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51. 发明专利

TW411741B 基體中二個接線區之間導電性橫向連接區之製造方法失效
简体标题：基体中二个接线区之间导电性横向连接区之制造方法
公开(公告)号：TW411741B
公开(公告)日：2000-11-11
申请号：TW087113411
申请日：1998-08-14
申请人：西門斯股份有限公司
发明人：約瑟夫范普姆布羅克 , 馬歇爾希爾曼恩
IPC分类号： H05K , H01L
CPC分类号： H05K3/403 , B29L2031/3493 , H01L21/486 , H01L23/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H05K1/0284 , H05K3/027 , H05K3/045 , H05K3/062 , H05K3/3442 , H05K2201/09045 , H05K2201/09118 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
摘要：在三維空間之已噴鍍澆注之基體(S)中,在噴鍍澆注過程中於外部邊緣區域中及/或空白處之區域中一起形成一些磨齒(Z)。在沈積一金屬層(M)於基體(S)之後藉由金屬層(M)之去除而在磨齒區中特別是在磨齒(Z)被研磨或切割之後產生導電性之橫向連接區(其具有很高之結構粗細度)。
简体摘要：在三维空间之已喷镀浇注之基体(S)中,在喷镀浇注过程中于外部边缘区域中及/或空白处之区域中一起形成一些磨齿(Z)。在沉积一金属层(M)于基体(S)之后借由金属层(M)之去除而在磨齿区中特别是在磨齿(Z)被研磨或切割之后产生导电性之横向连接区(其具有很高之结构粗细度)。

52. 发明专利

TW385455B 改進的單片電感器及其製造方法失效
简体标题：改进的单片电感器及其制造方法
公开(公告)号：TW385455B
公开(公告)日：2000-03-21
申请号：TW087101815
申请日：1998-02-10
申请人：帕斯脈衝工程股份有限公司
发明人：伊格阿比瑞姆
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H01F27/292 , H01F17/0033 , H05K1/0233 , H05K3/3442 , H05K2201/0792 , H05K2201/09381 , H05K2201/09663 , H05K2201/10583 , H05K2201/10636 , Y02P70/611 , Y02P70/613 , Y10T29/4902
摘要：一種單片電感器，其至少包括：一個具有相對設置的末端的長基底，每個末端有一個延伸形成的端蓋，以支承基底與個人電腦電路板相對分離，該端蓋由非安裝區域和傾斜區域形成，以防止基底位於非安裝區域，一個位於非安裝區域處的端蓋的基底側面上的斜側壁，一個向上延伸到相對於非安裝區域的基底側面上的端蓋頂部的斜面，一個部分圍繞每個端蓋延伸的導電焊接區，該導電焊接區有一個在非安裝區域處的斷路槽，用以降低導電焊接區的寄生導電性；以及一個在基底上以螺旋型路徑形成的導電層，該螺旋型路徑在相對兩個端蓋之間延伸並與斜面處的導電焊接區電連接。
简体摘要：一种单片电感器，其至少包括：一个具有相对设置的末端的长基底，每个末端有一个延伸形成的端盖，以支承基底与个人电脑电路板相对分离，该端盖由非安装区域和倾斜区域形成，以防止基底位于非安装区域，一个位于非安装区域处的端盖的基底侧面上的斜侧壁，一个向上延伸到相对于非安装区域的基底侧面上的端盖顶部的斜面，一个部分围绕每个端盖延伸的导电焊接区，该导电焊接区有一个在非安装区域处的断路槽，用以降低导电焊接区的寄生导电性；以及一个在基底上以螺旋型路径形成的导电层，该螺旋型路径在相对两个端盖之间延伸并与斜面处的导电焊接区电连接。

