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    • 41. 发明专利
    • 半導體晶圓表面保護用黏著膠帶
    • 半导体晶圆表面保护用黏着胶带
    • TW201712085A
    • 2017-04-01
    • TW104131273
    • 2015-09-22
    • 古河電氣工業股份有限公司FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
    • 横井啓時YOKOI, HIROTOKI
    • C09J7/02C09J4/00C09J133/06H01L21/304
    • 本發明課題為提供一種半導體晶圓表面保護用黏著膠帶,即使貼合在尤其是具有金凹凸的半導體晶圓並放置,也不會發生浮起的現象,在研磨半導體晶圓的背面時,塵埃或水不會侵入,可將半導體晶圓研磨成薄膜,半導體晶圓不會發生破裂或殘膠而能夠剝離。 課題解決手段為一種晶圓表面保護用黏著膠帶,其係至少具有黏著劑層與基材薄膜之半導體晶圓表面保護用黏著膠帶,並且黏著劑層不會因為能量射線的照射而硬化,在23℃時對於剝離速度50mm/min下之SUS280研磨面的黏著力A與對於剝離速度500mm/min下之SUS280研磨面的黏著力B之比值B/A未達4.0,對於剝離速度300mm/min下之SUS280研磨面的黏著力,在23℃時為1.2~4.5N/25mm,在50℃時的的黏著力為在23℃時的黏著力之50%以下。
    • 本发明课题为提供一种半导体晶圆表面保护用黏着胶带,即使贴合在尤其是具有金凹凸的半导体晶圆并放置,也不会发生浮起的现象,在研磨半导体晶圆的背面时,尘埃或水不会侵入,可将半导体晶圆研磨成薄膜,半导体晶圆不会发生破裂或残胶而能够剥离。 课题解决手段为一种晶圆表面保护用黏着胶带,其系至少具有黏着剂层与基材薄膜之半导体晶圆表面保护用黏着胶带,并且黏着剂层不会因为能量射线的照射而硬化,在23℃时对于剥离速度50mm/min下之SUS280研磨面的黏着力A与对于剥离速度500mm/min下之SUS280研磨面的黏着力B之比值B/A未达4.0,对于剥离速度300mm/min下之SUS280研磨面的黏着力,在23℃时为1.2~4.5N/25mm,在50℃时的的黏着力为在23℃时的黏着力之50%以下。