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61. 发明专利

TW201012315A 電漿處理裝置及電漿處理方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD 审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TW201012315A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW098119218
申请日：2009-06-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32211 , H01J37/32192 , H01J37/32229
摘要：提供一種具有特性阻抗在輸入側與輸出側不同的同軸管構造之電漿處理裝置。藉由微波來使氣體激發而電漿處理基板的微波電漿處理裝置（10）是具備：處理容器（100）；輸出微波的微波源（900）；使從微波源（900）輸出的微波傳送的第1同軸管（610）；在面向處理容器（100）的內側之狀態下與第1同軸管（610）鄰接，將傳送於第1同軸管（610）的微波放出至處理容器（100）內部的電介體板（305）。具有第1同軸管（610）的內部導體（610a）與外部導體（610b）的粗度的比沿著長度方向不一樣的構造。
简体摘要：提供一种具有特性阻抗在输入侧与输出侧不同的同轴管构造之等离子处理设备。借由微波来使气体激发而等离子处理基板的微波等离子处理设备（10）是具备：处理容器（100）；输出微波的微波源（900）；使从微波源（900）输出的微波发送的第1同轴管（610）；在面向处理容器（100）的内侧之状态下与第1同轴管（610）邻接，将发送于第1同轴管（610）的微波放出至处理容器（100）内部的电介体板（305）。具有第1同轴管（610）的内部导体（610a）与外部导体（610b）的粗度的比沿着长度方向不一样的构造。

62. 发明专利

TW201003747A 微波電漿處理裝置、其所使用之介電窗組件以及介電窗組件之製造方法审中-公开
简体标题：微波等离子处理设备、其所使用之介电窗组件以及介电窗组件之制造方法
公开(公告)号：TW201003747A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098106266
申请日：2009-02-27
申请人：國立大學法人東北大學 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹 , 後藤哲也 , 白井泰雪 , 北野真史 , 綿貫耕平 , 松岡孝明 , 村川惠美
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要：已知於一種微波電漿處理裝置中，即便使用Kr作為電漿生成用氣體的狀況下，亦只能獲得與使用Ar或其他惰性氣體所生成之相同特性的氧化膜、氮化膜。為解決前述問題，構成微波電漿處理裝置之介電窗組件係不僅使用陶瓷組件來形成，該陶瓷組件於處理空間一側之表面上，塗佈一可藉由熱處理而形成化學計量（stoichiometric）之SiO2組成之平坦化塗佈膜後，透過熱處理而形成極為平坦且具有緻密表面之平坦化塗佈絕緣膜。於該平坦化塗佈絕緣膜上形成抗腐蝕膜。
简体摘要：已知于一种微波等离子处理设备中，即便使用Kr作为等离子生成用气体的状况下，亦只能获得与使用Ar或其他惰性气体所生成之相同特性的氧化膜、氮化膜。为解决前述问题，构成微波等离子处理设备之介电窗组件系不仅使用陶瓷组件来形成，该陶瓷组件于处理空间一侧之表面上，涂布一可借由热处理而形成化学计量（stoichiometric）之SiO2组成之平坦化涂布膜后，透过热处理而形成极为平坦且具有致密表面之平坦化涂布绝缘膜。于该平坦化涂布绝缘膜上形成抗腐蚀膜。

63. 发明专利

TW200950600A 電漿處理裝置 PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子处理设备 PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200950600A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098105907
申请日：2009-02-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：本鄉俊明 , 平山昌樹 , 大見忠弘
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32238 , H01J37/32192 , H01J37/3222
摘要：本發明係提供一種可藉由預防電流於槽孔天線(slot antenna)中流動之不均勻性以產生均勻電漿之電漿處理裝置。配置一介電板用以封閉蓋板之上部開口，並於介電板上設置一用於產生電漿之槽孔天線。藉由具有彈性之導電性元件，使得槽孔天線之圓周外緣與蓋板之內壁部直接接觸，當微波被供給至槽孔天線時，於處理容器之全圓周上任意點處，可使蓋板之內壁部與槽孔天線之外緣之間的電阻大小實質上相等，俾使槽孔天線中所流動之微波電流大小係約略相等。
简体摘要：本发明系提供一种可借由预防电流于槽孔天线(slot antenna)中流动之不均匀性以产生均匀等离子之等离子处理设备。配置一介电板用以封闭盖板之上部开口，并于介电板上设置一用于产生等离子之槽孔天线。借由具有弹性之导电性组件，使得槽孔天线之圆周外缘与盖板之内壁部直接接触，当微波被供给至槽孔天线时，于处理容器之全圆周上任意点处，可使盖板之内壁部与槽孔天线之外缘之间的电阻大小实质上相等，俾使槽孔天线中所流动之微波电流大小系约略相等。