53. 发明专利

TW373199B 電子元件製造之方法失效
简体标题：电子组件制造之方法
公开(公告)号：TW373199B
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：TW087108423
申请日：1998-05-29
申请人：村田製作所股份有限公司
发明人：佐佐木俊哉 , 內山一義 , 川口正彥 , 三崎勝弘 , 松田勝治
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01L21/78 , H01F27/292 , H01L23/645 , H01L2924/0002 , H05K1/117 , H05K3/0052 , H05K3/3442 , H05K3/403 , H05K2201/0969 , Y10T29/49204 , Y10T29/4979 , Y10T29/49815 , H01L2924/00
摘要：一種電子元件製造之方法，包括：於位在一母板表面上的一連接電極中形成一縫隙，使得該縫隙係延伸於與一切割線相交的一方向；且，沿著該切割線以切割母板，同時切割具有該縫隙之連接電極。該連接電極係藉此可靠地暴露於二相對之切割表面上，且該電子元件外部連接之可靠度係作改善。
简体摘要：一种电子组件制造之方法，包括：于位在一母板表面上的一连接电极中形成一缝隙，使得该缝隙系延伸于与一切割线相交的一方向；且，沿着该切割线以切割母板，同时切割具有该缝隙之连接电极。该连接电极系借此可靠地暴露于二相对之切割表面上，且该电子组件外部连接之可靠度系作改善。

54. 发明专利

TW355805B 多層電容器失效
简体标题：多层电容器
公开(公告)号：TW355805B
公开(公告)日：1999-04-11
申请号：TW087103544
申请日：1998-03-11
申请人：村田製作所股份有限公司
发明人：內藤康行 , 谷口政明 , 近藤隆則 , 黑田譽一
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/012 , H01G4/01 , H01G4/232 , H01G4/30 , H05K1/0231 , H05K3/3442
摘要：一種其等效串聯電感被降低之多層電容器係包含一具有大致為矩形的平行六面體之形狀的電容器主體，其具有兩個彼此為相對關係的主要表面以及四個連接該些主要表面之側表面。一電容器單元係藉由一對以一種相對的關係、在一個介電材料層被插入其間之下被配置在該電容器主體之中的第一與第二內部電極而被形成在該電容器主體之中。至少三個第一外部端點電極係位在該電容器主體之側表面上，其中至少一個的外部端點電極係位在該側表面的至少三個表面的每個表面之上。該第一內部電極係具有至少三個第一導引電極，每個導引電極係分別延伸並電耦接至該第一外部電極的其中之一。複數個第二外部電極係分別位在該電容器主體之側表面上，並且該第二內部電極係具有相同複數個第二導引電極，每個導引電極係分別延伸並電耦接至該第二外部電極的其中之一。
简体摘要：一种其等效串联电感被降低之多层电容器系包含一具有大致为矩形的平行六面体之形状的电容器主体，其具有两个彼此为相对关系的主要表面以及四个连接该些主要表面之侧表面。一电容器单元系借由一对以一种相对的关系、在一个介电材料层被插入其间之下被配置在该电容器主体之中的第一与第二内部电极而被形成在该电容器主体之中。至少三个第一外部端点电极系位在该电容器主体之侧表面上，其中至少一个的外部端点电极系位在该侧表面的至少三个表面的每个表面之上。该第一内部电极系具有至少三个第一导引电极，每个导引电极系分别延伸并电耦接至该第一外部电极的其中之一。复数个第二外部电极系分别位在该电容器主体之侧表面上，并且该第二内部电极系具有相同复数个第二导引电极，每个导引电极系分别延伸并电耦接至该第二外部电极的其中之一。

