专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

51. 发明专利

TWI416761B 使用雷射剝離技術的發光二極體製造方法有权
简体标题：使用激光剥离技术的发光二极管制造方法
公开(公告)号：TWI416761B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099101514
申请日：2010-01-20
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：金彰淵 , KIM, CHANG-YOUN , 李俊熙 , LEE, JOON-HEE , 柳宗均 , YOU, JONG-KYUN , 金華睦 , KIM, HWA-MOK
IPC分类号： H01L33/00 , B23K26/38
CPC分类号： H01L33/0079

52. 发明专利

TWI410169B 具有發光單元陣列的發光元件有权
简体标题：具有发光单元数组的发光组件
公开(公告)号：TWI410169B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW095146586
申请日：2006-12-13
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：李在皓 , LEE, JAE HO , 尹麗鎮 , YOON, YEO JIN , 黃義鎮 , HWANG, EU JIN , 伊夫拉克魯瓦 , YVES, LACROIX
IPC分类号： H05B37/00 , H01L33/00
CPC分类号： H05B33/0821 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L2224/371 , H01L2224/40137 , H01L2924/00014 , H01L2924/12041 , H05B33/0803 , H05B33/0809 , Y02B20/348 , H01L2924/00 , H01L2224/37099 , H01L2224/84

53. 发明专利

TWI389335B （Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ型化合物半導體及其製造方法有权
简体标题：（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ型化合物半导体及其制造方法
公开(公告)号：TWI389335B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW095100305
申请日：2006-01-04
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：李貞勳 , LEE, CHUNG HOON
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/0095 , H01L33/32

54. 发明专利

TWI381516B 發光二極體封裝有权
简体标题：发光二极管封装
公开(公告)号：TWI381516B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW097128685
申请日：2008-07-29
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：金大原 , KIM, DAE-WON , 葛大成 , KAL, DAE-SUNG
IPC分类号： H01L25/13
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L2224/48137 , H01L2224/49107

55. 发明专利

TWI377700B 具有Ａ１ＩｎＧａＰ主動層之發光二極體以及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE HAVING A1InGaP ACTIVE LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：具有Ａ１ＩｎＧａＰ主动层之发光二极管以及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE HAVING A1InGaP ACTIVE LAYER AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI377700B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW096134849
申请日：2007-09-19
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：李貞勳 , 李在皓 , 金美海
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2224/48137 , H01L2224/49107
摘要：一種具有AlInGaP主動層的發光二極體以及其製造方法。此發光二極體包括基板。多個發光胞定位成彼此間隔，其中各發光胞具有第一導電類型的下半導體層、AlInGaP主動層以及第二導電類型的上半導體層。同時，半絕緣層介於基板和發光胞之間。此外，導線可串聯連接該多個發光胞。因此，可以提供一種由AC電源驅動的發光二極體，其中多個發光胞藉由導線彼此串聯連接。
简体摘要：一种具有AlInGaP主动层的发光二极管以及其制造方法。此发光二极管包括基板。多个发光胞定位成彼此间隔，其中各发光胞具有第一导电类型的下半导体层、AlInGaP主动层以及第二导电类型的上半导体层。同时，半绝缘层介于基板和发光胞之间。此外，导线可串联连接该多个发光胞。因此，可以提供一种由AC电源驱动的发光二极管，其中多个发光胞借由导线彼此串联连接。

56. 发明专利

TW201244183A 晶圓等級ＬＥＤ封裝及其製造方法 WAFER LEVEL LED PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：晶圆等级ＬＥＤ封装及其制造方法 WAFER LEVEL LED PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201244183A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101102898
申请日：2012-01-30
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：徐大雄 , 李貞勳
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/507 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要：本揭露提供一種晶圓等級LED封裝及其製造方法。LED封裝的製造方法包括:在第一基板上方形成多個半導體堆疊,各半導體堆疊包括第一半導體層、第二半導體層以及主動區,主動區配置於第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間;製備第二基板,第二基板包括多個對應半導體堆疊而排列的第一引線電極與第二引線電極;接合多個半導體堆疊到第二基板;以及於接合完成之後,將第一基板與第二基板切割成多個封裝。據此,提出所述之晶圓等級LED。
简体摘要：本揭露提供一种晶圆等级LED封装及其制造方法。LED封装的制造方法包括:在第一基板上方形成多个半导体堆栈,各半导体堆栈包括第一半导体层、第二半导体层以及主动区,主动区配置于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间;制备第二基板,第二基板包括多个对应半导体堆栈而排列的第一引线电极与第二引线电极;接合多个半导体堆栈到第二基板;以及于接合完成之后,将第一基板与第二基板切割成多个封装。据此,提出所述之晶圆等级LED。