64. 发明专利

TW200948217A 電漿處理裝置、高頻電力之供給方法及電漿處理裝置之回授控制方法 PLASMA PROCESSING SYSTEM, METHOD FOR SUPPLYING HIGH FREQUENCY POWER AND METHOD FOR FEEDBACK-CONTROLLING PLASMA PROCESSING SYSTEM 审中-公开
简体标题：等离子处理设备、高频电力之供给方法及等离子处理设备之回授控制方法 PLASMA PROCESSING SYSTEM, METHOD FOR SUPPLYING HIGH FREQUENCY POWER AND METHOD FOR FEEDBACK-CONTROLLING PLASMA PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TW200948217A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098108075
申请日：2009-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 國立大學法人東北大學
发明人：小林聰樹 , 杉山正樹 , 加藤充男 , 廣江昭彥 , 大見忠弘 , 平山昌樹
IPC分类号： H05H
摘要： [課題]當提高膜的移動度而將高頻電力施加至基座時，取消感應磁場的發生。[解決手段]微波電漿處理裝置（10）係包含：處理容器(100)；被設在處理容器內，載置基板G的基座（susceptor）（105）；在被設在基座（105）之同一圓周上的3個位置（P1～P3）接觸基座的3支供電棒（B1～B3)；及被連接於3支供電棒（Bl～B3），透過3支供電棒（BI～B3)，由3以上的位置（Pl～P3）對基座(105）供給高頻電力的高頻電源（130）。在基座(105）之同一圓周上的3個位置P，使3支供電棒（Bl～B3）接觸基座（105）。在3支供電棒（B1～B3）連接高頻電源（130），將由高頻電源（130）所被輸出的高頻電力透過3支供電棒B由3個位置（P1～P3）供給至基座（105）。
简体摘要： [课题]当提高膜的移动度而将高频电力施加至基座时，取消感应磁场的发生。[解决手段]微波等离子处理设备（10）系包含：处理容器(100)；被设在处理容器内，载置基板G的基座（susceptor）（105）；在被设在基座（105）之同一圆周上的3个位置（P1～P3）接触基座的3支供电棒（B1～B3)；及被连接于3支供电棒（Bl～B3），透过3支供电棒（BI～B3)，由3以上的位置（Pl～P3）对基座(105）供给高频电力的高频电源（130）。在基座(105）之同一圆周上的3个位置P，使3支供电棒（Bl～B3）接触基座（105）。在3支供电棒（B1～B3）连接高频电源（130），将由高频电源（130）所被输出的高频电力透过3支供电棒B由3个位置（P1～P3）供给至基座（105）。

65. 发明专利

TW482871B 真空裝置失效
简体标题：真空设备
公开(公告)号：TW482871B
公开(公告)日：2002-04-11
申请号：TW089103815
申请日：2000-03-03
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹
IPC分类号： F04B
CPC分类号： F04D19/04 , F04D25/00
摘要：一種真空裝置，其係具備設有氣體導入口及排氣口之複數真空容器，供自該氣體導入口將所需氣體導入該真空容器內之氣體供給系統，以及用來保持該真空容器內部減壓之排氣系統者，該排氣系統具有成行多段連接之複數真空泵，最終段真空泵之排氣口壓力大致為大氣壓力，該最終段真空泵配置成將來自複數首段真空泵每一台之氣體排出。
简体摘要：一种真空设备，其系具备设有气体导入口及排气口之复数真空容器，供自该气体导入口将所需气体导入该真空容器内之气体供给系统，以及用来保持该真空容器内部减压之排气系统者，该排气系统具有成行多段连接之复数真空泵，最终段真空泵之排气口压力大致为大气压力，该最终段真空泵配置成将来自复数首段真空泵每一台之气体排出。

