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41. 发明专利

TW200421455A 低電阻n型半導體鑽石及其製造方法失效
简体标题：低电阻n型半导体钻石及其制造方法
公开(公告)号：TW200421455A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW092136884
申请日：2003-12-25
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：難波曉彥 NAMBA, AKIHIKO , 今井貴浩 IMAI, TAKAHIRO , 竹內久雄 TAKEUCHI, HISAO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/448 , C23C16/27 , C23C16/278 , C23C16/482 , C30B25/105 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02634
摘要：本發明係關於一種摻雜鋰之鑽石，並提供一種摻雜鋰與氮之低電阻n型半導體鑽石及其製造方法。本發明之低電阻n型半導體鑽石係包含鋰原子與氮原子均10^17cm^-3以上，且具有以下構造者：分別於碳原子之晶格間摻雜有鋰原子，於碳原子之取代位置摻雜有氮原子，且鋰原子與氮原子相鄰。為製作出該低電阻n型半導體鑽石，可藉由以下方法而得：於鑽石之氣相合成法中，藉由使用真空紫外光之光激勵方法將原料光分解，透過照射準分子雷射使鋰原子飛散而供給鋰原料。
简体摘要：本发明系关于一种掺杂锂之钻石，并提供一种掺杂锂与氮之低电阻n型半导体钻石及其制造方法。本发明之低电阻n型半导体钻石系包含锂原子与氮原子均10^17cm^-3以上，且具有以下构造者：分别于碳原子之晶格间掺杂有锂原子，于碳原子之取代位置掺杂有氮原子，且锂原子与氮原子相邻。为制作出该低电阻n型半导体钻石，可借由以下方法而得：于钻石之气相合成法中，借由使用真空紫外光之光激励方法将原料光分解，透过照射准分子激光使锂原子飞散而供给锂原料。

42. 发明专利

TW527435B 低蒸汽壓力先質之氣體供應裝置失效
简体标题：低蒸汽压力先质之气体供应设备
公开(公告)号：TW527435B
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：TW090102902
申请日：2001-03-28
申请人：舒哈特葛瑞斯公司
发明人：哈特穆鮑奇 , 拉斯貝威格 , 盧茲克利皮 , 湯馬斯庫伯
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/448
摘要：本發明係有關一種低蒸汽壓力先質之氣體供應裝置，以將該先質輸送至CVD塗層設備。氣體供應裝置包括一儲存第一先質並保持在第一溫度T1下的儲存容器、一暫存蒸汽狀第一先質並保持在第二溫度T2與一恆定壓力p2下的暫存容器、一連接儲存容器與暫存容器的第一氣體管路及一將氣體送出暫存容器的第二氣體管路。依據本發明，氣體供應裝置的改良為，第一溫度T1高於第二溫度T2。由於暫存容器較低的溫度T2，使得暫存容器的維修工作容易進行，先質則可以較高溫T1在儲存容器中蒸發而得到高蒸發率。在一特別有利的配置中，第一先質蒸汽在暫存容器中與一氣體及/或第二先質蒸汽混合。其中暫存容器中總壓力相同時，暫存容器中第一先質蒸汽的分壓力低於未被稀釋之第一先質蒸汽之壓力，使得暫存容器之溫度T2及後接管路的溫度可被降低。由於溫度T2降低，故可使用成本較低廉的組件。
简体摘要：本发明系有关一种低蒸汽压力先质之气体供应设备，以将该先质输送至CVD涂层设备。气体供应设备包括一存储第一先质并保持在第一温度T1下的存储容器、一暂存蒸汽状第一先质并保持在第二温度T2与一恒定压力p2下的暂存容器、一连接存储容器与暂存容器的第一气体管路及一将气体送出暂存容器的第二气体管路。依据本发明，气体供应设备的改良为，第一温度T1高于第二温度T2。由于暂存容器较低的温度T2，使得暂存容器的维修工作容易进行，先质则可以较高温T1在存储容器中蒸发而得到高蒸发率。在一特别有利的配置中，第一先质蒸汽在暂存容器中与一气体及/或第二先质蒸汽混合。其中暂存容器中总压力相同时，暂存容器中第一先质蒸汽的分压力低于未被稀释之第一先质蒸汽之压力，使得暂存容器之温度T2及后接管路的温度可被降低。由于温度T2降低，故可使用成本较低廉的组件。

