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1. 发明专利

TW200513454A 在羧酸合成中自母液除去不純物之萃取方法 EXTRACTION PROCESS FOR REMOVAL OF IMPURITIES FROM MOTHER LIQUOR IN THE SYNTHESIS OF CARBOXYLIC ACID 审中-公开
简体标题：在羧酸合成中自母液除去不纯物之萃取方法 EXTRACTION PROCESS FOR REMOVAL OF IMPURITIES FROM MOTHER LIQUOR IN THE SYNTHESIS OF CARBOXYLIC ACID
公开(公告)号：TW200513454A
公开(公告)日：2005-04-16
申请号：TW093114497
申请日：2004-05-21
申请人：伊士曼化學公司 EASTMAN CHEMICAL COMPANY
发明人：羅伯特林 LIN, ROBERT
IPC分类号： C07B
CPC分类号： C07C51/42 , C07C51/48 , Y02P20/52 , Y10S423/14 , C07C63/26
摘要：一種自含羧酸、金屬觸媒及不純物之母液中除去不純物的方法，其係以下列方式為之：(a)在第一蒸發器區蒸發含羧酸、金屬觸媒、不純物、水和溶劑的母液，產生一種蒸氣流和一種濃縮的母液流；(b)在第二蒸發器區蒸發該濃縮的母液流，形成一種富溶劑流和一種超濃縮的母液流；(c)在固–液分離區中，以一種水–溶劑溶液自該超濃縮的母液中分離有機不純物，形成一種水溶液流和一種第二水溶液流；(d)在混合區中，將水及可視需要添加的萃取溶劑與該水溶液流及第二水溶液流混合，形成一種水溶液混合物；並(e)在萃取區中，將萃取溶劑加入該水溶液混合物中，形成一種萃取物流和一種萃餘物流。
简体摘要：一种自含羧酸、金属触媒及不纯物之母液中除去不纯物的方法，其系以下列方式为之：(a)在第一蒸发器区蒸发含羧酸、金属触媒、不纯物、水和溶剂的母液，产生一种蒸气流和一种浓缩的母液流；(b)在第二蒸发器区蒸发该浓缩的母液流，形成一种富溶剂流和一种超浓缩的母液流；(c)在固–液分离区中，以一种水–溶剂溶液自该超浓缩的母液中分离有机不纯物，形成一种水溶液流和一种第二水溶液流；(d)在混合区中，将水及可视需要添加的萃取溶剂与该水溶液流及第二水溶液流混合，形成一种水溶液混合物；并(e)在萃取区中，将萃取溶剂加入该水溶液混合物中，形成一种萃取物流和一种萃余物流。

2. 发明专利

TW200502029A 組合物及方法 COMPOSITION AND PROCESS 审中-公开
简体标题：组合物及方法 COMPOSITION AND PROCESS
公开(公告)号：TW200502029A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093109523
申请日：2004-04-06
申请人：氰特科技股份有限公司 CYTEC TECHNOLOGY CORP.
发明人：馬修迪恩索德史歐 SODERSTROM, MATTHEW DEAN
IPC分类号： B01D
CPC分类号： C22B15/0084 , C22B3/0017 , Y02P10/234 , Y02P10/236 , Y10S423/14
摘要：一種溶劑萃取組合物，其包含一或多種鄰羥基芳基醛與一或多種鄰羥基芳基酮，及提供約0.2至0.61之鄰羥基芳基醛調節程度之量之一或多種平衡調節劑。
简体摘要：一种溶剂萃取组合物，其包含一或多种邻羟基芳基醛与一或多种邻羟基芳基酮，及提供约0.2至0.61之邻羟基芳基醛调节程度之量之一或多种平衡调节剂。

3. 发明专利

TW388774B 含氨之金屬溶液的處理方法失效
简体标题：含氨之金属溶液的处理方法
公开(公告)号：TW388774B
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：TW085102937
申请日：1996-03-11
申请人：亨克爾兩合股份有限公司
发明人：拉爾夫.克爾 , 維爾納.許瓦伯
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C23F1/46 , C22B3/0017 , C22B15/0089 , Y02P10/234 , Y02P10/236 , Y10S423/14
摘要：本發明係關於一種方法，用來處理被摻雜的、含水的溶液，尤其是指蝕刻溶液，其含有氨一至少是在溶解狀態下的銨鹽和金屬離子，其是在處理含有價金屬的基底，尤其是指含銅的基底時，用來侵蝕電子元件之用。
简体摘要：本发明系关于一种方法，用来处理被掺杂的、含水的溶液，尤其是指蚀刻溶液，其含有氨一至少是在溶解状态下的铵盐和金属离子，其是在处理含有价金属的基底，尤其是指含铜的基底时，用来侵蚀电子组件之用。

