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41. 发明专利

TWI368946B 半導體偵光元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
简体标题：半导体侦光组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI368946B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW097106584
申请日：2008-02-26
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：菊地真人武 , 中島康雄 , 中島美幸 , 佐久間仁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/101 , H01L31/02162 , H01L31/022416
摘要：【課題】本發明的目的係發揮絕緣膜作為低反射膜所要的功能，並提供抑制暗電流的半導體偵光元件及其製造方法。
【解決手段】包括絕緣膜形成步驟，在半導體上形成絕緣膜；以及電極形成步驟，在上述半導體應除去接觸窗之處形成電極。上述電極形成步驟後，包括絕緣膜保護用光阻形成步驟，在上述絕緣膜上形成光阻。
包括供電層形成步驟，在上述光阻及上述電極上，形成金屬的供電層；電鍍形成步驟，上述供電層形成步驟後，在相接上述電極的上述供電層上進行電鍍形成；以及供電層蝕刻步驟，上述電鍍形成步驟後，留下應成為上述電極的部分，蝕刻上述供電層。
更包括絕緣膜保護用光阻除去步驟，在上述供電層蝕刻步驟後，除去上述光阻。
简体摘要：【课题】本发明的目的系发挥绝缘膜作为低反射膜所要的功能，并提供抑制暗电流的半导体侦光组件及其制造方法。【解决手段】包括绝缘膜形成步骤，在半导体上形成绝缘膜；以及电极形成步骤，在上述半导体应除去接触窗之处形成电极。上述电极形成步骤后，包括绝缘膜保护用光阻形成步骤，在上述绝缘膜上形成光阻。包括供电层形成步骤，在上述光阻及上述电极上，形成金属的供电层；电镀形成步骤，上述供电层形成步骤后，在相接上述电极的上述供电层上进行电镀形成；以及供电层蚀刻步骤，上述电镀形成步骤后，留下应成为上述电极的部分，蚀刻上述供电层。更包括绝缘膜保护用光阻除去步骤，在上述供电层蚀刻步骤后，除去上述光阻。

42. 发明专利

TW201203008A 用於手勢辨識之串鏈近接感測器 SERIAL-CHAINING PROXIMITY SENSORS FOR GESTURE RECOGNITION 审中-公开
简体标题：用于手势辨识之串链近接传感器 SERIAL-CHAINING PROXIMITY SENSORS FOR GESTURE RECOGNITION
公开(公告)号：TW201203008A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100103045
申请日：2011-01-27
申请人：英特希爾美國公司
发明人：克雷達克華倫 , 瑞特大衛W , 枸登菲利普
IPC分类号： G06F , G01S
CPC分类号： G01N21/55 , G01J1/46 , G01J9/00 , G01S17/08 , H01L31/101
摘要：本發明提供一種運用一感測器串鏈來確認一移動中物體之位置的系統與方法。該串鏈會降低該運動偵測系統所需要的電力，從而可將該運動偵測系統施行在一低電力計算裝置(例如，一微控制器)。該串鏈不需要專屬接腳便能夠提供自動位址分配。該串鏈還能夠自動定序接取一共享的LED。該串鏈還能夠對來自該運動偵測系統中多個感測器的資料自動進行時間關聯。
简体摘要：本发明提供一种运用一传感器串链来确认一移动中物体之位置的系统与方法。该串链会降低该运动侦测系统所需要的电力，从而可将该运动侦测系统施行在一低电力计算设备(例如，一单片机)。该串链不需要专属接脚便能够提供自动位址分配。该串链还能够自动定序接取一共享的LED。该串链还能够对来自该运动侦测系统中多个传感器的数据自动进行时间关联。

