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1. 发明专利

TWI515896B 自對準石墨烯電晶體有权
简体标题：自对准石墨烯晶体管
公开(公告)号：TWI515896B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW099130617
申请日：2010-09-10
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：詹金斯基斯A , JENKINS, KEITH A. , 林佑明 , LIN, YU MING , 凡德斯葛西亞艾伯多 , VALDES-GARCIA, ALBERTO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78684

2. 发明专利

TW201218285A 藉由三維整合技術製造高效能碳奈米管電晶體積體電路的方法 A METHOD TO FABRICATE HIGH PERFORMANCE CARBON NANOTUBE TRANSISTOR INTEGRATED CIRCUITS BY THREE-DIMENSIONAL INTEGRATION TECHNOLOGY 审中-公开
简体标题：借由三维集成技术制造高性能碳奈米管晶体管集成电路的方法 A METHOD TO FABRICATE HIGH PERFORMANCE CARBON NANOTUBE TRANSISTOR INTEGRATED CIRCUITS BY THREE-DIMENSIONAL INTEGRATION TECHNOLOGY
公开(公告)号：TW201218285A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100123694
申请日：2011-07-05
申请人：萬國商業機器公司
发明人：阿佛里斯費頓 , 陳冠年 , 林佑明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/768 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/50 , H01L21/6835 , H01L21/76885 , H01L23/4827 , H01L2221/1094 , H01L2221/68359 , H01L2224/83894 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046
摘要：本發明提供用於製造基於碳奈米管之裝置之技術。在一個態樣中,提供用於製造基於碳奈米管之積體電路之方法。該方法包含以下步驟。提供包含碳奈米管之第一晶圓。提供包含一或更多裝置元件之第二晶圓。藉由將第一晶圓與第二晶圓結合在一起,使碳奈米管中之一或更多者與裝置元件中之一或更多者連接。亦提供基於碳奈米管之積體電路。
简体摘要：本发明提供用于制造基于碳奈米管之设备之技术。在一个态样中,提供用于制造基于碳奈米管之集成电路之方法。该方法包含以下步骤。提供包含碳奈米管之第一晶圆。提供包含一或更多设备组件之第二晶圆。借由将第一晶圆与第二晶圆结合在一起,使碳奈米管中之一或更多者与设备组件中之一或更多者连接。亦提供基于碳奈米管之集成电路。

3. 发明专利

TW201126716A 自對準石墨烯電晶體 SELF-ALIGNED GRAPHENE TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：自对准石墨烯晶体管 SELF-ALIGNED GRAPHENE TRANSISTOR
公开(公告)号：TW201126716A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099130617
申请日：2010-09-10
申请人：萬國商業機器公司
发明人：詹金斯基斯A , 林佑明 , 凡德斯葛西亞艾伯多
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78684
摘要：一石墨烯場效電晶體包括一閘極堆疊,該閘極堆疊包括一晶種層、形成於該晶種層上方之一閘極氧化物、以及形成於該閘極氧化物上方之一閘極金屬;一絕緣層;以及一石墨烯薄片,其係置於該晶種層與該絕緣層之間。
简体摘要：一石墨烯场效应管包括一闸极堆栈,该闸极堆栈包括一晶种层、形成于该晶种层上方之一闸极氧化物、以及形成于该闸极氧化物上方之一闸极金属;一绝缘层;以及一石墨烯薄片,其系置于该晶种层与该绝缘层之间。

4. 发明专利

TWI511206B 藉由三維整合技術製造高效能碳奈米管電晶體積體電路的方法有权
简体标题：借由三维集成技术制造高性能碳奈米管晶体管集成电路的方法
公开(公告)号：TWI511206B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW100123694
申请日：2011-07-05
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：阿佛里斯費頓 , AVOURIS, PHAEDON , 陳冠年 , CHEN, KUAN NENG , 林佑明 , LIN, YU MING
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/768 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/50 , H01L21/6835 , H01L21/76885 , H01L23/4827 , H01L2221/1094 , H01L2221/68359 , H01L2224/83894 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046

5. 发明专利

TWI496310B 以單層或多層石墨烯為基底的測光裝置有权
简体标题：以单层或多层石墨烯为基底的测光设备
公开(公告)号：TWI496310B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW099126308
申请日：2010-08-06
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：阿弗瑞斯飛登 , AVOURIS, PHAEDON , 林佑明 , LIN, YU MING , 繆勒湯瑪士 , MUELLER, THOMAS , 夏豐年 , XIA, FENGNIAN
IPC分类号： H01L31/113 , H01L27/144 , H01L31/18
CPC分类号： H01L51/428 , H01L29/1606 , H01L31/02327 , H01L31/035209 , H01L31/101 , Y02E10/549

6. 发明专利

TWI497644B 以石墨烯為基底的元件及其製造方法有权
简体标题：以石墨烯为基底的组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI497644B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW100117872
申请日：2011-05-20
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：阿弗瑞斯飛登 , AVOURIS, PHAEDON , 陳冠能 , CHEN, KUAN NENG , 法墨戴蒙 , FARMER, DAMON , 林佑明 , LIN, YU MING
IPC分类号： H01L21/768 , H01L29/40
CPC分类号： H01L21/50 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/1207 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/775 , H01L29/7781 , H01L29/78618 , H01L29/78684 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TW201133910A 以單層或多層石墨烯為基底的光檢測元件 SINGLE AND FEW-LAYER GRAPHENE BASED PHOTODETECTING DEVICES 审中-公开
简体标题：以单层或多层石墨烯为基底的光检测组件 SINGLE AND FEW-LAYER GRAPHENE BASED PHOTODETECTING DEVICES
公开(公告)号：TW201133910A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099126308
申请日：2010-08-06
申请人：萬國商業機器公司
发明人：阿弗瑞斯飛登 , 林佑明 , 繆勒湯瑪士 , 夏豐年
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/428 , H01L29/1606 , H01L31/02327 , H01L31/035209 , H01L31/101 , Y02E10/549
摘要：本發明揭示一種使用單層或多層石墨烯當成測光層之測光器。在此使用不同的電極組態(configurations)揭示多種具體實施例。此外,揭示包含多個測光元件的測光器陣列,用於如成像與監控等應用。
简体摘要：本发明揭示一种使用单层或多层石墨烯当成测光层之测光器。在此使用不同的电极组态(configurations)揭示多种具体实施例。此外,揭示包含多个测光组件的测光器数组,用于如成像与监控等应用。

