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41. 发明专利

TWI531043B 具有抗熔絲配置之電晶體設備及其形成方法有权
简体标题：具有抗熔丝配置之晶体管设备及其形成方法
公开(公告)号：TWI531043B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW103104218
申请日：2014-02-10
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 陳學深 , TAN, SHYUE SENG , 郭克文 , QUEK, ELGIN
IPC分类号： H01L23/62 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/42364 , G11C17/16 , H01L21/8221 , H01L23/5252 , H01L27/0688 , H01L27/10826 , H01L27/10879 , H01L27/11206 , H01L27/1203 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L2029/42388 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

42. 发明专利

TW201614773A 非揮發性記憶體审中-公开
简体标题：非挥发性内存
公开(公告)号：TW201614773A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104130057
申请日：2015-09-11
申请人：力旺電子股份有限公司 30075 新竹科學園區園區二路47號305室 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：徐德訓 , HSU, TE-HSUN
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/115
CPC分类号： G11C17/18 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/1156 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種非揮發性記憶體，包括基底、浮置閘極電晶體、選擇電晶體與應力釋放電晶體。浮置閘極電晶體、選擇電晶體與應力釋放電晶體設置於基底上且彼此串接。應力釋放電晶體位於浮置閘極電晶體與選擇電晶體之間。
简体摘要：一种非挥发性内存，包括基底、浮置闸极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管。浮置闸极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管设置于基底上且彼此串接。应力释放晶体管位于浮置闸极晶体管与选择晶体管之间。

43. 发明专利

TW201614505A 記憶體單元及記憶體陣列审中-公开
简体标题：内存单元及内存数组
公开(公告)号：TW201614505A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104133424
申请日：2015-10-12
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：吳孟益 , WU, MENG-YI , 黃志豪 , HUANG, CHIH-HAO , 陳信銘 , CHEN, HSIN-MING
IPC分类号： G06F12/16 , G11C16/08 , G11C17/16
CPC分类号： G11C17/18 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/1156 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：記憶體單元包含寫入選擇電晶體、接續閘極電晶體、反熔絲元件及讀取電路。在記憶體單元的讀取操作期間，反熔絲元件所產生的充電電流會觸發讀取電路以產生穩定的讀取電流，因此可以縮短自記憶體單元讀取資料的時間。而在記憶體單元的讀取操作期間的一開始會執行放電程序，以確保自記憶體單元讀取資料的正確性。
简体摘要：内存单元包含写入选择晶体管、接续闸极晶体管、反熔丝组件及读取电路。在内存单元的读取操作期间，反熔丝组件所产生的充电电流会触发读取电路以产生稳定的读取电流，因此可以缩短自内存单元读取数据的时间。而在内存单元的读取操作期间的一开始会运行放电进程，以确保自内存单元读取数据的正确性。

44. 发明专利

TW201611015A 高密度單電晶體反熔絲記憶體單元审中-公开
简体标题：高密度单晶体管反熔丝内存单元
公开(公告)号：TW201611015A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104115038
申请日：2015-05-12
申请人：瑟藍納半導體美國股份有限公司 , SILANNA SEMICONDUCTOR U.S.A., INC.
发明人：尼加德保羅A , NYGAARD, PAUL A.
IPC分类号： G11C17/16 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11206 , G11C17/16 , H01L21/84 , H01L23/5252 , H01L27/1203 , H01L29/8611 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示涉及單電晶體二極體連接反熔絲記憶體單元的多個方法及裝置。一示例性記憶體單元包括一薄閘極絕緣體。該記憶體單元亦包括一第一導電類型之一塊體區，其與該薄閘極絕緣體之一第一側接觸。該記憶體單元亦包括該第一導電類型之一多晶矽閘極電極，其與該薄閘極絕緣體之一第二側接觸。該記憶體單元亦包括一第二導電類型之一源極區，其在一接面處與該塊體區接觸。該多晶矽閘極電極及該源極區操作地耦合至藉由熔斷該薄閘極絕緣體而定址該記憶體單元之一程式化電壓源。該接面形成該記憶體單元之一二極體。該塊體區可位於一絕緣體結構上一半導體之一作用層中。
简体摘要：本发明揭示涉及单晶体管二极管连接反熔丝内存单元的多个方法及设备。一示例性内存单元包括一薄闸极绝缘体。该内存单元亦包括一第一导电类型之一块体区，其与该薄闸极绝缘体之一第一侧接触。该内存单元亦包括该第一导电类型之一多晶硅闸极电极，其与该薄闸极绝缘体之一第二侧接触。该内存单元亦包括一第二导电类型之一源极区，其在一接面处与该块体区接触。该多晶硅闸极电极及该源极区操作地耦合至借由熔断该薄闸极绝缘体而寻址该内存单元之一进程化电压源。该接面形成该内存单元之一二极管。该块体区可位于一绝缘体结构上一半导体之一作用层中。

45. 发明专利

TWI518849B 包含具有反熔絲組件之非揮發性記憶體結構之電子器件及其形成方法有权
简体标题：包含具有反熔丝组件之非挥发性内存结构之电子器件及其形成方法
公开(公告)号：TWI518849B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW101122684
申请日：2012-06-25
申请人：半導體組件工業公司 , SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C.
发明人：阿甘摩序 , AGAM, MOSHE , 姚泰瑞卡非賀夫 , YAO, THIERRY COFFI HERVE
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/112 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/5252 , G11C17/14 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L21/76 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L27/11206 , H01L29/7831 , H01L29/788 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