43. 发明专利

TW201143057A 製造生長於背側照明影像感測器上之奈米線光偵測器 MANUFACTURING NANOWIRE PHOTO-DETECTOR GROWN ON A BACK-SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR 审中-公开
简体标题：制造生长于背侧照明影像传感器上之奈米线光侦测器 MANUFACTURING NANOWIRE PHOTO-DETECTOR GROWN ON A BACK-SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR
公开(公告)号：TW201143057A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099142977
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司
发明人：狄恩彼得 , 兪榮濬 , 伍伯慕尼
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0352 , G01J1/42 , G01J5/20 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L31/02327 , H01L31/035227 , H01L31/101 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y10S977/762
摘要：一實施例係關於製造一裝置之一方法,該裝置包括:一基板,其具有一前側及一背側;一奈米線,其安置於該背側上;及一影像感測電路,其安置於該前側上,其中將該奈米線組態為用以傳輸高達一選擇性波長之波長之一通道及用以偵測傳輸穿過該奈米線之高達該選擇性波長之該等波長之一主動元件兩者。
简体摘要：一实施例系关于制造一设备之一方法,该设备包括:一基板,其具有一前侧及一背侧;一奈米线,其安置于该背侧上;及一影像传感电路,其安置于该前侧上,其中将该奈米线组态为用以传输高达一选择性波长之波长之一信道及用以侦测传输穿过该奈米线之高达该选择性波长之该等波长之一主动组件两者。

44. 发明专利

TW201133910A 以單層或多層石墨烯為基底的光檢測元件 SINGLE AND FEW-LAYER GRAPHENE BASED PHOTODETECTING DEVICES 审中-公开
简体标题：以单层或多层石墨烯为基底的光检测组件 SINGLE AND FEW-LAYER GRAPHENE BASED PHOTODETECTING DEVICES
公开(公告)号：TW201133910A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099126308
申请日：2010-08-06
申请人：萬國商業機器公司
发明人：阿弗瑞斯飛登 , 林佑明 , 繆勒湯瑪士 , 夏豐年
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/428 , H01L29/1606 , H01L31/02327 , H01L31/035209 , H01L31/101 , Y02E10/549
摘要：本發明揭示一種使用單層或多層石墨烯當成測光層之測光器。在此使用不同的電極組態(configurations)揭示多種具體實施例。此外,揭示包含多個測光元件的測光器陣列,用於如成像與監控等應用。
简体摘要：本发明揭示一种使用单层或多层石墨烯当成测光层之测光器。在此使用不同的电极组态(configurations)揭示多种具体实施例。此外,揭示包含多个测光组件的测光器数组,用于如成像与监控等应用。

45. 发明专利

TW201017909A 光感測元件及其製作方法 PHOTOSENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：光传感组件及其制作方法 PHOTOSENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201017909A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW097141828
申请日：2008-10-30
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：陳信學 , 劉婉懿 , 彭佳添 , 許宗義 , 曾任培
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： H01L31/101 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種光感測元件，包含金屬導電層、介面介電層、富矽介電層以及透明導電層。介面介電層形成於金屬導電層上，富矽介電層形成於介面介電層上，而透明導電層則是形成於富矽介電層上。
简体摘要：一种光传感组件，包含金属导电层、界面介电层、富硅介电层以及透明导电层。界面介电层形成于金属导电层上，富硅介电层形成于界面介电层上，而透明导电层则是形成于富硅介电层上。