8. 发明专利

TW201207994A 以石墨烯為基底的元件及其製造方法 GRAPHENE CHANNEL-BASED DEVICES AND METHODS FOR FABRICATION THEREOF 审中-公开
简体标题：以石墨烯为基底的组件及其制造方法 GRAPHENE CHANNEL-BASED DEVICES AND METHODS FOR FABRICATION THEREOF
公开(公告)号：TW201207994A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100117872
申请日：2011-05-20
申请人：萬國商業機器公司
发明人：阿弗瑞斯飛登 , 陳冠能 , 法墨戴蒙 , 林佑明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/50 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/1207 , H01L29/1606 , H01L29/66742 , H01L29/775 , H01L29/7781 , H01L29/78618 , H01L29/78684 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：提供石墨烯通道式裝置及其製造技術。於一方面,半導體裝置包含第一晶圓,具有至少一石墨烯通道形成於第一基板上、第一氧化層圍繞石墨烯通道、以及接到石墨烯通道延伸穿過第一氧化層之源極與汲極接觸;以及第二晶圓,具有CMOS裝置層形成於第二基板中、第二氧化層圍繞CMOS裝置層、以及接到CMOS裝置層並延伸穿過第二氧化層之複數個接觸,該等晶圓利用該等氧化層間的氧化物對氧化物接合來接合在一起。接到CMOS裝置層之該等接觸的一個或更多個接觸與源極與汲極接觸相接觸。接到CMOS裝置層之該等接觸的另一個或另外更多個接觸為石墨烯通道的閘極接觸。
简体摘要：提供石墨烯信道式设备及其制造技术。于一方面,半导体设备包含第一晶圆,具有至少一石墨烯信道形成于第一基板上、第一氧化层围绕石墨烯信道、以及接到石墨烯信道延伸穿过第一氧化层之源极与汲极接触;以及第二晶圆,具有CMOS设备层形成于第二基板中、第二氧化层围绕CMOS设备层、以及接到CMOS设备层并延伸穿过第二氧化层之复数个接触,该等晶圆利用该等氧化层间的氧化物对氧化物接合来接合在一起。接到CMOS设备层之该等接触的一个或更多个接触与源极与汲极接触相接触。接到CMOS设备层之该等接触的另一个或另外更多个接触为石墨烯信道的闸极接触。

9. 发明专利

TWI518905B 具有自我對準閘極之石墨烯電晶體有权
简体标题：具有自我对准闸极之石墨烯晶体管
公开(公告)号：TWI518905B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW100123364
申请日：2011-07-01
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：阿佛里斯費頓 , AVOURIS, PHAEDON , 法莫戴蒙B , FARMER, DAMON B. , 林佑明 , LIN, YU MING , 朱煜 , ZHU, YU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78684

10. 发明专利

TW201212235A 具有自我對準閘極之石墨烯電晶體 A GRAPHENE TRANSISTOR WITH A SELF-ALIGNED GATE 审中-公开
简体标题：具有自我对准闸极之石墨烯晶体管 A GRAPHENE TRANSISTOR WITH A SELF-ALIGNED GATE
公开(公告)号：TW201212235A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100123364
申请日：2011-07-01
申请人：萬國商業機器公司
发明人：阿佛里斯費頓 , 法莫戴蒙B , 林佑明 , 朱煜
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/78684
摘要：一種石墨烯基場效電晶體包括源極電極及汲極電極,該等源極電極及汲極電極自我對準於閘極電極。在經佈局圖樣(patterned)之石墨烯層上沈積晶種層及介電金屬氧化物層之堆疊。在介電金屬氧化物層上方形成第一金屬部分及第二金屬部分之導電材料堆疊。使用第二金屬部分橫向蝕刻第一金屬部分,且移除介電金屬氧化物層之曝露部分以形成閘極結構,在該閘極結構中第二金屬部分懸於(overhangs)第一金屬部分之上。在定向(directional)沈積製程期間,移除晶種層且使用懸垂物來遮蔽在閘極結構周圍之鄰近區域,以形成源極電極及汲極電極,該等源極電極及汲極電極自我對準且與閘極電極之邊緣最低限度地橫向間隔開。
简体摘要：一种石墨烯基场效应管包括源极电极及汲极电极,该等源极电极及汲极电极自我对准于闸极电极。在经布局图样(patterned)之石墨烯层上沉积晶种层及介电金属氧化物层之堆栈。在介电金属氧化物层上方形成第一金属部分及第二金属部分之导电材料堆栈。使用第二金属部分横向蚀刻第一金属部分,且移除介电金属氧化物层之曝露部分以形成闸极结构,在该闸极结构中第二金属部分悬于(overhangs)第一金属部分之上。在定向(directional)沉积制程期间,移除晶种层且使用悬垂物来屏蔽在闸极结构周围之邻近区域,以形成源极电极及汲极电极,该等源极电极及汲极电极自我对准且与闸极电极之边缘最低限度地横向间隔开。

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