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    • 2. 发明专利
    • 電阻材料用銅合金材料及其製造方法、以及電阻器
    • 电阻材料用铜合金材料及其制造方法、以及电阻器
    • TW201831700A
    • 2018-09-01
    • TW106144750
    • 2017-12-20
    • 日商古河電氣工業股份有限公司FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
    • 檀上翔一DANJO, SHOICHI秋谷俊太AKIYA, SHUNTA藤井惠人FUJII, YOSHITO樋口優HIGUCHI, MASARU
    • C22C9/05H01C1/00
    • 本發明提供一種電阻材料用銅合金材料及其製造方法,該電阻材料用銅合金材料在電阻率的測定中容易獲得正確的測定值,並且具有良好的雷射熔接性。電阻材料用銅合金材料是軋延板,該軋延板在利用接觸式膜厚計作測定時,板厚t是0.04mm以上,並且,該電阻材料用銅合金材料含有2質量%以上且14質量%以下的錳,剩餘部分由銅及無法避免的雜質所組成。而且,針對軋延板的板面,藉由接觸式表面粗糙度測定法來取得相對於軋延方向成正交的方向上的粗糙度曲線,此時,最大高度Rz是0.3μm以上且1.5μm以下,粗糙度曲線要素的平均長度RSm是0.03mm以上且0.15mm以下,並且,藉由下述數學式算出的參數A的數值是0.002以上且0.04以下。
    • 本发明提供一种电阻材料用铜合金材料及其制造方法,该电阻材料用铜合金材料在电阻率的测定中容易获得正确的测定值,并且具有良好的激光熔接性。电阻材料用铜合金材料是轧延板,该轧延板在利用接触式膜厚计作测定时,板厚t是0.04mm以上,并且,该电阻材料用铜合金材料含有2质量%以上且14质量%以下的锰,剩余部分由铜及无法避免的杂质所组成。而且,针对轧延板的板面,借由接触式表面粗糙度测定法来取得相对于轧延方向成正交的方向上的粗糙度曲线,此时,最大高度Rz是0.3μm以上且1.5μm以下,粗糙度曲线要素的平均长度RSm是0.03mm以上且0.15mm以下,并且,借由下述数学式算出的参数A的数值是0.002以上且0.04以下。
    • 6. 发明专利
    • 銅合金板材及其製造方法
    • 铜合金板材及其制造方法
    • TW201708554A
    • 2017-03-01
    • TW105115650
    • 2016-05-20
    • 古河電氣工業股份有限公司FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
    • 磯松岳己ISOMATSU, TAKEMI樋口優HIGUCHI, MASARU
    • C22C9/06C22C1/02C22F1/08
    • B21B1/38B21B3/00C22C9/06C22C9/10C22F1/00C22F1/08H01B1/02H01B5/02H01B13/00
    • 本發明提供一種衝壓鑽孔加工性、保證應力、彎曲加工性、導電性優異且適合超小型端子之銅合金板材及其製造方法。 一種銅合金板材以及該銅合金板材之製造方法,該銅合金板材具有如下組成:含有1.0質量%以上且5.0質量%以下之Ni、0.1質量%以上且2.0質量%以下之Si,進而含有選自由0~0.5%質量%之Sn、0~1.0質量%之Zn、0~0.2質量%之Mg、0~0.15質量%之Mn、0~0.2質量%之Cr、0~1.5質量%之Co、0~0.02質量%之Fe、及0~0.1質量%之Ag組成之群中之至少1種,且剩餘部分由銅及不可避免之雜質構成,與軋製面平行之板厚之一半厚度位置之平面上的藉由電子背向散射繞射法進行之結晶方位解析中,具有自S方位{231} 之偏移在15°以內之方位的晶粒於60μm見方內分佈3個以上且50個以下,且具有自S方位{231} 之偏移在15°以內之方位的晶粒之平均晶粒面積為1.0μm2以上且300μm2以下。
    • 本发明提供一种冲压钻孔加工性、保证应力、弯曲加工性、导电性优异且适合超小型端子之铜合金板材及其制造方法。 一种铜合金板材以及该铜合金板材之制造方法,该铜合金板材具有如下组成:含有1.0质量%以上且5.0质量%以下之Ni、0.1质量%以上且2.0质量%以下之Si,进而含有选自由0~0.5%质量%之Sn、0~1.0质量%之Zn、0~0.2质量%之Mg、0~0.15质量%之Mn、0~0.2质量%之Cr、0~1.5质量%之Co、0~0.02质量%之Fe、及0~0.1质量%之Ag组成之群中之至少1种,且剩余部分由铜及不可避免之杂质构成,与轧制面平行之板厚之一半厚度位置之平面上的借由电子背向散射绕射法进行之结晶方位解析中,具有自S方位{231}<3-46>之偏移在15°以内之方位的晶粒于60μm见方内分布3个以上且50个以下,且具有自S方位{231}<3-46>之偏移在15°以内之方位的晶粒之平均晶粒面积为1.0μm2以上且300μm2以下。