57. 发明专利

TWI368337B 具有超晶格結構之阻障層的發光二極體 LIGHT EMITTING DIODE HAVING BARRIER LAYER OF SUPERLATTICE STRUCTURE 有权
简体标题：具有超晶格结构之阻障层的发光二极管 LIGHT EMITTING DIODE HAVING BARRIER LAYER OF SUPERLATTICE STRUCTURE
公开(公告)号：TWI368337B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：TW096146904
申请日：2007-12-07
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：李尚俊 , 吳德煥 , 金景海 , 韓昌錫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06
摘要：本發明揭露一種具有具超晶格結構之阻障層的發光二極體(LED)。在具有位於基於GaN之N型化合物半導體層與基於GaN之P型化合物半導體層之間的活性區域之LED中，活性區域包括井層以及具有超晶格結構之阻障層。當使用具有超晶格結構之阻障層時，有可能減少由井層與阻障層之間的晶格失配引起之缺陷的發生。
简体摘要：本发明揭露一种具有具超晶格结构之阻障层的发光二极管(LED)。在具有位于基于GaN之N型化合物半导体层与基于GaN之P型化合物半导体层之间的活性区域之LED中，活性区域包括井层以及具有超晶格结构之阻障层。当使用具有超晶格结构之阻障层时，有可能减少由井层与阻障层之间的晶格失配引起之缺陷的发生。

58. 发明专利

TW201131835A 發光元件及其製造方法 LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法 LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201131835A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099143755
申请日：2010-12-14
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：徐源哲 , 李剡劤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247
摘要：揭露內容為一種發光元件及其製造方法。此發光元件包括:基底、第一及第二發光單元與連接層。每一個第一及第二發光單元包含第一導電型上半導體層、主動層、第二導電型下半導體層及孔洞。孔洞透過第二導電型下半導體層及主動層而形成以暴露第一導電型上半導體層,連接層位在第一及第二發光單元之間,並將第一發光單元及第二發光單元互相電性連接。孔洞分別位在第一及第二發光單元的中央區域,而連接層將第一發光單元的第二導電型下半導體層電性連接至暴露在第二發光單元的孔洞中的第一導電型上半導體層。因連接層位在基底與發光單元之間,其可能藉連接層而防止光的散失。此外,因孔洞位在發光單元之中央區域,連接層可連接在第一導電型上半導體層的中央區域上,藉此允許電流散佈到發光單元的廣域上。
简体摘要：揭露内容为一种发光组件及其制造方法。此发光组件包括:基底、第一及第二发光单元与连接层。每一个第一及第二发光单元包含第一导电型上半导体层、主动层、第二导电型下半导体层及孔洞。孔洞透过第二导电型下半导体层及主动层而形成以暴露第一导电型上半导体层,连接层位在第一及第二发光单元之间,并将第一发光单元及第二发光单元互相电性连接。孔洞分别位在第一及第二发光单元的中央区域,而连接层将第一发光单元的第二导电型下半导体层电性连接至暴露在第二发光单元的孔洞中的第一导电型上半导体层。因连接层位在基底与发光单元之间,其可能藉连接层而防止光的散失。此外,因孔洞位在发光单元之中央区域,连接层可连接在第一导电型上半导体层的中央区域上,借此允许电流散布到发光单元的广域上。

