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51. 发明专利

TW201709469A 三維積體電路結構及其製造方法审中-公开
简体标题：三维集成电路结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201709469A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104138456
申请日：2015-11-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蔡文景 , TSAI, WEN-CHING , 陳明發 , CHEN, MING-FA , 余振華 , YU, CHEN-HUA
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/58 , H01L21/60
CPC分类号： H01L22/32 , H01L21/563 , H01L21/82 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L23/3171 , H01L23/538 , H01L23/5384 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0236 , H01L2224/02372 , H01L2224/08235 , H01L2924/37001
摘要：本揭露提供一種三維積體電路結構，包括第一晶粒、基板穿孔以及連接件。第一晶粒藉由第一晶粒的第一介電層與第二晶粒的第二介電層以與第二晶粒接合。第一保護層介於第一介電層與第一晶粒的第一基板之間，且第一測試墊嵌入於第一保護層中。基板穿孔穿過第一晶粒且電性連接第二晶粒。連接件經由基板穿孔電性連接第一晶粒與第二晶粒。
简体摘要：本揭露提供一种三维集成电路结构，包括第一晶粒、基板穿孔以及连接件。第一晶粒借由第一晶粒的第一介电层与第二晶粒的第二介电层以与第二晶粒接合。第一保护层介于第一介电层与第一晶粒的第一基板之间，且第一测试垫嵌入于第一保护层中。基板穿孔穿过第一晶粒且电性连接第二晶粒。连接件经由基板穿孔电性连接第一晶粒与第二晶粒。

52. 发明专利

TW201705398A 可靠封裝的結構和方法审中-公开
简体标题：可靠封装的结构和方法
公开(公告)号：TW201705398A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105119285
申请日：2016-06-20
申请人：英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人：烏卓塞普里昂艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 高桂蓮 , GAO, GUILIAN , 王亮 , WANG, LIANG , 沈虹 , SHEN, HONG , 西塔朗亞卡爾古德R , SITARAM, ARKALGUD R.
IPC分类号： H01L23/28
CPC分类号： H01L21/82 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L24/98 , H01L2224/04105 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512
摘要：本發明揭示裝置和形成該裝置的方法，該裝置包括形成在基板裝置的基板中的孔穴，該基板裝置亦包括形成在該基板中的導電通孔。晶片裝置、晶圓和其他基板裝置可被安裝至該基板裝置。囊封層和材料可被形成在該基板裝置上方；以填充該孔穴。
简体摘要：本发明揭示设备和形成该设备的方法，该设备包括形成在基板设备的基板中的孔穴，该基板设备亦包括形成在该基板中的导电通孔。芯片设备、晶圆和其他基板设备可被安装至该基板设备。囊封层和材料可被形成在该基板设备上方；以填充该孔穴。

55. 发明专利

TW201643999A 多元件封裝體與其製備方法审中-公开
简体标题：多组件封装体与其制备方法
公开(公告)号：TW201643999A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104127533
申请日：2015-08-24
申请人：華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
发明人：管式凡 , KUAN, SHIHFAN , 羅翊仁 , LO, YIJEN
IPC分类号： H01L21/77 , H01L23/10
CPC分类号： H01L24/09 , H01L21/4846 , H01L21/76877 , H01L21/82 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/525 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/17 , H01L2224/0231 , H01L2224/0237 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/73209 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2224/11
摘要：一種多元件封裝體，包含一基板、至少兩個元件區域、一第一重佈局層、一外部晶片以及複數個第一連接件。此兩個元件區域係自基板形成，而第一重佈局層設置於基板上，並電性連接至此兩個元件區域。外部晶片設置於第一重佈局層上，而複數個第一連接件設置於第一重佈局層與外部晶片之間，以連接第一重佈局層與外部晶片。
简体摘要：一种多组件封装体，包含一基板、至少两个组件区域、一第一重布局层、一外部芯片以及复数个第一连接件。此两个组件区域系自基板形成，而第一重布局层设置于基板上，并电性连接至此两个组件区域。外部芯片设置于第一重布局层上，而复数个第一连接件设置于第一重布局层与外部芯片之间，以连接第一重布局层与外部芯片。

56. 发明专利

TWI543343B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI543343B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW102146358
申请日：2013-12-16
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：鄭易沂 , CHENG, I I , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 蘇斌嘉 , SU, PINCHIA , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/28
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L21/82 , H01L23/585 , H01L27/14 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

