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31. 发明专利

TW201807255A 光記錄媒體及其製造方法、光記錄媒體用記錄層审中-公开
简体标题：光记录媒体及其制造方法、光记录媒体用记录层
公开(公告)号：TW201807255A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106109257
申请日：2017-03-21
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：田畑浩 , TABATA, HIROSHI
IPC分类号： C23C28/04 , C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/08 , G11B7/007 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24073 , G11B7/243 , G11B7/26
CPC分类号： G11B7/007 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24073 , G11B7/2433 , G11B7/26
摘要：本發明之光記錄媒體具備：2層以上之記錄層；及光照射面，其被照射用以將資訊信號記錄於2層以上之記錄層之光。2層以上之記錄層中除自光照射面起最深側以外之至少1層包含金屬A之氧化物、金屬B之氧化物及金屬C之氧化物。金屬A為W、Mo及Zr中之至少1種，金屬B為Mn，金屬C為Cu、Ag及Ni中之至少1種。金屬A、金屬B及金屬C之比例滿足0.46≦x1(其中，x1＝a/(b＋0.8c)，a：金屬A相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%]，b：金屬B相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%]，c：金屬C相對於金屬A、金屬B及金屬C之合計之原子比率[原子%])之關係。
简体摘要：本发明之光记录媒体具备：2层以上之记录层；及光照射面，其被照射用以将信息信号记录于2层以上之记录层之光。2层以上之记录层中除自光照射面起最深侧以外之至少1层包含金属A之氧化物、金属B之氧化物及金属C之氧化物。金属A为W、Mo及Zr中之至少1种，金属B为Mn，金属C为Cu、Ag及Ni中之至少1种。金属A、金属B及金属C之比例满足0.46≦x1(其中，x1＝a/(b＋0.8c)，a：金属A相对于金属A、金属B及金属C之合计之原子比率[原子%]，b：金属B相对于金属A、金属B及金属C之合计之原子比率[原子%]，c：金属C相对于金属A、金属B及金属C之合计之原子比率[原子%])之关系。

32. 发明专利

TWI611934B 多層氮化鐵硬磁材料有权
简体标题：多层氮化铁硬磁材料
公开(公告)号：TWI611934B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW104125721
申请日：2015-08-06
申请人：美國明尼蘇達大學評議委員會 , REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MINNESOTA
发明人：王建平 , WANG, JIAN-PING , 姜岩峰 , JIANG, YANFENG
IPC分类号： B32B9/00 , C23C28/04 , C23C16/30 , C30B19/06 , H01F41/22 , H01F41/28 , H01F1/10 , H01F7/02
CPC分类号： H01F1/059 , C23C16/34 , C23C16/448 , C23C16/45561 , C23C16/507 , C23C16/56 , C30B19/00 , C30B25/00 , C30B29/38 , C30B29/68 , H01F10/147 , H01F41/20 , H01F41/22 , H01F41/28 , H02K1/02

33. 发明专利

TW201718240A 引縮加工用衝模及衝模模組审中-公开
简体标题：引缩加工用冲模及冲模模块
公开(公告)号：TW201718240A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105126676
申请日：2016-08-22
申请人：東洋製罐集團控股股份有限公司 , TOYO SEIKAN GROUP HOLDINGS, LTD.
发明人：熊谷拓甫 , KUMAGAI, TAKUHO , 高尾健一 , TAKAO, KENICHI , 城石亮藏 , SHIROISHI, RYOZO , 島村真廣 , SHIMAMURA, MASAHIRO , 松本尚也 , MATSUMOTO, NAOYA
IPC分类号： B30B15/02 , B21D22/20 , C23C28/04
CPC分类号： B21D24/00 , B21D22/28 , B21D37/01 , B21D37/16 , B21D37/18 , C23C16/27
摘要：本發明提供一種引縮加工用衝模及衝模模組。引縮加工用衝模30，其特徵為：形成碳膜50使其覆蓋衝模30之至少加工面41，該碳膜50呈現以下式（1）表示的強度比為1.0以上之拉曼光譜： ID／IG（1）其中， ID為，在該碳膜表面之拉曼光譜的1333±10cm－1之最大峰值強度， IG為，在該碳膜表面之拉曼光譜的1500±100cm－1之最大峰值強度；且該碳膜50的表面，成為算術平均粗糙度Ra為0.1μm以下的平滑面。此引縮加工用衝模30，在乾式方式（無潤滑方式或低潤滑方式）中，即便在以引縮率高的層級進行引縮加工時，仍不發生成形不良，可有效地施行引縮加工。
简体摘要：本发明提供一种引缩加工用冲模及冲模模块。引缩加工用冲模30，其特征为：形成碳膜50使其覆盖冲模30之至少加工面41，该碳膜50呈现以下式（1）表示的强度比为1.0以上之拉曼光谱： ID／IG（1）其中， ID为，在该碳膜表面之拉曼光谱的1333±10cm－1之最大峰值强度， IG为，在该碳膜表面之拉曼光谱的1500±100cm－1之最大峰值强度；且该碳膜50的表面，成为算术平均粗糙度Ra为0.1μm以下的平滑面。此引缩加工用冲模30，在干式方式（无润滑方式或低润滑方式）中，即便在以引缩率高的层级进行引缩加工时，仍不发生成形不良，可有效地施行引缩加工。

