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1. 发明专利

TW201614773A 非揮發性記憶體审中-公开
简体标题：非挥发性内存
公开(公告)号：TW201614773A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104130057
申请日：2015-09-11
申请人：力旺電子股份有限公司 30075 新竹科學園區園區二路47號305室 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：徐德訓 , HSU, TE-HSUN
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/115
CPC分类号： G11C17/18 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/1156 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種非揮發性記憶體，包括基底、浮置閘極電晶體、選擇電晶體與應力釋放電晶體。浮置閘極電晶體、選擇電晶體與應力釋放電晶體設置於基底上且彼此串接。應力釋放電晶體位於浮置閘極電晶體與選擇電晶體之間。
简体摘要：一种非挥发性内存，包括基底、浮置闸极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管。浮置闸极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管设置于基底上且彼此串接。应力释放晶体管位于浮置闸极晶体管与选择晶体管之间。

2. 发明专利

TW201614812A 一次可程式非揮發性記憶體审中-公开
简体标题：一次可进程非挥发性内存
公开(公告)号：TW201614812A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104130070
申请日：2015-09-11
申请人：力旺電子股份有限公司 30075 新竹科學園區園區二路47號305室 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：徐德訓 , HSU, TE-HSUN
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： G11C17/18 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/1156 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種一次可程式非揮發性記憶體，包括基底、開關元件與熔絲結構。開關元件設置於基底上。熔絲結構包括導體層、間隙壁與插塞。導體層耦接至開關元件的端子。間隙壁設置於導體層的側壁上。插塞設置於導體層上，且覆蓋間隙壁。插塞與導體層的上表面的重疊部分的重疊面積小於插塞的上視面積。
简体摘要：一种一次可进程非挥发性内存，包括基底、开关组件与熔丝结构。开关组件设置于基底上。熔丝结构包括导体层、间隙壁与插塞。导体层耦接至开关组件的端子。间隙壁设置于导体层的侧壁上。插塞设置于导体层上，且覆盖间隙壁。插塞与导体层的上表面的重叠部分的重叠面积小于插塞的上视面积。

3. 发明专利

TWI605547B 非揮發性記憶體有权
简体标题：非挥发性内存
公开(公告)号：TWI605547B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW104130057
申请日：2015-09-11
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：徐德訓 , HSU, TE-HSUN
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/115
CPC分类号： G11C17/18 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/1156 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI575715B 一次可程式非揮發性記憶體有权
简体标题：一次可进程非挥发性内存
公开(公告)号：TWI575715B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW104130070
申请日：2015-09-11
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：徐德訓 , HSU, TE-HSUN
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： G11C17/18 , G11C16/0408 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C29/785 , H01L23/5252 , H01L23/5256 , H01L27/10897 , H01L27/1116 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/1156 , H01L29/0649 , H01L29/1033 , H01L29/78 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201816990A 非揮發性記憶體审中-公开
简体标题：非挥发性内存
公开(公告)号：TW201816990A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105135211
申请日：2016-10-31
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：徐德訓 , HSU, TE-HSUN
IPC分类号： H01L27/115
摘要：一種非揮發性記憶體，包括以下構件。浮置閘極電晶體、選擇電晶體與應力釋放電晶體設置於基底上且彼此串接。應力釋放電晶體位於浮置閘極電晶體與選擇電晶體之間。應力釋放電晶體具有由式(1)所示的應力釋放比。應力釋放比的下限值由進行程式化操作時，非選定的非揮發性記憶體的應力釋放電晶體的可承受汲極側電壓所決定。應力釋放比的上限值由進行讀取操作時，選定的非揮發性記憶體的可讀取汲極電流所決定。應力釋放比=應力釋放電晶體的通道長度/應力釋放電晶體的閘介電層厚度 (1)。
简体摘要：一种非挥发性内存，包括以下构件。浮置闸极晶体管、选择晶体管与应力释放晶体管设置于基底上且彼此串接。应力释放晶体管位于浮置闸极晶体管与选择晶体管之间。应力释放晶体管具有由式(1)所示的应力释放比。应力释放比的下限值由进行进程化操作时，非选定的非挥发性内存的应力释放晶体管的可承受汲极侧电压所决定。应力释放比的上限值由进行读取操作时，选定的非挥发性内存的可读取汲极电流所决定。应力释放比=应力释放晶体管的信道长度/应力释放晶体管的闸介电层厚度 (1)。

6. 发明专利

TWI588943B 非揮發性記憶體有权
简体标题：非挥发性内存
公开(公告)号：TWI588943B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105135211
申请日：2016-10-31
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：徐德訓 , HSU, TE-HSUN
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115

7. 发明专利

TWI576965B 可高度微縮的單層多晶矽非揮發性記憶胞有权
简体标题：可高度微缩的单层多晶硅非挥发性记忆胞
公开(公告)号：TWI576965B
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW104119498
申请日：2015-06-17
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：徐德訓 , HSU, TE-HSUN , 黎俊霄 , LI, CHUN-HSIAO , 陳學威 , CHEN, HSUEN-WEI
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C17/04 , G11C17/08 , G11C17/146 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/76 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/0629 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L29/1079 , H01L29/4916 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H03K3/356182 , H01L2924/00

8. 发明专利

TW201603199A 可高度微縮的單層多晶矽非揮發性記憶胞审中-公开
简体标题：可高度微缩的单层多晶硅非挥发性记忆胞
公开(公告)号：TW201603199A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104119498
申请日：2015-06-17
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：徐德訓 , HSU, TE-HSUN , 黎俊霄 , LI, CHUN-HSIAO , 陳學威 , CHEN, HSUEN-WEI
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C17/04 , G11C17/08 , G11C17/146 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/76 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/0629 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L29/1079 , H01L29/4916 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H03K3/356182 , H01L2924/00
摘要：本發明披露一非揮發性記憶胞，包含半導體基底；第一氧化物定義區及第二氧化物定義區；絕緣區域，分隔第一氧化物定義區及第二氧化物定義區； PMOS選擇電晶體設於一第一氧化物定義區上；PMOS浮動閘極電晶體設於第一氧化物定義區上並與PMOS選擇電晶體串聯；PMOS浮動閘極電晶體包含一浮動閘極；記憶體P型井區位於半導體基底中；記憶體N型井區位於記憶體P型井區中；記憶體P型井區與第一氧化物定義區及第二氧化物定義區重疊；記憶體P型井區的接合深度比絕緣區域的溝渠深度深；記憶體N型井區的接合深度比絕緣區域的溝渠深度淺。
简体摘要：本发明披露一非挥发性记忆胞，包含半导体基底；第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；绝缘区域，分隔第一氧化物定义区及第二氧化物定义区； PMOS选择晶体管设于一第一氧化物定义区上；PMOS浮动闸极晶体管设于第一氧化物定义区上并与PMOS选择晶体管串联；PMOS浮动闸极晶体管包含一浮动闸极；内存P型井区位于半导体基底中；内存N型井区位于内存P型井区中；内存P型井区与第一氧化物定义区及第二氧化物定义区重叠；内存P型井区的接合深度比绝缘区域的沟渠深度深；内存N型井区的接合深度比绝缘区域的沟渠深度浅。

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