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1. 发明专利

TWI452109B 半導體晶圓表面保護用黏著膠帶有权
简体标题：半导体晶圆表面保护用黏着胶带
公开(公告)号：TWI452109B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW102109482
申请日：2013-03-18
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：荒橋知未 , ARAHASHI, TOMOMI , 岡本和幸 , OKAMOTO, KAZUYUKI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J9/00 , H01L21/304

2. 发明专利

TWI625779B 半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之加工方法有权
简体标题：半导体晶圆表面保护用黏着带及半导体晶圆之加工方法
公开(公告)号：TWI625779B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105106279
申请日：2016-03-02
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：荒橋知未 , ARAHASHI, TOMOMI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B7/22 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/00

3. 发明专利

TW201703129A 半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之加工方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆表面保护用黏着带及半导体晶圆之加工方法
公开(公告)号：TW201703129A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105106279
申请日：2016-03-02
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：荒橋知未 , ARAHASHI, TOMOMI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B7/22 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/00
CPC分类号： B24B7/22 , C09J7/20 , C09J133/00 , H01L21/304
摘要：本發明係一種半導體晶圓表面保護用黏著帶及使用其之半導體晶圓之加工方法，該半導體晶圓表面保護用黏著帶係於基材膜上具有黏著劑層者，且其於23℃對不鏽鋼之黏著力為0.3~10N/25mm，加熱至50℃時之黏著力為於23℃之黏著力之40%以下，且上述黏著劑層表面之剛滴加後之純水之接觸角為100°以上，滴加經過10分鐘後之純水之接觸角為65°以上。
简体摘要：本发明系一种半导体晶圆表面保护用黏着带及使用其之半导体晶圆之加工方法，该半导体晶圆表面保护用黏着带系于基材膜上具有黏着剂层者，且其于23℃对不锈钢之黏着力为0.3~10N/25mm，加热至50℃时之黏着力为于23℃之黏着力之40%以下，且上述黏着剂层表面之刚滴加后之纯水之接触角为100°以上，滴加经过10分钟后之纯水之接触角为65°以上。

4. 发明专利

TW201343867A 半導體晶圓表面保護用黏著膠帶审中-公开
简体标题：半导体晶圆表面保护用黏着胶带
公开(公告)号：TW201343867A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102109482
申请日：2013-03-18
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：荒橋知未 , ARAHASHI, TOMOMI , 岡本和幸 , OKAMOTO, KAZUYUKI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J9/00 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種半導體晶圓表面保護用黏著膠帶，其可防止殘膠或灰塵、研磨水之浸入，並且能夠以高的厚度精度(TTV)研磨半導體晶圓，可降低半導體晶圓的翹曲及破損。本發明之半導體晶圓表面保護用黏著膠帶，其特徵在於其係在基材膜上具有黏著劑層之半導體晶圓表面保護用黏著膠帶，該黏著膠帶在常溫時對於不銹鋼(Steel Use Stainless、SUS)之黏著力為0.8~2.5N/25mm，於加熱到50℃時之黏著力為1N/25mm以下，且應力鬆弛率為10~18%。
简体摘要：本发明提供一种半导体晶圆表面保护用黏着胶带，其可防止残胶或灰尘、研磨水之浸入，并且能够以高的厚度精度(TTV)研磨半导体晶圆，可降低半导体晶圆的翘曲及破损。本发明之半导体晶圆表面保护用黏着胶带，其特征在于其系在基材膜上具有黏着剂层之半导体晶圆表面保护用黏着胶带，该黏着胶带在常温时对于不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)之黏着力为0.8~2.5N/25mm，于加热到50℃时之黏着力为1N/25mm以下，且应力松弛率为10~18%。

5. 发明专利

TWI449767B 半導體晶圓表面保護用黏著帶及使用其之半導體晶圓之製造方法有权
简体标题：半导体晶圆表面保护用黏着带及使用其之半导体晶圆之制造方法
公开(公告)号：TWI449767B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW102124168
申请日：2013-07-05
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：荒橋知未 , ARAHASHI, TOMOMI , 橫井啓時 , YOKOI, HIROTOKI
IPC分类号： C09J7/02 , H01L21/304

6. 发明专利

TW201402768A 半導體晶圓表面保護用黏著帶及使用其之半導體晶圓之製造方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆表面保护用黏着带及使用其之半导体晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW201402768A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102124168
申请日：2013-07-05
申请人：古河電氣工業股份有限公司 , FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：荒橋知未 , ARAHASHI, TOMOMI , 橫井啓時 , YOKOI, HIROTOKI
IPC分类号： C09J7/02 , H01L21/304
摘要：本發明之課題在於提供一種防止晶圓破損、抑制滲漏產生、降低剝離力、抑制糊劑殘留之高凸塊晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之製造方法。本發明提供一種半導體晶圓表面保護用黏著帶及半導體晶圓之製造方法，該半導體晶圓表面保護用黏著帶係於研削半導體晶圓之背面時所使用之表面保護用黏著帶，其於基材膜上具有黏著劑層，上述黏著劑層為放射線硬化型黏著劑層，其厚度薄於上述半導體晶圓之表面凹凸，且由下述式(1)所求出之黏附力(tack force)之變化率為30%以上；式(1) [Tα-Tβ(空氣)]÷[Tα-Tβ(N2)]×100 (式中，Tα表示照射放射線前的黏附力之測定值，Tβ(空氣)表示空氣中以照射量500 mJ/cm2照射放射線後的黏附力之測定值，Tβ(N2)表示於氮氣環境下以照射量500 mJ/cm2照射放射線後的黏附力之測定值)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种防止晶圆破损、抑制渗漏产生、降低剥离力、抑制煳剂残留之高凸块晶圆表面保护用黏着带及半导体晶圆之制造方法。本发明提供一种半导体晶圆表面保护用黏着带及半导体晶圆之制造方法，该半导体晶圆表面保护用黏着带系于研削半导体晶圆之背面时所使用之表面保护用黏着带，其于基材膜上具有黏着剂层，上述黏着剂层为放射线硬化型黏着剂层，其厚度薄于上述半导体晶圆之表面凹凸，且由下述式(1)所求出之黏附力(tack force)之变化率为30%以上；式(1) [Tα-Tβ(空气)]÷[Tα-Tβ(N2)]×100 (式中，Tα表示照射放射线前的黏附力之测定值，Tβ(空气)表示空气中以照射量500 mJ/cm2照射放射线后的黏附力之测定值，Tβ(N2)表示于氮气环境下以照射量500 mJ/cm2照射放射线后的黏附力之测定值)。

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