专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201703036A 用於嵌入式快閃應用之自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）位元格审中-公开
简体标题：用于嵌入式快闪应用之自旋转移力矩磁性随机存取内存（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）比特格
公开(公告)号：TW201703036A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105111205
申请日：2016-04-11
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：李康和 , LEE, KANGHO , 卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 黃傑克提姆 , WONG, JACK TIM , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , H01L27/228
摘要：所揭示乃是一種自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體(STT-MRAM)裝置、以及一種進行嵌入式快閃(eFlash)裝置操作的方法。該自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體裝置組配成包括自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體位元格陣列。該陣列包含複數個位元線(BL)和複數個字元線(WL)，其中該位元線形成多行自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體位元格且該字元線形成多列自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體位元格。各個自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體位元格包含串聯耦合至存取電晶體的磁穿隧接面(MTJ)組件，該存取電晶體具有閘極端點以及源極和汲極端點。該陣列包含耦合至該存取電晶體的該源極端點的複數個源極線(SL)。該複數個源極線的源極線耦合至該等自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體胞元的兩個或更多相鄰行的存取電晶體的源極端點。共享的該源極線平行於該複數個位元線。該自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體位元格的操作組配成包括：編程操作和扇區抹除操作。
简体摘要：所揭示乃是一种自旋转移力矩磁性随机存取内存(STT-MRAM)设备、以及一种进行嵌入式快闪(eFlash)设备操作的方法。该自旋转移力矩磁性随机存取内存设备组配成包括自旋转移力矩磁性随机存取内存比特格数组。该数组包含复数个比特线(BL)和复数个字符线(WL)，其中该比特线形成多行自旋转移力矩磁性随机存取内存比特格且该字符线形成多列自旋转移力矩磁性随机存取内存比特格。各个自旋转移力矩磁性随机存取内存比特格包含串联耦合至存取晶体管的磁穿隧接面(MTJ)组件，该存取晶体管具有闸极端点以及源极和汲极端点。该数组包含耦合至该存取晶体管的该源极端点的复数个源极线(SL)。该复数个源极线的源极线耦合至该等自旋转移力矩磁性随机存取内存胞元的两个或更多相邻行的存取晶体管的源极端点。共享的该源极线平行于该复数个比特线。该自旋转移力矩磁性随机存取内存比特格的操作组配成包括：编程操作和扇区抹除操作。

2. 发明专利

TWI492376B 鰭狀場效電晶體有权
简体标题：鳍状场效应管
公开(公告)号：TWI492376B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW100136896
申请日：2011-10-12
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 李傑根 , LEE, JAE GON , 陳忠鋒 , TAN, CHUNG FOONG , 郭克文 , QUEK, ELGIN
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/0847 , H01L29/66795 , H01L29/78603

3. 发明专利

TWI478291B 雙閘極式快閃記憶體有权
简体标题：双闸极式闪存
公开(公告)号：TWI478291B
公开(公告)日：2015-03-21
申请号：TW100149132
申请日：2011-12-28
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：陳學深 , TAN, SHYUE SENG (JASON) , 卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 郭克文 , QUEK, ELGIN
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11521 , G11C16/0408 , G11C16/0425 , G11C16/14 , G11C16/26 , H01L21/28273 , H01L29/42328 , H01L29/66795 , H01L29/66825 , H01L29/7851 , H01L29/7881

4. 发明专利

TWI663740B 具有太陽能電池之積體電路及其生產方法有权
简体标题：具有太阳能电池之集成电路及其生产方法
公开(公告)号：TWI663740B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106138129
申请日：2017-11-03
申请人：新加坡商格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：劉斌 , LIU, BIN , 卓榮發 , TOH, ENG HUAT
IPC分类号： H01L31/04

5. 发明专利

TWI580008B 閘流體隨機存取記憶體有权
简体标题：晶闸管随机存取内存
公开(公告)号：TWI580008B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW104106203
申请日：2015-02-26
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 陳學深 , TAN, SHYUE SENG , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE , 史摩達尼帕克奇摩 , SHUM, DANNY PAK-CHUM
IPC分类号： H01L27/102 , H01L29/66 , H01L29/74
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , H01L29/66363 , H01L29/74