43. 发明专利

TW473539B 供有機金屬前驅物之液體輸送化學蒸氣沈積用之溶劑組成物及供液體輸送化學蒸氣沈積用之前驅組成物失效
简体标题：供有机金属前驱物之液体输送化学蒸气沉积用之溶剂组成物及供液体输送化学蒸气沉积用之前驱组成物
公开(公告)号：TW473539B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW087119256
申请日：1998-11-21
申请人：尖端科技材料公司
发明人：湯瑪斯.H.鮑姆 , 高塔姆.布漢達里
IPC分类号： C09K , C23C
CPC分类号： C23C16/409 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/4481 , Y10S423/14
摘要：一種供有機金屬前驅物之液體輸送化學蒸氣沈積用之溶劑組成物，包括比例為A：B：C之溶劑種類A、B及C之混合物，其中A係自約3至約7份體積，B係自約2至約6份體積，及C係存在直至約3份體積，其中此等體積份數係以混合物之總體積計，及其中A為C6-C8烷烴，B為C8- C12烷烴，A及B彼此不同，及C係選自包括乙二醇二甲醚基溶劑(乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等等)及聚胺。包含體積比大約為5：4：1之辛烷、癸烷及聚胺之特殊溶劑組成物特別可有效用於形成SrBi2Ta2O9薄膜。
简体摘要：一种供有机金属前驱物之液体输送化学蒸气沉积用之溶剂组成物，包括比例为A：B：C之溶剂种类A、B及C之混合物，其中A系自约3至约7份体积，B系自约2至约6份体积，及C系存在直至约3份体积，其中此等体积份数系以混合物之总体积计，及其中A为C6-C8烷烃，B为C8- C12烷烃，A及B彼此不同，及C系选自包括乙二醇二甲醚基溶剂(乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等等)及聚胺。包含体积比大约为5：4：1之辛烷、癸烷及聚胺之特殊溶剂组成物特别可有效用于形成SrBi2Ta2O9薄膜。

44. 发明专利

TW455884B 形成BI系鐵電薄膜用塗佈液及使用該塗佈液所形成之鐵電薄膜,鐵電電容器,鐵電記憶體,及此等物件的製造方法失效
简体标题：形成BI系铁电薄膜用涂布液及使用该涂布液所形成之铁电薄膜,铁电电容器,铁电内存,及此等对象的制造方法
公开(公告)号：TW455884B
公开(公告)日：2001-09-21
申请号：TW086119089
申请日：1997-12-17
申请人：東京應化工業股份有限公司 , 沖電氣工業股份有限公司
发明人：澤田佳宏 , 橋本晃 , 逢哲彌 , 小岩一郎 , 見田充郎 , 岡田幸久 , 加藤博代
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01L21/02356 , C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/72 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L28/55 , Y10T428/24917
摘要：本發明係有關一種由含有Ｂｉ、Ａ金屬元素（但Ａ係至少一種選自Ｂｉ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ及稀土類元素中的金屬元素）、及Ｂ金屬元素（但Ｂ為至少一種選自Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ及Ｃｒ中的金屬元素）之各屬醇鹽、且含有這些各金屬醇鹽之任二種以上形成複合金屬醇鹽的複合金屬醇鹽類之形成Ｂｉ系鐵電薄膜用塗佈液、及使用該塗佈液所形成之鐵電薄膜、鐵電電容器、鐵電記憶體及這些的製造方法。
简体摘要：本发明系有关一种由含有Ｂｉ、Ａ金属元素（但Ａ系至少一种选自Ｂｉ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋ及稀土类元素中的金属元素）、及Ｂ金属元素（但Ｂ为至少一种选自Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ及Ｃｒ中的金属元素）之各属醇盐、且含有这些各金属醇盐之任二种以上形成复合金属醇盐的复合金属醇盐类之形成Ｂｉ系铁电薄膜用涂布液、及使用该涂布液所形成之铁电薄膜、铁电电容器、铁电内存及这些的制造方法。