55. 发明专利

TW201803060A 具有改良接觸引線之扁平無引線封裝审中-公开
简体标题：具有改良接触引线之扁平无引线封装
公开(公告)号：TW201803060A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106111768
申请日：2017-04-07
申请人：微晶片科技公司 , MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人：基特那諾瑞桑 , KITNARONG, RANGSUN , 普尼亞珀帕拉奇 , PUNYAPOR, PRACHIT , 普洱蘇帕塔拉蓬 , POOLSUP, PATTARAPON , 庫賽斯瓦特 , KUMSAI, SWAT
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/288
CPC分类号： H01L23/4952 , H01L21/288 , H01L21/4835 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L22/14 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48247 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/92227 , H01L2924/14 , H01L2924/17747 , H05K3/3442 , H05K3/3494 , H01L2924/00014
摘要：根據本發明之一實施例，一種用於製造一積體電路(IC)裝置之方法可包含將一IC晶片安裝至一引線架之一中心支撐結構上。該引線架可包含：複數個接腳，其等自該中心支撐結構延伸；一溝槽，其垂直於該複數個接腳之該等個別接腳圍繞該中心支撐結構延行；及一棒條，其連接該複數個接腳且遠離該中心支撐結構。該方法可進一步包含：將該IC晶片接合至該複數個接腳之至少一些接腳；囊封該引線架及經接合IC晶片，包含用囊封化合物填充該溝槽；自該溝槽移除該囊封化合物，藉此曝露該複數個接腳之該等個別接腳之至少一部分；電鍍該複數個接腳之該曝露部分；及藉由使用小於該溝槽之一寬度之一第一鋸切寬度沿該溝槽鋸切穿過該經囊封引線架而切割該IC封裝使其擺脫該棒條。
简体摘要：根据本发明之一实施例，一种用于制造一集成电路(IC)设备之方法可包含将一IC芯片安装至一引线架之一中心支撑结构上。该引线架可包含：复数个接脚，其等自该中心支撑结构延伸；一沟槽，其垂直于该复数个接脚之该等个别接脚围绕该中心支撑结构延行；及一棒条，其连接该复数个接脚且远离该中心支撑结构。该方法可进一步包含：将该IC芯片接合至该复数个接脚之至少一些接脚；囊封该引线架及经接合IC芯片，包含用囊封化合物填充该沟槽；自该沟槽移除该囊封化合物，借此曝露该复数个接脚之该等个别接脚之至少一部分；电镀该复数个接脚之该曝露部分；及借由使用小于该沟槽之一宽度之一第一锯切宽度沿该沟槽锯切穿过该经囊封引线架而切割该IC封装使其摆脱该棒条。

56. 发明专利

TWI562332B 安裝凹陷離散元件在有機基板上的方法及其裝置有权
简体标题：安装凹陷离散组件在有机基板上的方法及其设备
公开(公告)号：TWI562332B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW102144283
申请日：2013-12-03
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：鮑德溫克里斯 , BALDWIN, CHRIS , 羅伊邁海爾 , ROY, MIHIR
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H05K3/4697 , H01L2224/16225 , H05K1/183 , H05K3/0038 , H05K3/3442 , H05K3/3484 , H05K2201/09472 , H05K2203/0126 , H05K2203/0264 , H05K2203/0384 , H05K2203/0769 , Y10T29/4913

57. 发明专利

TWI525649B 電子零件有权
简体标题：电子零件
公开(公告)号：TWI525649B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW101122277
申请日：2012-06-21
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：服部和生 , HATTORI, KAZUO , 藤本力 , FUJIMOTO, ISAMU
IPC分类号： H01G2/06
CPC分类号： H05K1/181 , H01G2/065 , H01G4/228 , H05K3/3442 , H05K2201/049 , H05K2201/09181 , H05K2201/10636 , Y02P70/611 , Y02P70/613