46. 发明专利

TW200703632A 光電轉換裝置和其製造方法 PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：光电转换设备和其制造方法 PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200703632A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095117702
申请日：2006-05-18
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：荒尾達也 ARAO, TATSUYA , 廣瀨篤志 HIROSE, ATSUSHI , 西和夫 NISHI, KAZUO , 菅原裕輔 SUGAWARA, YUUSUKE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01J1/18 , G01J1/44 , G01J2001/4406 , G09G3/3611 , G09G2320/0626 , G09G2360/144 , G09G2360/145 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明的一個目標是提供一種檢測從弱光到强光範圍的光的光電轉換裝置。本發明係關於一種光電轉換裝置,它包括具有光電轉換層的光電二極體、包括薄膜電晶體的放大器電路以及偏壓切換裝置,其中當入射光的强度超過預定强度時,藉由偏壓切換裝置切換與光電二極體和放大器電路連接的偏壓,因此,小於預定强度的光被光電二極體檢測而大於預定强度的光被放大器電路的薄膜電晶體檢測。藉由本發明,可以檢測從弱光到强光範圍的光。
简体摘要：本发明的一个目标是提供一种检测从弱光到强光范围的光的光电转换设备。本发明系关于一种光电转换设备,它包括具有光电转换层的光电二极管、包括薄膜晶体管的放大器电路以及偏压切换设备,其中当入射光的强度超过预定强度时,借由偏压切换设备切换与光电二极管和放大器电路连接的偏压,因此,小于预定强度的光被光电二极管检测而大于预定强度的光被放大器电路的薄膜晶体管检测。借由本发明,可以检测从弱光到强光范围的光。

47. 发明专利

TW200511597A 半導體雷射光感測器及攜帶終端审中-公开
简体标题：半导体激光光传感器及携带终端
公开(公告)号：TW200511597A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093125358
申请日：2004-08-23
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 浦由貴子 KASHIURA, YUKIKO , 鈴永浩 SUZUNAGA, HIROSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01J1/44 , H01L31/101
摘要：【課題】一面謀求半導體雷射光感測器之消耗電力的降低，一面改善由待機狀態移往動作狀態時之響應特性。【解決手段】在待機狀態時，雖對發光二極體電流運算電路110及初段電流放大器112供給電源電壓而令其動作，不對於第2段以後之電流放大器114及116供給電源電壓令其不動作。而且，在鍵操作等成為觸發之操作一被進行，由待機狀態移往動作狀態時，藉由也對第2段以後之電流放大器供給電源電壓而令其動作。而且，在讀入半導體雷射光感測器之輸出電流後，再度停止對於第2段以後之電流放大器114及116之電源電壓的供給。
简体摘要：【课题】一面谋求半导体激光光传感器之消耗电力的降低，一面改善由待机状态移往动作状态时之响应特性。【解决手段】在待机状态时，虽对发光二极管电流运算电路110及初段电流放大器112供给电源电压而令其动作，不对于第2段以后之电流放大器114及116供给电源电压令其不动作。而且，在键操作等成为触发之操作一被进行，由待机状态移往动作状态时，借由也对第2段以后之电流放大器供给电源电压而令其动作。而且，在读入半导体激光光传感器之输出电流后，再度停止对于第2段以后之电流放大器114及116之电源电压的供给。

48. 发明专利

TW531899B 絕緣體上矽(SOI)溝槽光二極體及其形成方法失效
简体标题：绝缘体上硅(SOI)沟槽光二极管及其形成方法
公开(公告)号：TW531899B
公开(公告)日：2003-05-11
申请号：TW090123915
申请日：2001-09-27
申请人：萬國商業機器公司
发明人：洋H 夸克 , 丹摩伊 , 瑪克B 瑞特 , 丹尼斯L 羅傑斯 , 傑弗瑞J 威爾瑟
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02327 , H01L31/02363 , H01L31/03529 , H01L31/101 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明揭櫫一種包含形成於基材表面上的絕緣體上矽(SOI)晶片之半導體裝置(及形成該裝置的方法)。晶片表面內的絕緣體溝槽會圍繞住不同的p型溝槽以及n型溝槽，並且與來自基材的裝置絕緣，如此可讓該裝置當成光電電路內差動偵測器來有效利用該裝置。
简体摘要：本发明揭橥一种包含形成于基材表面上的绝缘体上硅(SOI)芯片之半导体设备(及形成该设备的方法)。芯片表面内的绝缘体沟槽会围绕住不同的p型沟槽以及n型沟槽，并且与来自基材的设备绝缘，如此可让该设备当成光电电路内差动侦测器来有效利用该设备。