66. 发明专利

TW477009B 電漿處理裝置失效
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW477009B
公开(公告)日：2002-02-21
申请号：TW089110159
申请日：2000-05-25
申请人：大見忠弘 , 東京威力科創股份有限公司
发明人：大見忠弘 , 平山昌樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/24 , C23C16/345 , C23C16/45578 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3244
摘要：本發明之微波電漿處理裝置係在介電質淋浴板(dielectric shower plate)103與基板114之間設置金屬製之柵狀淋浴板111，且從不同場所釋出以稀釋氣體為主體的電漿激發用氣體與處理用氣體。藉由將柵狀淋浴板予以接地，即可對基板114之表面入射較高能量的離子。使微波導入部中之介電質隔壁102與介電質之厚度設在最佳化且使電漿之激發效率設在最大化，同時使槽孔天線(slot antenna)110與介電質隔壁102之間隔及介電質淋浴板103之厚度設在最佳化俾可投入大功率的微波。
简体摘要：本发明之微波等离子处理设备系在介电质淋浴板(dielectric shower plate)103与基板114之间设置金属制之栅状淋浴板111，且从不同场所发佈以稀释气体为主体的等离子激发用气体与处理用气体。借由将栅状淋浴板予以接地，即可对基板114之表面入射较高能量的离子。使微波导入部中之介电质隔壁102与介电质之厚度设在最优化且使等离子之激发效率设在最大化，同时使槽孔天线(slot antenna)110与介电质隔壁102之间隔及介电质淋浴板103之厚度设在最优化俾可投入大功率的微波。

67. 发明专利

TW463076B 壓力式流量控制裝置之流量異常檢知方法有权
简体标题：压力式流量控制设备之流量异常检知方法
公开(公告)号：TW463076B
公开(公告)日：2001-11-11
申请号：TW089116036
申请日：2000-08-09
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘 , 飯田精一
发明人：大見忠弘 , 飯田精一 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 深澤和夫 , 小泉浩 , 長岡秀樹 , 宇野富雄 , 西野功二 , 池田信一 , 土肥亮介 , 出田英二
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05B23/0235 , G05B23/0256 , G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8326
摘要：於利用孔口(orifice)之壓力式流量控制裝置，有關邊控制流量也可用簡單構成進行檢知孔口堵塞之技術。
本發明之解決手段，係將上游側壓力Pl保持為下游側壓力P2之大約2倍以上將下游側之流量Qc以Qc= KPl(K:常數)演算，藉此演算流量Qc與設定流量 Qs之差值訊號QY以開閉控制控制閥CV之流量控制裝置FCS，提案一種從另設之檢定電路或流量設定電路輸出具有檢定振幅VO之檢定用訊號△QS，而應答於此來測定上游側壓力Pl之變動壓力△Pl之壓力振幅V，當此壓力振幅V變成較界限振幅Vt為小時告知孔口堵塞之流量異常檢知方法。
若從檢定電路或流量設定流量重疊於恒常設定流量 QSO輸出檢定用訊號△QS時，由恒常設定流量QSO邊控制流量就可檢知流量異常。
简体摘要：于利用孔口(orifice)之压力式流量控制设备，有关边控制流量也可用简单构成进行检知孔口堵塞之技术。本发明之解决手段，系将上游侧压力Pl保持为下游侧压力P2之大约2倍以上将下游侧之流量Qc以Qc= KPl(K:常数)演算，借此演算流量Qc与设置流量 Qs之差值信号QY以开闭控制控制阀CV之流量控制设备FCS，提案一种从另设之检定电路或流量设置电路输出具有检定振幅VO之检定用信号△QS，而应答于此来测定上游侧压力Pl之变动压力△Pl之压力振幅V，当此压力振幅V变成较界限振幅Vt为小时告知孔口堵塞之流量异常检知方法。若从检定电路或流量设置流量重叠于恒常设置流量 QSO输出检定用信号△QS时，由恒常设置流量QSO边控制流量就可检知流量异常。