45. 发明专利

TW348267B 化學氣相沈積裝置失效
简体标题：化学气相沉积设备
公开(公告)号：TW348267B
公开(公告)日：1998-12-21
申请号：TW086109958
申请日：1997-07-15
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：山向幹雄 , 川原孝昭 , 多留谷政良 , 堀川剛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/448
摘要：本發明係關於一種化學氣相沈積裝置，係提供一種可以減低裝置內之殘渣等異物發生之化學氣相沈積裝置。
該化學氣相沈積裝置，係具備有CVD原料容器、氣化器5和反應器。在氣化器5中，形成有實際上成為圓柱形狀之氣化室5f。而噴嘴5c則安裝在相當於氣化室之圓筒狀側面的圓周圍面6之上。原料輸送用配管連接孔，設置在圓周圍面6之上。CVD原料液導入至氣化室內，來進行氣化。然後再將所氣化之CVD原料送至反應器中。
简体摘要：本发明系关于一种化学气相沉积设备，系提供一种可以减低设备内之残渣等异物发生之化学气相沉积设备。该化学气相沉积设备，系具备有CVD原料容器、气化器5和反应器。在气化器5中，形成有实际上成为圆柱形状之气化室5f。而喷嘴5c则安装在相当于气化室之圆筒状侧面的圆周围面6之上。原料输送用配管连接孔，设置在圆周围面6之上。CVD原料液导入至气化室内，来进行气化。然后再将所气化之CVD原料送至反应器中。

46. 发明专利

TW328172B 用於積體電路之�電裝置及其製造方法失效
简体标题：用于集成电路之�电设备及其制造方法
公开(公告)号：TW328172B
公开(公告)日：1998-03-11
申请号：TW086101677
申请日：1997-02-05
申请人：松下電子公司
发明人：卡洛斯A.佩斯得黑洛裘
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： C23C18/14 , C04B35/62227 , C23C16/448 , C23C16/45561 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1295 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/68 , H01L21/314 , H01L21/31691 , H01L27/10805 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60 , H01L29/78391
摘要：一種MIS裝置(20)包括一半導基質(22)、一氮化矽緩衝層(24)、一鐵電氧化金屬超晶格材料(26)，及一貴金屬頂電極(28)。該成層之超晶格材料(26)較佳為鉭酸鍶鉍、鈮酸鍶鉍、或鉭酸鍶鉍鈮。此裝置根據一較佳之方法，包括在澱積成層鐵電材料之前在半導基質上形成氮化矽。成層超晶格材料較佳為用液態聚氧烷基化之之金屬有機前置物澱積，可經加熱於該前置物溶液使自動產生一成層之超晶格。在乾燥前置物液體時以紫外光曝照使 C 軸取向存於最後之結晶，結果改善了薄膜之電性。
简体摘要：一种MIS设备(20)包括一半导基质(22)、一氮化硅缓冲层(24)、一铁电氧化金属超晶格材料(26)，及一贵金属顶电极(28)。该成层之超晶格材料(26)较佳为钽酸锶铋、铌酸锶铋、或钽酸锶铋铌。此设备根据一较佳之方法，包括在淀积成层铁电材料之前在半导基质上形成氮化硅。成层超晶格材料较佳为用液态聚氧烷基化之之金属有机前置物淀积，可经加热于该前置物溶液使自动产生一成层之超晶格。在干燥前置物液体时以紫外光曝照使 C 轴取向存于最后之结晶，结果改善了薄膜之电性。

47. 发明专利

TWI613312B 基板處理方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI613312B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW104102455
申请日：2015-01-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：羽根秀臣 , HANE, HIDEOMI , 梅原隆人 , UMEHARA, TAKAHITO
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/677
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/4401 , C23C16/448 , C23C16/45519 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/67748 , H01L21/68764 , H01L21/68771