49. 发明专利

TW508433B 超導單光子偵測器有权
简体标题：超导单光子侦测器
公开(公告)号：TW508433B
公开(公告)日：2002-11-01
申请号：TW090117378
申请日：2001-09-03
申请人：許倫伯爾格科技股份有限公司 , 羅季斯特大學
发明人：羅馬史波勞斯基 , 葛利格里高茲曼 , 亞歷克賽賽門諾夫 , 奧萊格歐庫內夫 , 肯尼士威雪爾 , 史蒂芬凱瑟皮
IPC分类号： G01J , H01L
CPC分类号： H01L39/10 , G01J1/0209 , G01J1/0252 , G01J1/0411 , G01J1/42 , H01L31/101
摘要：一種單光子偵測器，包括一個被偏壓靠近其臨界電流的超導體跨接片。該超導體跨接片於吸收單入射光子時，提供一可辨識的輸出訊號。一例中，超導體係為氮化鈮的跨接片。另一例中，超導體跨接片彎曲以增加其接收來自光源之光子的機率。單光子偵測器係適用於各種應用，包括自由太空及衛星通訊、量子通訊、量子密碼、弱冷光、及半導體裝置測試。
简体摘要：一种单光子侦测器，包括一个被偏压靠近其临界电流的超导体跨接片。该超导体跨接片于吸收单入射光子时，提供一可辨识的输出信号。一例中，超导体系为氮化铌的跨接片。另一例中，超导体跨接片弯曲以增加其接收来自光源之光子的概率。单光子侦测器系适用于各种应用，包括自由太空及卫星通信、量子通信、量子密码、弱冷光、及半导体设备测试。

50. 发明专利

TW483176B 一種降低感光二極體之漏電流的方法有权
简体标题：一种降低感光二极管之漏电流的方法
公开(公告)号：TW483176B
公开(公告)日：2002-04-11
申请号：TW090113268
申请日：2001-05-31
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：楊勝雄
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/101 , H01L27/1463 , H01L27/14654
摘要：本發明係提供一種降低半導體晶片(wafer)上之感光二極體(photo diode)之漏電流的方法。該半導體晶片表面包含有一P型基底(P-type substrate)，一用來作為該感光二極體之感光區域的光感測區，以及至少一淺溝(shallow trench)設於該基底內並環繞於該光感測區周圍。本發明方法是先於該淺溝內形成一含有P型摻質之已參雜多晶矽層(doped polysilicon)，按著將該已摻雜多晶矽層內之P型摻質擴散至該淺溝底部以及側壁周圍之P型基底內，形成一P型摻雜區。隨後去除該已摻雜多晶矽層，並於該淺溝內填入一絕緣材料，形成淺溝隔離(shallow trench isolation，STI)。最後存於該光感測區形成一N型(N-type)摻雜區，用來作為該感光二極體之感光區域。其中該P型摻雜區係用來減弱該光感測區外圍之電場，減少漏電流。
简体摘要：本发明系提供一种降低半导体芯片(wafer)上之感光二极管(photo diode)之漏电流的方法。该半导体芯片表面包含有一P型基底(P-type substrate)，一用来作为该感光二极管之感光区域的光传感区，以及至少一浅沟(shallow trench)设于该基底内并环绕于该光传感区周围。本发明方法是先于该浅沟内形成一含有P型掺质之已参杂多晶硅层(doped polysilicon)，按着将该已掺杂多晶硅层内之P型掺质扩散至该浅沟底部以及侧壁周围之P型基底内，形成一P型掺杂区。随后去除该已掺杂多晶硅层，并于该浅沟内填入一绝缘材料，形成浅沟隔离(shallow trench isolation，STI)。最后存于该光传感区形成一N型(N-type)掺杂区，用来作为该感光二极管之感光区域。其中该P型掺杂区系用来减弱该光传感区外围之电场，减少漏电流。

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