59. 发明专利

TWI322516B 具有光結晶結構的ＡＣ發光元件以及其製造方法 AC LIGHT EMITTING DEVICE HAVING PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：具有光结晶结构的ＡＣ发光组件以及其制造方法 AC LIGHT EMITTING DEVICE HAVING PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI322516B
公开(公告)日：2010-03-21
申请号：TW095137667
申请日：2006-10-13
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：李在皓 , 尹麗鎮 , 黃義鎮 , 金鍾奎 , 李俊熙
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/007 , H01L33/20 , H01L2224/48137 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265
摘要：一種具有光結晶結構的AC發光元件以及其製造方法。發光元件包括多個發光單元與電性連接各發光單元的金屬線。此外，各發光單元包括一第一傳導類型半導體層、配置於第一傳導類型半導體層之一區上的一第二傳導類型半導體層以及配置於第一與第二傳導類型半導體層之間的一主動層。此外，一光結晶結構被形成在第二傳導類型半導體層。光結晶結構避免從主動層發出之光線藉由一週期性陣列而側向傳播，使得發光元件之出光效率可被改善。另外，金屬線使多個發光單元互相電性連接而可提供一AC發光元件。 Disclosed is an AC light emitting device having photonic crystal structures and a method of fabricating the same. The light emitting device includes a plurality of light emitting cells and metallic wirings electrically connecting the light emitting cells with one another. Further, each of the light emitting cells includes a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer disposed on one region of the first conductive type semiconductor layer, and an active layer interposed between the first and second conductive type semiconductor layers. In addition, a photonic crystal structure is formed in the second conductive type semiconductor layer. The photonic crystal structure prevents light emitted from the active layer from laterally propagating by means of a periodic array, such that light extraction efficiency of the light emitting device can be improved. Furthermore, the metallic wirings electrically connect a plurality of light emitting cells with one another such that an AC light emitting device can be provided. 【創作特點】本發明是設想以解決習知技術中的前述問題。本發明之目的是提供一種發光元件，其藉由使用一光結晶結構且可直接使用AC電源驅動而不需A/D轉換器以改善出光效率。
根據本發明的一方面以達成目的，提供一種具有光結晶結構的AC發光元件。發光元件包括多個發光單元與金屬線以電性連接各發光單元。此外，各發光單元包括第一傳導類型半導體層、配置於第一傳導類型半導體層上之一區的第二傳導類型半導體層以及配置於第一與第二傳導類型半導體層之間的主動層。此外，光結晶結構被形成在第二傳導類型半導體層。光結晶結構避免由主動層發出的光側向傳播，使得發光元件之出光效率可被改善。另外，金屬線使多個發光單元互相電性連接，而可提供AC操作的發光元件。
光結晶結構可具有各種形狀且可以二維方式規則排列。舉例而言，光結晶結構可包括洞之晶格，其形成在第二傳導類型半導體層且以二維配置。或者，光結晶結構可包括藉由部分地蝕刻第二傳導類型半導體層而形成的週期性不均勻或藉由蝕刻第二傳導類型半導體層而形成的第二傳導類型半導體條之晶格。光結晶結構被週期性地安排以創造光子能帶間隙並預防光側向傳播。所以，藉由光結晶結構而使從主動層發出的光不會側向傳播，並藉此被向外射出。因此，發光元件之出光效率可被改善。
另外，第一電極墊可被形成在第一傳導類型半導體層之另一區。此外，透明電極覆蓋第二傳導類型半導體層。此外，第二電極墊可被配置於透明電極上。此例中，各金屬線連接相鄰發光單元的第一與第二電極墊。
根據本發明的另一方面以達成目的，提供一種製造具有光結晶結構的AC發光元件的方法。本發明之方法包括形成第一傳導類型半導體層、主動層與第二傳導類型半導體層於基板上。第二傳導類型半導體層、主動層與第一傳導類型半導體層被圖案化以形成多個發光單元。各發光單元包括被隔離的第一傳導類型半導體層、配置於被隔離的第一傳導類型半導體層之一區上的第二傳導類型半導體層、配置於被隔離的第一傳導類型半導體層與第二傳導類型半導體層之間的主動層以及形成在第二傳導類型半導體層的光結晶結構。用於電性連接具有光結晶結構之發光單元的金屬線接著被形成。根據本發明，既然光結晶結構被形成在第二傳導類型半導體層，則製程可簡化。此外，既然主動層與第一傳導類型半導體層不需被蝕刻，則可縮短蝕刻時間。因此，可減少可能發生在第一傳導類型半導體層、主動層以及第二傳導類型半導體層的蝕刻損毀。此外，既然金屬線使發光單元互相電性連接，則可提供AC操作的發光元件。
光結晶結構可藉由使用微影與蝕刻製程蝕刻第二傳導類型半導體層而形成，且可使用電子束平版印刷(e－beam lithography)或全像術。
此外，透明電極被形成於具有光結晶結構之第二傳導類型半導體層上。此外，第一電極墊可被形成於第一傳導類型半導體層之另一區上，而第二電極墊可被形成於透明電極上。各金屬線連接相鄰發光單元之第一與第二電極墊。優點
根據本發明，可提供具有光結晶結構的AC發光元件，其出光效率可明顯增加。
简体摘要：一种具有光结晶结构的AC发光组件以及其制造方法。发光组件包括多个发光单元与电性连接各发光单元的金属线。此外，各发光单元包括一第一传导类型半导体层、配置于第一传导类型半导体层之一区上的一第二传导类型半导体层以及配置于第一与第二传导类型半导体层之间的一主动层。此外，一光结晶结构被形成在第二传导类型半导体层。光结晶结构避免从主动层发出之光线借由一周期性数组而侧向传播，使得发光组件之出光效率可被改善。另外，金属线使多个发光单元互相电性连接而可提供一AC发光组件。 Disclosed is an AC light emitting device having photonic crystal structures and a method of fabricating the same. The light emitting device includes a plurality of light emitting cells and metallic wirings electrically connecting the light emitting cells with one another. Further, each of the light emitting cells includes a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer disposed on one region of the first conductive type semiconductor layer, and an active layer interposed between the first and second conductive type semiconductor layers. In addition, a photonic crystal structure is formed in the second conductive type semiconductor layer. The photonic crystal structure prevents light emitted from the active layer from laterally propagating by means of a periodic array, such that light extraction efficiency of the light emitting device can be improved. Furthermore, the metallic wirings electrically connect a plurality of light emitting cells with one another such that an AC light emitting device can be provided. 【创作特点】本发明是设想以解决习知技术中的前述问题。本发明之目的是提供一种发光组件，其借由使用一光结晶结构且可直接使用AC电源驱动而不需A/D转换器以改善出光效率。根据本发明的一方面以达成目的，提供一种具有光结晶结构的AC发光组件。发光组件包括多个发光单元与金属线以电性连接各发光单元。此外，各发光单元包括第一传导类型半导体层、配置于第一传导类型半导体层上之一区的第二传导类型半导体层以及配置于第一与第二传导类型半导体层之间的主动层。此外，光结晶结构被形成在第二传导类型半导体层。光结晶结构避免由主动层发出的光侧向传播，使得发光组件之出光效率可被改善。另外，金属线使多个发光单元互相电性连接，而可提供AC操作的发光组件。光结晶结构可具有各种形状且可以二维方式守则排列。举例而言，光结晶结构可包括洞之晶格，其形成在第二传导类型半导体层且以二维配置。或者，光结晶结构可包括借由部分地蚀刻第二传导类型半导体层而形成的周期性不均匀或借由蚀刻第二传导类型半导体层而形成的第二传导类型半导体条之晶格。光结晶结构被周期性地安排以创造光子能带间隙并预防光侧向传播。所以，借由光结晶结构而使从主动层发出的光不会侧向传播，并借此被向外射出。因此，发光组件之出光效率可被改善。另外，第一电极垫可被形成在第一传导类型半导体层之另一区。此外，透明电极覆盖第二传导类型半导体层。此外，第二电极垫可被配置于透明电极上。此例中，各金属线连接相邻发光单元的第一与第二电极垫。根据本发明的另一方面以达成目的，提供一种制造具有光结晶结构的AC发光组件的方法。本发明之方法包括形成第一传导类型半导体层、主动层与第二传导类型半导体层于基板上。第二传导类型半导体层、主动层与第一传导类型半导体层被图案化以形成多个发光单元。各发光单元包括被隔离的第一传导类型半导体层、配置于被隔离的第一传导类型半导体层之一区上的第二传导类型半导体层、配置于被隔离的第一传导类型半导体层与第二传导类型半导体层之间的主动层以及形成在第二传导类型半导体层的光结晶结构。用于电性连接具有光结晶结构之发光单元的金属线接着被形成。根据本发明，既然光结晶结构被形成在第二传导类型半导体层，则制程可简化。此外，既然主动层与第一传导类型半导体层不需被蚀刻，则可缩短蚀刻时间。因此，可减少可能发生在第一传导类型半导体层、主动层以及第二传导类型半导体层的蚀刻损毁。此外，既然金属线使发光单元互相电性连接，则可提供AC操作的发光组件。光结晶结构可借由使用微影与蚀刻制程蚀刻第二传导类型半导体层而形成，且可使用电子束平版印刷(e－beam lithography)或全像术。此外，透明电极被形成于具有光结晶结构之第二传导类型半导体层上。此外，第一电极垫可被形成于第一传导类型半导体层之另一区上，而第二电极垫可被形成于透明电极上。各金属线连接相邻发光单元之第一与第二电极垫。优点根据本发明，可提供具有光结晶结构的AC发光组件，其出光效率可明显增加。