34. 发明专利

TW201716631A 用於鈦表面的耐用美觀性處理审中-公开
简体标题：用于钛表面的耐用美观性处理
公开(公告)号：TW201716631A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105125816
申请日：2016-08-12
申请人：蘋果公司 , APPLE INC.
发明人：克倫詹姆士A , CURRAN, JAMES A. , 范柏爾撒迦利亞D , FEINBERG, ZECHARIAH D.
IPC分类号： C23C28/04 , C23C8/34 , C25D11/34
CPC分类号： C23C8/20 , C23C8/08 , C23C8/24 , C23C8/28 , C23C8/30 , C23C8/80 , C25D11/026 , C25D11/26
摘要：本發明提供一種用於將一表面處理提供至一金屬部件的方法，其包括：擴散硬化一金屬表面以形成一經擴散硬化之層；及氧化該經擴散硬化之層以在其上形成一氧化物塗層兩者。該經擴散硬化之層可比該金屬部件之一內部區域硬，且可能為陶瓷，且該氧化物塗層可具有不同於該金屬或陶瓷之一色彩，該色彩無法僅藉由擴散硬化或僅藉由氧化達成。該金屬可為鈦或鈦合金，該擴散硬化可包括滲碳或滲氮，且該氧化可包括電化學氧化。該氧化物層厚度可經由在氧化期間所施加之電壓的量予以控制，且該氧化物塗層色彩隨厚度而變。一經增強之硬度分佈可延伸至該氧化物塗層之頂部以下至少20微米之一深度。
简体摘要：本发明提供一种用于将一表面处理提供至一金属部件的方法，其包括：扩散硬化一金属表面以形成一经扩散硬化之层；及氧化该经扩散硬化之层以在其上形成一氧化物涂层两者。该经扩散硬化之层可比该金属部件之一内部区域硬，且可能为陶瓷，且该氧化物涂层可具有不同于该金属或陶瓷之一色彩，该色彩无法仅借由扩散硬化或仅借由氧化达成。该金属可为钛或钛合金，该扩散硬化可包括渗碳或渗氮，且该氧化可包括电化学氧化。该氧化物层厚度可经由在氧化期间所施加之电压的量予以控制，且该氧化物涂层色彩随厚度而变。一经增强之硬度分布可延伸至该氧化物涂层之顶部以下至少20微米之一深度。

35. 发明专利

TW201710555A 用於乾氣相化學蝕刻一結構之方法及設備审中-公开
简体标题：用于干气相化学蚀刻一结构之方法及设备
公开(公告)号：TW201710555A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105123267
申请日：2016-07-22
申请人： SPTS科技公司 , SPTS TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：紐曼約翰 , NEUMANN, JOHN , 雷鮑茲奇雷斯S , LEBOUITZ, KYLE S
IPC分类号： C23F1/08 , C23C28/04 , C23F1/12
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/0212 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L21/67069
摘要：本發明係提供乾氣相化學蝕刻一結構之方法，包含下列步驟：於一蝕刻室定位該結構，該結構包含一第一材料及一第二材料，其中第一材料係選自於矽、鉬、鍺、矽鍺、及鎢，第二材料係二氧化矽或氮化矽，且第一材料之至少一表面係經曝露，以便可由氣相化學蝕刻劑接觸；以及以惰性氣體氟化物或鹵素氟化物氣相化學蝕刻劑蝕刻第一材料；本方法進一步包含將蝕刻室曝露於水蒸氣之步驟，以使蝕刻第一材料之步驟於水蒸氣存在下進行。
简体摘要：本发明系提供干气相化学蚀刻一结构之方法，包含下列步骤：于一蚀刻室定位该结构，该结构包含一第一材料及一第二材料，其中第一材料系选自于硅、钼、锗、硅锗、及钨，第二材料系二氧化硅或氮化硅，且第一材料之至少一表面系经曝露，以便可由气相化学蚀刻剂接触；以及以惰性气体氟化物或卤素氟化物气相化学蚀刻剂蚀刻第一材料；本方法进一步包含将蚀刻室曝露于水蒸气之步骤，以使蚀刻第一材料之步骤于水蒸气存在下进行。