48. 发明专利

TWI611934B 多層氮化鐵硬磁材料有权
简体标题：多层氮化铁硬磁材料
公开(公告)号：TWI611934B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW104125721
申请日：2015-08-06
申请人：美國明尼蘇達大學評議委員會 , REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MINNESOTA
发明人：王建平 , WANG, JIAN-PING , 姜岩峰 , JIANG, YANFENG
IPC分类号： B32B9/00 , C23C28/04 , C23C16/30 , C30B19/06 , H01F41/22 , H01F41/28 , H01F1/10 , H01F7/02
CPC分类号： H01F1/059 , C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/45561 , C23C16/507 , C23C16/56 , C30B19/00 , C30B25/00 , C30B29/38 , C30B29/68 , H01F10/147 , H01F41/20 , H01F41/22 , H01F41/28 , H02K1/02

49. 发明专利

TW201742678A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201742678A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106106625
申请日：2017-03-01
申请人： SPTS科技公司 , SPTS TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：班尼特保羅 , BENNETT, PAUL
IPC分类号： B08B7/00 , B08B9/08 , C23C16/44 , C23C16/448 , C23C16/503 , C23C16/505 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32568 , B08B7/0035 , B08B9/08 , C23C16/4405 , C23C16/448 , C23C16/503 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32541 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H01J2237/335 , H01L21/67069
摘要：根據本發明提供用以對基體進行電漿處理的一電漿處理裝置，其包含：包含一或多個壁的一腔室，其中該腔室之該等壁的一部份係為一電極結構，其由一金屬性材料形成且組配來作為一感應式耦合電漿源的一次繞組；及用以供應一電氣信號之一電氣信號供應裝置，該電氣信號驅動作為感應式耦合電漿源之一次繞組的該電極結構，以在該腔室內維持一感應式耦合電漿。
简体摘要：根据本发明提供用以对基体进行等离子处理的一等离子处理设备，其包含：包含一或多个壁的一腔室，其中该腔室之该等壁的一部份系为一电极结构，其由一金属性材料形成且组配来作为一感应式耦合等离子源的一次绕组；及用以供应一电气信号之一电气信号供应设备，该电气信号驱动作为感应式耦合等离子源之一次绕组的该电极结构，以在该腔室内维持一感应式耦合等离子。

50. 发明专利

TW201730366A 蒸氣放出裝置及成膜裝置审中-公开
简体标题：蒸气放出设备及成膜设备
公开(公告)号：TW201730366A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105139258
申请日：2016-11-29
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：齋藤和彦 , SAITO, KAZUHIKO , 林信博 , HAYASHI, NOBUHIRO , 廣野貴啓 , HIRONO, TAKAYOSHI , 岩橋照明 , IWAHASHI, TERUAKI
IPC分类号： C23C16/448
CPC分类号： C23C14/24 , C23C16/448
摘要：本發明係以提供一種當在真空中將有機化合物膜形成於基材薄膜上時能夠以一定的比例產生有機化合物單體之蒸氣而使成膜速率安定的技術作為目的。本發明係為在真空中將有機化合物單體之蒸氣放出的蒸氣放出裝置，其係具有將液體狀之有機化合物單體氣化的氣化部(21)、和被連通於氣化部(21)且將於氣化部(21)中被氣化之有機化合物單體之蒸氣放出的蒸氣放出部(22)。於氣化部(21)內係設置有中空的蒸發器(40)。此蒸發器(40)係被構成為：使液體狀之有機化合物單體成為霧狀並導入，將霧狀之有機化合物單體(34)加熱使其蒸發，而將有機化合物單體之蒸氣導出至氣化部(21)內。
简体摘要：本发明系以提供一种当在真空中将有机化合物膜形成于基材薄膜上时能够以一定的比例产生有机化合物单体之蒸气而使成膜速率安定的技术作为目的。本发明系为在真空中将有机化合物单体之蒸气放出的蒸气放出设备，其系具有将液体状之有机化合物单体气化的气化部(21)、和被连通于气化部(21)且将于气化部(21)中被气化之有机化合物单体之蒸气放出的蒸气放出部(22)。于气化部(21)内系设置有中空的蒸发器(40)。此蒸发器(40)系被构成为：使液体状之有机化合物单体成为雾状并导入，将雾状之有机化合物单体(34)加热使其蒸发，而将有机化合物单体之蒸气导出至气化部(21)内。

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