57. 发明专利

TW201621996A 用於單一化半導體晶圓之方法审中-公开
简体标题：用於单一化半导体晶圆之方法
公开(公告)号：TW201621996A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104133575
申请日：2015-10-13
申请人：聯測總部私人有限公司 , UTAC HEADQUARTERS PTE. LTD.
发明人：尼爾森威廉約翰 , NELSON, WILLIAM JOHN , 撒切黃桑納撒尼爾 , SUTHIWONGSUNTHORN, NATHAPONG , 何明永 , HO, BENG YEUNG , 王寶龍 , ONG, POH LENG WILSON
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/3083 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/82 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3171 , H01L23/544 , H01L24/14 , H01L2223/54453 , H01L2224/94 , H01L2224/11 , H01L2224/03
摘要：本發明呈現用於切割一晶圓之方法。該方法包含提供具有第一主表面及第二主表面之一晶圓。該晶圓經製備而在主裝置區上具有複數個晶粒，且該複數個晶粒係藉由該晶圓之該第一主表面上之切割通道彼此隔開。在該晶圓之第一主表面或第二主表面上方提供一膜。該膜至少覆蓋對應於該等主裝置區之區域。該方法亦包含使用該膜作為一蝕刻遮罩及透過該晶圓之經曝露半導體材料來電漿蝕刻該晶圓以形成間隙，以將該晶圓上之該複數個晶粒分為複數個個別晶粒。
简体摘要：本发明呈现用于切割一晶圆之方法。该方法包含提供具有第一主表面及第二主表面之一晶圆。该晶圆经制备而在主设备区上具有复数个晶粒，且该复数个晶粒系借由该晶圆之该第一主表面上之切割信道彼此隔开。在该晶圆之第一主表面或第二主表面上方提供一膜。该膜至少覆盖对应于该等主设备区之区域。该方法亦包含使用该膜作为一蚀刻遮罩及透过该晶圆之经曝露半导体材料来等离子蚀刻该晶圆以形成间隙，以将该晶圆上之该复数个晶粒分为复数个个别晶粒。

59. 发明专利

TW201546888A 晶圓之加工方法审中-公开
简体标题：晶圆之加工方法
公开(公告)号：TW201546888A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104113394
申请日：2015-04-27
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：中村勝 , NAKAMURA, MASARU
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/02076 , H01L21/304 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L21/82 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
摘要：本發明之課題是提供一種晶圓之加工方法，其為在沿著分割預定線形成有改質層之晶圓的表面上貼附保護膠帶，且對晶圓的背面一邊供給磨削水一邊磨削以形成為預定之厚度並且將晶圓分割成一個個的器件之時，可不污染器件的側面及表面而實施。解決手段為一種晶圓之加工方法，其為：將於表面上使複數條分割預定線形成為格子狀並且在藉由該複數條分割預定線所劃分之複數個區域中形成有器件之晶圓，沿著分割預定線分割成一個個的器件，並包含改質層形成步驟與背面磨削步驟，該改質層形成步驟是以對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線在內部定位聚光點而沿著分割預定線進行照射，並在晶圓內部沿著分割預定線形成改質層，該背面磨削步驟是對晶圓的背面一邊供給磨削水一邊磨削以形成為預定的厚度並且以改質層作為破斷起點而沿著分割預定線將晶圓分割成一個個的器件，且在實施背面磨削步驟之前，會實施在晶圓的表面被覆液狀樹脂以形成保護膜之保護膜形成步驟，和在保護膜的表面貼附保護膠帶之保護膠帶貼附步驟。
简体摘要：本发明之课题是提供一种晶圆之加工方法，其为在沿着分割预定线形成有改质层之晶圆的表面上贴附保护胶带，且对晶圆的背面一边供给磨削水一边磨削以形成为预定之厚度并且将晶圆分割成一个个的器件之时，可不污染器件的侧面及表面而实施。解决手段为一种晶圆之加工方法，其为：将于表面上使复数条分割预定线形成为格子状并且在借由该复数条分割预定线所划分之复数个区域中形成有器件之晶圆，沿着分割预定线分割成一个个的器件，并包含改质层形成步骤与背面磨削步骤，该改质层形成步骤是以对晶圆具有穿透性之波长的激光光线在内部定位聚光点而沿着分割预定线进行照射，并在晶圆内部沿着分割预定线形成改质层，该背面磨削步骤是对晶圆的背面一边供给磨削水一边磨削以形成为预定的厚度并且以改质层作为破断起点而沿着分割预定线将晶圆分割成一个个的器件，且在实施背面磨削步骤之前，会实施在晶圆的表面被覆液状树脂以形成保护膜之保护膜形成步骤，和在保护膜的表面贴附保护胶带之保护胶带贴附步骤。

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