4. 发明专利

TWI359686B 組合物及方法 COMPOSITION AND PROCESS 有权
简体标题：组合物及方法 COMPOSITION AND PROCESS
公开(公告)号：TWI359686B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW093109523
申请日：2004-04-06
申请人：氰特科技股份有限公司
发明人：馬修迪恩索德史歐
IPC分类号： B01D
CPC分类号： C22B15/0084 , C22B3/0017 , Y02P10/234 , Y02P10/236 , Y10S423/14
摘要：一種溶劑萃取組合物，其包含一或多種鄰羥基芳基醛肟與一或多種鄰羥基芳基酮肟，及提供約0.2至0.61之鄰羥基芳基醛肟調節程度之量之一或多種平衡調節劑。
简体摘要：一种溶剂萃取组合物，其包含一或多种邻羟基芳基醛肟与一或多种邻羟基芳基酮肟，及提供约0.2至0.61之邻羟基芳基醛肟调节程度之量之一或多种平衡调节剂。

5. 发明专利

TWI239552B 具有低量金屬雜質之含銦水溶液的製造方法 Methods for producing indium-containing aqueous solutions containing reduced amounts of metal impurities 失效
简体标题：具有低量金属杂质之含铟水溶液的制造方法 Methods for producing indium-containing aqueous solutions containing reduced amounts of metal impurities
公开(公告)号：TWI239552B
公开(公告)日：2005-09-11
申请号：TW091101627
申请日：2002-01-31
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LTD.
发明人：服部武司 TAKESHI HATTORI , 藤原進治 FUJIWARA, SHINJI , 三枝邦夫 SAEGUSA, KUNIO
IPC分类号： C01G , C22B , H01L
CPC分类号： C01G15/003 , C22B3/24 , C22B3/42 , C22B7/006 , C22B58/00 , Y02P10/234 , Y10S423/14
摘要：一種具有低量金屬雜質之含銦水溶液的製造方法，此方法包括將含有銦及金屬雜質且氫離子濃度調整在0.5 mol/L至3mol/L範圍的一水溶液，與一非螯合離子交換樹脂接觸，以去除金屬雜質。另外，還提供一種具有低量金屬雜質之含銦水溶液的製造方法，此方法包括將含有銦及金屬雜質的一水溶液，與一螯合離子交換樹脂接觸，以去除金屬雜質。
简体摘要：一种具有低量金属杂质之含铟水溶液的制造方法，此方法包括将含有铟及金属杂质且氢离子浓度调整在0.5 mol/L至3mol/L范围的一水溶液，与一非螯合离子交换树脂接触，以去除金属杂质。另外，还提供一种具有低量金属杂质之含铟水溶液的制造方法，此方法包括将含有铟及金属杂质的一水溶液，与一螯合离子交换树脂接触，以去除金属杂质。

6. 发明专利

TW473539B 供有機金屬前驅物之液體輸送化學蒸氣沈積用之溶劑組成物及供液體輸送化學蒸氣沈積用之前驅組成物失效
简体标题：供有机金属前驱物之液体输送化学蒸气沉积用之溶剂组成物及供液体输送化学蒸气沉积用之前驱组成物
公开(公告)号：TW473539B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW087119256
申请日：1998-11-21
申请人：尖端科技材料公司
发明人：湯瑪斯.H.鮑姆 , 高塔姆.布漢達里
IPC分类号： C09K , C23C
CPC分类号： C23C16/409 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/4481 , Y10S423/14
摘要：一種供有機金屬前驅物之液體輸送化學蒸氣沈積用之溶劑組成物，包括比例為A：B：C之溶劑種類A、B及C之混合物，其中A係自約3至約7份體積，B係自約2至約6份體積，及C係存在直至約3份體積，其中此等體積份數係以混合物之總體積計，及其中A為C6-C8烷烴，B為C8- C12烷烴，A及B彼此不同，及C係選自包括乙二醇二甲醚基溶劑(乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等等)及聚胺。包含體積比大約為5：4：1之辛烷、癸烷及聚胺之特殊溶劑組成物特別可有效用於形成SrBi2Ta2O9薄膜。
简体摘要：一种供有机金属前驱物之液体输送化学蒸气沉积用之溶剂组成物，包括比例为A：B：C之溶剂种类A、B及C之混合物，其中A系自约3至约7份体积，B系自约2至约6份体积，及C系存在直至约3份体积，其中此等体积份数系以混合物之总体积计，及其中A为C6-C8烷烃，B为C8- C12烷烃，A及B彼此不同，及C系选自包括乙二醇二甲醚基溶剂(乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等等)及聚胺。包含体积比大约为5：4：1之辛烷、癸烷及聚胺之特殊溶剂组成物特别可有效用于形成SrBi2Ta2O9薄膜。

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