58. 发明专利

TW201607387A 電路基板、影像感測器單元、影像讀取裝置及影像形成裝置审中-公开
简体标题：电路基板、影像传感器单元、影像读取设备及影像形成设备
公开(公告)号：TW201607387A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104113903
申请日：2015-04-30
申请人：佳能元件股份有限公司 , CANON COMPONENTS, INC.
发明人：三原晃生 , MIHARA, AKIO
IPC分类号： H05K1/11 , H05K1/18 , H05K1/03 , H04N1/00 , H04N1/191
CPC分类号： H05K3/284 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H04N1/00557 , H04N1/00559 , H04N1/191 , H05K1/0313 , H05K1/111 , H05K1/181 , H05K3/305 , H05K3/3442 , H05K2201/09418 , H05K2201/10151 , H05K2201/10636 , H05K2203/049 , Y02P70/611 , H01L2224/32225 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：電路基板，係具有具備電線接合用之SWB墊與焊墊之印刷基板、藉熱硬化性之黏合劑而安裝於印刷基板並具備與SWB墊利用電線接合而電連接的電線接合用之FWB墊的影像感測器IC、及藉焊接而安裝於焊墊的表面安裝型元件類，表面安裝型元件類與焊墊，係藉包含添加了溴之焊劑的焊料而連接，同時於焊料之表面，係形成供於就往SWB墊及FWB墊之溴的附著作抑制用之塗佈膜。
简体摘要：电路基板，系具有具备电线接合用之SWB垫与焊垫之印刷基板、藉热硬化性之黏合剂而安装于印刷基板并具备与SWB垫利用电线接合而电连接的电线接合用之FWB垫的影像传感器IC、及藉焊接而安装于焊垫的表面安装型组件类，表面安装型组件类与焊垫，系藉包含添加了溴之焊剂的焊料而连接，同时于焊料之表面，系形成供于就往SWB垫及FWB垫之溴的附着作抑制用之涂布膜。

59. 发明专利

TW201521045A 過電流保護元件及其保護電路板审中-公开
简体标题：过电流保护组件及其保护电路板
公开(公告)号：TW201521045A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102142744
申请日：2013-11-25
申请人：聚鼎科技股份有限公司 , POLYTRONICS TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：曾郡騰 , TSENG, CHUN TENG , 蘇啟仁 , SU, CHI JEN , 利文峯 , LEE, WEN FENG
IPC分类号： H01C1/14 , H01C7/02 , H05K1/18
CPC分类号： H05K1/181 , H01C7/02 , H01C7/021 , H05K1/111 , H05K1/189 , H05K3/3442 , Y02P70/611 , Y02P70/613
摘要：一種過電流保護元件，用於焊接於一電路板表面，其包含PTC材料層、第一電極箔、第二電極箔、焊接區及金屬連接件。PTC材料層具有相對之第一和第二表面，第一電極箔物理接觸該第一表面，第二電極箔電氣連接該PTC材料層之第二表面。第二電極箔和焊接區均位於該過電流保護元件下表面，且焊接區與該第二電極箔隔離。金屬連接件位於過電流保護元件側表面。其中該第二電極箔用於焊接於該電路板中之電極區，該焊接區與金屬連接件作為焊接固定於該電路板中之相應焊墊之用。
简体摘要：一种过电流保护组件，用于焊接于一电路板表面，其包含PTC材料层、第一电极箔、第二电极箔、焊接区及金属连接件。PTC材料层具有相对之第一和第二表面，第一电极箔物理接触该第一表面，第二电极箔电气连接该PTC材料层之第二表面。第二电极箔和焊接区均位于该过电流保护组件下表面，且焊接区与该第二电极箔隔离。金属连接件位于过电流保护组件侧表面。其中该第二电极箔用于焊接于该电路板中之电极区，该焊接区与金属连接件作为焊接固定于该电路板中之相应焊垫之用。

60. 发明专利

TW201442206A 安裝在有機基板上的凹陷離散元件审中-公开
简体标题：安装在有机基板上的凹陷离散组件
公开(公告)号：TW201442206A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102144283
申请日：2013-12-03
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：鮑德溫克里斯 , BALDWIN, CHRIS , 羅伊邁海爾 , ROY, MIHIR
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H05K3/4697 , H01L2224/16225 , H05K1/183 , H05K3/0038 , H05K3/3442 , H05K3/3484 , H05K2201/09472 , H05K2203/0126 , H05K2203/0264 , H05K2203/0384 , H05K2203/0769 , Y10T29/4913
摘要：一種方法及裝置，包括有機多層基板，此有機多層基板具有被設置於此有機多層基板的凹陷層上之圖案化的導體。離散元件被耦接至此凹陷層，而使得此元件自此有機多層基板的頂層凹陷。
简体摘要：一种方法及设备，包括有机多层基板，此有机多层基板具有被设置于此有机多层基板的凹陷层上之图案化的导体。离散组件被耦接至此凹陷层，而使得此组件自此有机多层基板的顶层凹陷。

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