36. 发明专利

TW201700870A 具有螺紋之金屬緊固件及被覆具有螺紋之金屬緊固件的方法审中-公开
简体标题：具有螺纹之金属紧固件及被覆具有螺纹之金属紧固件的方法
公开(公告)号：TW201700870A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105114800
申请日：2016-05-12
申请人：錄播全球創新公司 , LUBO GLOBAL INNOVATION B. V.
发明人：狄布尼彼得艾塞克 , DE BRUINE, PIETER ISAAC
IPC分类号： F16B33/06 , C23C28/04 , C23C28/00
CPC分类号： F16B33/06 , C10M101/025 , C10M125/02 , C10M125/26 , C10M159/02 , C10M169/044 , C10M2201/041 , C10M2201/105 , C10M2203/104 , C10M2205/14 , C10M2205/163 , C10M2207/20 , C10M2207/283 , C10N2230/02 , C10N2230/06 , C10N2230/62 , C10N2240/06 , C10N2250/08 , C10N2250/121 , C10N2280/00 , C25D7/003
摘要：本發明提供一種包括一具有螺紋之部分之金屬緊固件，其中該具有螺紋之部分之至少部分被覆有一新組合物。該新組合物係硬的、FDA核准的且基本上由以下各項組成(a)一固體石蠟，其具有在50℃至70℃之範圍內之一熔化溫度(b)每重量份數(pbw)之固體石蠟1pbw至5pbw之一樹脂，(c)每pbw之固體石蠟0.1pbw至0.25pbw石墨，及(d)每pbw之固體石蠟0.05pbw至0.30pbw之一種二氧化矽。此外，本發明提供一種被覆包括一具有螺紋之部分之一金屬緊固件之方法，其包括以下步驟：(i)提供如上文所定義之組合物，(ii)將該緊固件維持在或帶至30℃至70℃之範圍內之一溫度，(iii)在100℃至170℃之範圍內之一溫度下施加該組合物，(iv)視情況移除剩餘組合物，(v)將該緊固件冷卻至低於100℃，(vi)在一水浴中精整該緊固件，及(vii)使該緊固件乾燥。亦提供一種粉末被覆該金屬緊固件之方法。
简体摘要：本发明提供一种包括一具有螺纹之部分之金属紧固件，其中该具有螺纹之部分之至少部分被覆有一新组合物。该新组合物系硬的、FDA核准的且基本上由以下各项组成(a)一固体石蜡，其具有在50℃至70℃之范围内之一熔化温度(b)每重量份数(pbw)之固体石蜡1pbw至5pbw之一树脂，(c)每pbw之固体石蜡0.1pbw至0.25pbw石墨，及(d)每pbw之固体石蜡0.05pbw至0.30pbw之一种二氧化硅。此外，本发明提供一种被覆包括一具有螺纹之部分之一金属紧固件之方法，其包括以下步骤：(i)提供如上文所定义之组合物，(ii)将该紧固件维持在或带至30℃至70℃之范围内之一温度，(iii)在100℃至170℃之范围内之一温度下施加该组合物，(iv)视情况移除剩余组合物，(v)将该紧固件冷却至低于100℃，(vi)在一水浴中精整该紧固件，及(vii)使该紧固件干燥。亦提供一种粉末被覆该金属紧固件之方法。

37. 发明专利

TW201700790A 強介電體陶瓷及其製造方法审中-公开
简体标题：强介电体陶瓷及其制造方法
公开(公告)号：TW201700790A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105110334
申请日：2016-03-31
申请人：友技科股份有限公司 , YOUTEC CO., LTD.
发明人：木島健 , KIJIMA, TAKESHI , 茂內健和 , SHIGENAI, TAKEKAZU
IPC分类号： C23C28/04 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , C04B35/64 , C04B35/497 , H01B3/12 , H01L41/187 , H01L41/39
CPC分类号： C23C14/08 , H01L41/187 , H01L41/316 , H01L41/317 , H01L41/43
摘要：本發明係以提升壓電特性者為課題。本發明之解決手段如下：本發明之一樣態為一種強介電體陶瓷之製造方法，其係藉由將第1非晶質膜形成於基板上，並在氧氣環境下，於第1溫度對前述第1非晶質膜進行熱處理使其結晶化，將Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3膜(105)形成於基板上，並藉由將第2非晶質膜形成於前述Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3膜上，在氧氣環境下，於較前述第1溫度更高之第2溫度，對前述第2非晶質膜進行熱處理使其結晶化，將Pb(Zr1-y-zTiyNbz)O3膜(107)形成於前述Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3膜上，x、y及z，係滿足下述式1~式3及式11。 0.24
简体摘要：本发明系以提升压电特性者为课题。本发明之解决手段如下：本发明之一样态为一种强介电体陶瓷之制造方法，其系借由将第1非晶质膜形成于基板上，并在氧气环境下，于第1温度对前述第1非晶质膜进行热处理使其结晶化，将Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3膜(105)形成于基板上，并借由将第2非晶质膜形成于前述Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3膜上，在氧气环境下，于较前述第1温度更高之第2温度，对前述第2非晶质膜进行热处理使其结晶化，将Pb(Zr1-y-zTiyNbz)O3膜(107)形成于前述Pb(Zr1-x-zTixNbz)O3膜上，x、y及z，系满足下述式1~式3及式11。 0.24