68. 发明专利

TW445401B 平行分流式流體供應裝置與使用該裝置之流體可變型壓力式流量控制方法及流體可變型壓力式流量控制裝置有权
简体标题：平行分流式流体供应设备与使用该设备之流体可变型压力式流量控制方法及流体可变型压力式流量控制设备
公开(公告)号：TW445401B
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：TW089107095
申请日：2000-04-15
申请人：富士金股份有限公司 , 東京威力科創股份有限公司 , 大見忠弘
发明人：大見忠弘 , 加賀爪哲 , 廣瀨潤 , 杉山一彥 , 深澤和夫 , 小泉浩 , 長岡秀樹 , 皆見幸男 , 西野功二 , 土肥亮介 , 米華克典 , 池田信一 , 山路道雄 , 森本明弘 , 宇野富雄 , 出田英二 , 松本篤志 , 上野山豊已
IPC分类号： G05D
CPC分类号： G05D7/0658 , G05D7/0664 , Y10S438/935 , Y10T137/0396 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/86389 , Y10T137/87877 , Y10T137/87917
摘要：一種平行分流式流體供應裝置與使用該裝置之流體的可變型壓力式流量控制方法及流體可變型壓力式流量控制裝置，從壓力調整用的l個調整器平行配設複數條流路之流體供應裝置中，使各流路之流體供應的開關操作不致對其他流路之穩態供應造成過大的變動。因此，在各流路上配設流量控制用質量流控制器MFC或壓力式流量控制裝置FCS，某流路之流體供給自關閉而開啟時，構成從其流路之質量流控制器MFC動作開始僅延遲預定的延遲時間△t到達設定流量Qs。
又，利用l台壓力式流量控制裝置可高精度流量控制複數氣體種類及實現其裝置。因此，以臨界壓力比以下的條件理論性導出通過孔口的氣體流量，根據該式定義流動係數，利用該流動係數形成可對應多數之氣體種類者。
亦即，將孔口8的上游側壓力P1保持在下游壓力P2約2倍以上的狀態下，通過孔口的氣體運算流量Qc以 Qc=KP1(K為常數)運算之流量控制方法中，各種類氣體係以FF=(k/γs){2/(κ+l)}](x.1)〔κ/{(κ十l)R}〕1/2計算流動係數FF，氣體種類A的運算流量為QA時，在同一孔口、同一上游側壓力及同一上游側溫度的條件下使氣體種類B流通時，以其運算流量QvB作為QvB(EFvB/EFvA)QvA算出。其中，γS為氣體的標準狀態密度，κ為氣體的比熱比，R為氣體常數，k為未依據氣體種類之比例常數，FFvA.FFvB為氣體種類A.B的流動係數。
简体摘要：一种平行分流式流体供应设备与使用该设备之流体的可变型压力式流量控制方法及流体可变型压力式流量控制设备，从压力调整用的l个调整器平行配设复数条流路之流体供应设备中，使各流路之流体供应的开关操作不致对其他流路之稳态供应造成过大的变动。因此，在各流路上配设流量控制用质量流控制器MFC或压力式流量控制设备FCS，某流路之流体供给自关闭而打开时，构成从其流路之质量流控制器MFC动作开始仅延迟预定的延迟时间△t到达设置流量Qs。又，利用l台压力式流量控制设备可高精度流量控制复数气体种类及实现其设备。因此，以临界压力比以下的条件理论性导出通过孔口的气体流量，根据该式定义流动系数，利用该流动系数形成可对应多数之气体种类者。亦即，将孔口8的上游侧压力P1保持在下游压力P2约2倍以上的状态下，通过孔口的气体运算流量Qc以 Qc=KP1(K为常数)运算之流量控制方法中，各种类气体系以FF=(k/γs){2/(κ+l)}](x.1)〔κ/{(κ十l)R}〕1/2计算流动系数FF，气体种类A的运算流量为QA时，在同一孔口、同一上游侧压力及同一上游侧温度的条件下使气体种类B流通时，以其运算流量QvB作为QvB(EFvB/EFvA)QvA算出。其中，γS为气体的标准状态密度，κ为气体的比热比，R为气体常数，k为未依据气体种类之比例常数，FFvA.FFvB为气体种类A.B的流动系数。

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