資訊，重設該等最多N個指令的執行順序，並將該等N個指令分配至該等K個記憶體裝置，該執行資訊包含一邏輯位址、一實體位址、一長度以及一對應指令的使用時間。
简体摘要：本发明揭示一种内存系统，其包含：一指令存储单元，用来存储从一主机接收的最多N个指令；K个内存设备，每一者都用于基于该等最多N个指令来存储最多M个指令并运行每一组操作，以在输入顺序中回应所存储的该等最多M个指令；以及一重设单元，用于只要从该主机接收的该等指令被存储在该指令存储单元内，就基于有关在各该K个内存设备中各该最多N个指令与各该最多M个指令的运行信息，重设该等最多N个指令的运行顺序，并将该等N个指令分配至该等K个内存设备，该运行信息包含一逻辑位址、一实体位址、一长度以及一对应指令的使用时间。

67. 发明专利

TW201620306A 在區塊處理管線中之色度快取架構审中-公开
简体标题：在区块处理管线中之色度缓存架构
公开(公告)号：TW201620306A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104128225
申请日：2015-08-27
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：柯特蓋 , COTE, GUY , 布萊特約瑟夫P , BRATT, JOSEPH P. , 麥利特提摩西J , MILLET, TIMOTHY J. , 江承業 , KONG, SHING I. , 鄭主恩 , CHENG, JOSEPH J.
IPC分类号： H04N19/172 , H04N19/176 , H04N19/186 , H04N19/423
CPC分类号： H04N19/186 , G06F12/00 , G06F12/0207 , G06F12/0862 , G06F12/121 , G06F2212/1024 , G06F2212/455 , G06F2212/6024 , G06F2212/6026 , G06T1/60 , H04N19/127 , H04N19/172 , H04N19/176 , H04N19/423 , H04N19/433 , H04N19/439
摘要：本發明提供用於快取一區塊處理管線中之參考資料之方法及裝置。一快取記憶體可經實施，對應於在該管線中正經處理之區塊之運動向量的參考資料可自記憶體預取至該快取記憶體。對於該等運動向量之預取可在一處理級之前的一或多個級起始。用於該快取記憶體之快取標記可藉由該等運動向量定義。當接收一運動向量時，可檢查該等標記以判定該快取記憶體中是否存在對應於該向量(快取命中)之快取區塊。在一快取遺漏時，根據一替換原則選擇該快取記憶體中之一快取區塊，更新該各別標記，且發出對於該各別參考資料之一預取(例如，經由DMA)。
简体摘要：本发明提供用于缓存一区块处理管线中之参考数据之方法及设备。一高速缓存可经实施，对应于在该管线中正经处理之区块之运动矢量的参考数据可自内存预取至该高速缓存。对于该等运动矢量之预取可在一处理级之前的一或多个级起始。用于该高速缓存之缓存标记可借由该等运动矢量定义。当接收一运动矢量时，可检查该等标记以判定该高速缓存中是否存在对应于该矢量(缓存命中)之缓存区块。在一缓存遗漏时，根据一替换原则选择该高速缓存中之一缓存区块，更新该各别标记，且发出对于该各别参考数据之一预取(例如，经由DMA)。

68. 发明专利

TWI530960B 使用感測電路進行邏輯運算之裝置及方法有权
简体标题：使用传感电路进行逻辑运算之设备及方法
公开(公告)号：TWI530960B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW103107275
申请日：2014-03-04
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：曼寧特洛伊A , MANNING, TROY A.
IPC分类号： G11C7/06 , G06F12/02
CPC分类号： G11C7/065 , G06F12/00 , G11C7/1006 , G11C7/1051 , G11C11/4091 , G11C11/4093 , G11C11/4094 , G11C11/4096 , G11C15/00

69. 发明专利

TWI509615B 資料儲存方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置有权
简体标题：数据存储方法、内存控制器与内存存储设备
公开(公告)号：TWI509615B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW101128084
申请日：2012-08-03
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：羅健龍 , LOW, CHENG-LONG
IPC分类号： G11C16/02 , G06F12/02 , G06F12/16
CPC分类号： G06F3/0614 , G06F3/0604 , G06F3/0631 , G06F3/0647 , G06F3/0679 , G06F11/00 , G06F11/1064 , G06F12/00 , G06F12/0246

70. 发明专利

TW201532064A 修復均化的方法、系統與其相關的資料結構审中-公开
简体标题：修复均化的方法、系统与其相关的数据结构
公开(公告)号：TW201532064A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103145178
申请日：2014-12-24
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張育銘 , CHANG, YU-MING , 李祥邦 , LI, HSIANG-PANG , 呂函庭 , LUE, HANG-TING , 張原豪 , CHANG, YUAN-HAO , 郭大維 , KUO, TEI-WEI
IPC分类号： G11C29/44
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F12/00 , G06F2212/1036 , G06F2212/7211 , G11C16/3495 , G11C29/4401
摘要：本案透過修復均化技術而提升記憶體裝置的耐久度。修復均化技術是一種使記憶區塊的修復週期更為分散的輕型解決方案。本文所描述之的方法能夠在不產生大量負擔情況下實現修復均化。修復均化技術能顯著的改善記憶區塊的存取效能(access performance)與有效壽命(effective lifetime)。長期而言，能使每一個記憶區塊的磨損次數降低。修復均化的作法可為：將自產生後鮮少被使用或從未被修改的資料(例如：唯讀性檔案)，搬移至經歷過最多次、或經歷過多次修復的記憶區塊。
简体摘要：本案透过修复均化技术而提升内存设备的耐久度。修复均化技术是一种使记忆区块的修复周期更为分散的轻型解决方案。本文所描述之的方法能够在不产生大量负担情况下实现修复均化。修复均化技术能显着的改善记忆区块的存取性能(access performance)与有效寿命(effective lifetime)。长期而言，能使每一个记忆区块的磨损次数降低。修复均化的作法可为：将自产生后鲜少被使用或从未被修改的数据(例如：唯读性文档)，搬移至经历过最多次、或经历过多次修复的记忆区块。

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