38. 发明专利

TW201639638A 塗布製品及其製造方法审中-公开
简体标题：涂布制品及其制造方法
公开(公告)号：TW201639638A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105114598
申请日：2016-05-11
申请人：威士伯採購公司 , VALSPAR SOURCING, INC.
发明人：佩頓南西 , PEDEN, NANCY
IPC分类号： B05D5/06 , B44F1/02 , C23C28/04
CPC分类号： C09D7/70 , C08K3/40 , C09D5/28 , C09D127/12 , C09D127/16 , C09D127/18 , C08K7/00
摘要：本發明提供一種塗布製品及其製造方法，所述塗布製品係將包含至少一種氟烯烴和至少一種顏料的第一塗料塗覆在基材上，隨後於其上塗覆包含至少一種氟烯烴和至少一種效果添加劑的第二塗料，其中所述效果添加劑包含具閃爍效果的玻璃片，以提供具有類似于常規塗層所保證的大範圍色彩的固化膜，如是藉所述第二塗料提供所述塗布製品能夠在擴大範圍的色彩空間內展示出鮮豔色彩和閃爍效果之閃爍面飾。
简体摘要：本发明提供一种涂布制品及其制造方法，所述涂布制品系将包含至少一种氟烯烃和至少一种颜料的第一涂料涂覆在基材上，随后于其上涂覆包含至少一种氟烯烃和至少一种效果添加剂的第二涂料，其中所述效果添加剂包含具闪烁效果的玻璃片，以提供具有类似于常规涂层所保证的大范围色彩的固化膜，如是藉所述第二涂料提供所述涂布制品能够在扩大范围的色彩空间内展示出鲜艳色彩和闪烁效果之闪烁面饰。

39. 发明专利

TW201631197A 硫屬化物薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：硫属化物薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201631197A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105103236
申请日：2016-02-02
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANOTECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/56 , C23C28/04
CPC分类号： H01L29/66969 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/56 , H01L21/02483 , H01L21/02485 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , H01L21/02614 , H01L21/477 , H01L29/861
摘要：本揭露提供一種硫屬化物薄膜之製造方法。此方法包括：提供基底於腔室中；實行第一原子層沉積製程以形成第一氧化物薄膜於基底上方；實行第一硫屬化製程，包括注入第一硫屬元素，以使第一氧化物薄膜轉變為第一硫屬化物薄膜；於第一硫屬化物薄膜上實行退火製程。
简体摘要：本揭露提供一种硫属化物薄膜之制造方法。此方法包括：提供基底于腔室中；实行第一原子层沉积制程以形成第一氧化物薄膜于基底上方；实行第一硫属化制程，包括注入第一硫属元素，以使第一氧化物薄膜转变为第一硫属化物薄膜；于第一硫属化物薄膜上实行退火制程。

40. 发明专利

TW201629267A 形成有低電阻及淺接面深度之膜的方法审中-公开
简体标题：形成有低电阻及浅接面深度之膜的方法
公开(公告)号：TW201629267A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104142636
申请日：2015-12-18
申请人： ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：木村祥亮 , KIMURA, YOSUKE , 羅斯大衛堤 , ROEST, DAVID DE
IPC分类号： C23C28/04 , C23C16/40 , C23C16/34
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45531 , C23C16/45538 , H01L21/02126 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02219
摘要：一種用於在一基板上形成一具有一罩蓋膜之經摻雜氧化矽膜之方法，其包括：在一基板上形成一砷矽酸鹽玻璃(ASG)膜作為一砷(As)摻雜氧化矽膜；以由Si、N、及H構成之處理氣體在未激發下連續地處理該ASG膜之表面；及在該ASG膜之經處理表面上連續地形成一氮化矽(SiN)膜作為一罩蓋膜。
简体摘要：一种用于在一基板上形成一具有一罩盖膜之经掺杂氧化硅膜之方法，其包括：在一基板上形成一砷硅酸盐玻璃(ASG)膜作为一砷(As)掺杂氧化硅膜；以由Si、N、及H构成之处理气体在未激发下连续地处理该ASG膜之表面；及在该ASG膜之经处理表面上连续地形成一氮化硅(SiN)膜作为一罩盖膜。

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