60. 发明专利

TW200917604A 具有奈米圖案的雷射二極體及其製造方法 LASER DIODE HAVING NANO PATTERNS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有奈米图案的激光二极管及其制造方法 LASER DIODE HAVING NANO PATTERNS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200917604A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097128686
申请日：2008-07-29
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. , 德島大學 THE UNIVERSITY OF TOKUSHIMA
发明人：酒井士郎 SAKAI, SHIRO
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/12 , H01S5/34333 , Y10S977/72
摘要：一種具有奈米圖案的雷射二極體。此雷射二極體具有一基板。第一導電類型覆層設置於基板上,且第二導電類型覆層設置於第一導電類型覆層上。主動層介於第一和第二導電類型覆層之間。柱形奈米圖案週期性地配置於第二導電類型覆層的表面上。因此,提供了一種用於波長為重要參數的應用中的雷射二極體,例如分佈式回授雷射二極體。
简体摘要：一种具有奈米图案的激光二极管。此激光二极管具有一基板。第一导电类型覆层设置于基板上,且第二导电类型覆层设置于第一导电类型覆层上。主动层介于第一和第二导电类型覆层之间。柱形奈米图案周期性地配置于第二导电类型覆层的表面上。因此,提供了一种用于波长为重要参数的应用中的激光二极管,例如分布式回授激光二极管。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式