46. 发明专利

TW201603033A 一次編程的記憶胞及其陣列結構與操作方法审中-公开
简体标题：一次编程的记忆胞及其数组结构与操作方法
公开(公告)号：TW201603033A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104108466
申请日：2015-03-17
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：吳孟益 , WU, MENG YI , 陳信銘 , CHEN, HSIN MING
IPC分类号： G11C17/14 , G11C17/16
CPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C17/04 , G11C17/08 , G11C17/146 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/76 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/0629 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L29/1079 , H01L29/4916 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H03K3/356182 , H01L2924/00
摘要：一種一次編程的記憶胞，包括：電晶體、第一變容器與第二變容器。電晶體具有閘極、源極與汲極。閘極連接至字元線。源極連接至位元線。第一變容器的第一端連接至電晶體的汲極，第二端連接至第一編程線。第二變容器的第一端連接至電晶體的汲極，第二端連接至第二編程線。
简体摘要：一种一次编程的记忆胞，包括：晶体管、第一变容器与第二变容器。晶体管具有闸极、源极与汲极。闸极连接至字符线。源极连接至比特线。第一变容器的第一端连接至晶体管的汲极，第二端连接至第一编程线。第二变容器的第一端连接至晶体管的汲极，第二端连接至第二编程线。

47. 发明专利

TW201539670A 改善讀取特性的反熔絲單次可編程記憶胞以及記憶體的操作方法审中-公开
简体标题：改善读取特性的反熔丝单次可编程记忆胞以及内存的操作方法
公开(公告)号：TW201539670A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104109724
申请日：2015-03-26
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：吳孟益 , WU, MENG YI , 陳信銘 , CHEN, HSIN MING , 盧俊宏 , LU, CHUN HUNG
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/112
CPC分类号： G11C5/06 , G11C16/0408 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11558 , H01L27/11573 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/512 , H01L29/7817 , H01L29/7835 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：單次可編程唯讀記憶胞，包括：反熔絲單元及選擇電晶體。反熔絲單元分別包括依序設置於基底上的反熔絲層與反熔絲閘極、修改的延伸摻雜區設置於反熔絲層下方的基底中以及設置於反熔絲閘極的相對兩側之基底中的第一摻雜區與第二摻雜區。選擇電晶體，包括選擇閘極、閘極介電層、第二摻雜區與第三摻雜區。選擇閘極設置於基底上。閘極介電層設置於選擇閘極與基底之間。第二摻雜區與第三摻雜區，分別設置於選擇閘極的相對兩側的基底中。其中反熔絲層、反熔絲閘極與修改的延伸摻雜區構成可變電容器。
简体摘要：单次可编程唯读记忆胞，包括：反熔丝单元及选择晶体管。反熔丝单元分别包括依序设置于基底上的反熔丝层与反熔丝闸极、修改的延伸掺杂区设置于反熔丝层下方的基底中以及设置于反熔丝闸极的相对两侧之基底中的第一掺杂区与第二掺杂区。选择晶体管，包括选择闸极、闸极介电层、第二掺杂区与第三掺杂区。选择闸极设置于基底上。闸极介电层设置于选择闸极与基底之间。第二掺杂区与第三掺杂区，分别设置于选择闸极的相对两侧的基底中。其中反熔丝层、反熔丝闸极与修改的延伸掺杂区构成可变电容器。

48. 发明专利

TWI503824B 記憶體陣列及其非揮發性記憶裝置有权
简体标题：内存数组及其非挥发性记忆设备
公开(公告)号：TWI503824B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW102133192
申请日：2013-09-13
申请人：林崇榮 , LIN, CHRONG JUNG , 金雅琴 , KING, YA CHIN
发明人：林崇榮 , LIN, CHRONGJUNG , 金雅琴 , KING, YACHIN
IPC分类号： G11C17/14 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L27/11206 , H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

49. 发明专利

TWI474326B 使用耦合通道的反熔絲記憶體及其操作方法有权
简体标题：使用耦合信道的反熔丝内存及其操作方法
公开(公告)号：TWI474326B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW101118575
申请日：2012-05-24
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：盧皓彥 , LU, HAU YAN , 陳信銘 , CHEN, HSIN MING , 楊青松 , YANG, CHING SUNG
IPC分类号： G11C17/16
CPC分类号： H01L27/11206 , H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

50. 发明专利

TWI460126B 奈米碳管強化的金屬複合物有权
简体标题：奈米碳管强化的金属复合物
公开(公告)号：TWI460126B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW095118078
申请日：2006-05-22
申请人：中央佛羅里達大學 , UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA
发明人：陳全芳 , CHEN, QUANFANG
IPC分类号： C01B31/04 , C25D5/22
CPC分类号： C22C26/00 , B22F7/08 , C22C49/14 , C22C2026/002 , C25D15/02 , H01L21/2885 , H01L21/76838 , H01L21/76877 , H01L23/49877 , H01L23/5252 , H01L23/53276 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10S977/742 , Y10S977/778 , Y10S977/784 , Y10S977/833 , Y10T428/2913 , Y10T428/2918 , Y10T428/30 , H01L2924/00

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