6. 发明专利

TW201445694A 具有抗熔絲配置之電晶體設備及其形成方法审中-公开
简体标题：具有抗熔丝配置之晶体管设备及其形成方法
公开(公告)号：TW201445694A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW103104218
申请日：2014-02-10
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 陳學深 , TAN, SHYUE SENG , 郭克文 , QUEK, ELGIN
IPC分类号： H01L23/62 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/42364 , G11C17/16 , H01L21/8221 , H01L23/5252 , H01L27/0688 , H01L27/10826 , H01L27/10879 , H01L27/11206 , H01L27/1203 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L2029/42388 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種具有抗熔絲配置之電晶體設備及形成該電晶體設備的方法，該示例性電晶體設備包括：半導體基板，包括有第一鰭片；第一絕緣層，覆蓋於該半導體基板上並具有小於該第一鰭片之高度的厚度，而該第一鰭片延伸通過並突出於該第一絕緣層，以設置嵌設於該第一絕緣層內的埋入鰭片部分及突出於該第一絕緣層的暴露鰭片部分；閘極電極結構，係覆蓋於該暴露鰭片部分上；以及閘極絕緣結構，係設置在該第一鰭片與該閘極電極結構之間，其中，該閘極絕緣結構包含有覆蓋於該第一鰭片之第一表面上的第一介電層，而該閘極絕緣結構還包含有覆蓋於該第一鰭片之第二表面上的第二介電層，且潛在擊穿路徑係定義為通過該第一介電層在該第一鰭片與該閘極電極結構之間。
简体摘要：本发明提供一种具有抗熔丝配置之晶体管设备及形成该晶体管设备的方法，该示例性晶体管设备包括：半导体基板，包括有第一鳍片；第一绝缘层，覆盖于该半导体基板上并具有小于该第一鳍片之高度的厚度，而该第一鳍片延伸通过并突出于该第一绝缘层，以设置嵌设于该第一绝缘层内的埋入鳍片部分及突出于该第一绝缘层的暴露鳍片部分；闸极电极结构，系覆盖于该暴露鳍片部分上；以及闸极绝缘结构，系设置在该第一鳍片与该闸极电极结构之间，其中，该闸极绝缘结构包含有覆盖于该第一鳍片之第一表面上的第一介电层，而该闸极绝缘结构还包含有覆盖于该第一鳍片之第二表面上的第二介电层，且潜在击穿路径系定义为通过该第一介电层在该第一鳍片与该闸极电极结构之间。

7. 发明专利

TWI689045B 具有較低電阻與改善崩潰之裝置及其製造方法有权
简体标题：具有较低电阻与改善崩溃之设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI689045B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107146807
申请日：2018-12-24
申请人：新加坡商格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 陳學深 , TAN, SHYUE SENG , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE
IPC分类号： H01L21/82

8. 发明专利

TWI608476B 用於嵌入式快閃應用之自旋轉移力矩磁性隨機存取記憶體（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）位元格有权
简体标题：用于嵌入式快闪应用之自旋转移力矩磁性随机存取内存（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）比特格
公开(公告)号：TWI608476B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105111205
申请日：2016-04-11
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：李康和 , LEE, KANGHO , 卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 黃傑克提姆 , WONG, JACK TIM , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/1655 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , H01L27/228

9. 发明专利

TW201409619A 多次可程式化記憶體审中-公开
简体标题：多次可进程化内存
公开(公告)号：TW201409619A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102118912
申请日：2013-05-29
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 陳學深 , TAN, SHYUE SENG , 林啓榮 , LIM, KHEE YONG , 郭克文 , QUEK, ELGIN
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11568 , G11C16/10 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/42344 , H01L29/792
摘要：所揭露的是一種裝置。本裝置包括基板及置於基板上的鰭型結構。鰭型結構作用為n個電晶體的共用基體(body)。電晶體包括單獨電荷儲存層及閘極介電層。電荷儲存層係設置於鰭型結構的上部表面以及閘極介電層係設置於鰭型結構的側壁上。n=2x，其中x為大於或等於1的整數。電晶體可在選擇電晶體(select transistor)與儲存電晶體之間互換(interchange)。
简体摘要：所揭露的是一种设备。本设备包括基板及置于基板上的鳍型结构。鳍型结构作用为n个晶体管的共享基体(body)。晶体管包括单独电荷存储层及闸极介电层。电荷存储层系设置于鳍型结构的上部表面以及闸极介电层系设置于鳍型结构的侧壁上。n=2x，其中x为大于或等于1的整数。晶体管可在选择晶体管(select transistor)与存储晶体管之间互换(interchange)。

10. 发明专利

TWI676268B 在ＦＤＳＯＩ架構上之ＯＴＰ－ＭＴＰ及其製造方法有权
简体标题：在ＦＤＳＯＩ架构上之ＯＴＰ－ＭＴＰ及其制造方法
公开(公告)号：TWI676268B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW107111869
申请日：2018-04-03
申请人：新加坡商格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：卓榮發 , TOH, ENG HUAT , 陳學深 , TAN, SHYUE SENG , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE
IPC分类号： H01L27/115

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式