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31. 发明专利

TWI241604B 層積陶瓷電子元件之製造方法 METHOD OF PRODUCTION OF MULTILAYER CERAMIC ELECTRONIC DEVICE 失效
简体标题：层积陶瓷电子组件之制造方法 METHOD OF PRODUCTION OF MULTILAYER CERAMIC ELECTRONIC DEVICE
公开(公告)号：TWI241604B
公开(公告)日：2005-10-11
申请号：TW093131961
申请日：2004-10-21
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：渡邊康夫 YASUO WATANABE , 遠藤健太 KENTA ENDOH , 高原彌 WATARU TAKAHARA
IPC分类号： H01G , C04B
CPC分类号： C04B35/49 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/486 , C04B35/6262 , C04B35/6264 , C04B35/638 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/663 , C04B2235/79 , H01G4/12 , H01G4/30
摘要：本發明提供一種構造缺陷少、並可改善高溫負荷壽命之如層積陶瓷電容器等之層積陶瓷電子元件之製造方法，包括：對以介電層用漿料、與含有卑金屬之內電極層用漿料複數交互配置而成之層積體進行燒結之燒結製程；對經上述燒結之層積體，以600~900℃之溫度T1進行回火處理之第1回火製程；及對經上述第1回火之層積體，以900~1200℃(不包括900℃)之溫度T2進行回火處理之第2回火製程。
简体摘要：本发明提供一种构造缺陷少、并可改善高温负荷寿命之如层积陶瓷电容器等之层积陶瓷电子组件之制造方法，包括：对以介电层用浆料、与含有卑金属之内电极层用浆料复数交互配置而成之层积体进行烧结之烧结制程；对经上述烧结之层积体，以600~900℃之温度T1进行回火处理之第1回火制程；及对经上述第1回火之层积体，以900~1200℃(不包括900℃)之温度T2进行回火处理之第2回火制程。

32. 发明专利

TWI228113B 高介電常數之介電陶磁組成物以及電子元件 HIGH PERMITTIVITY DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE 有权
简体标题：高介电常数之介电陶磁组成物以及电子组件 HIGH PERMITTIVITY DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND ELECTRONIC DEVICE
公开(公告)号：TWI228113B
公开(公告)日：2005-02-21
申请号：TW092106600
申请日：2003-03-25
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：佐佐木則夫 NORIO SASAKI , 渡邊義春 YOSHIHARU WATANABE
IPC分类号： C04B , H01B
CPC分类号： C04B35/49 , C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3279 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , H01G4/1245
摘要：一種高介電常數介電陶瓷組成物，其包含有：由 BaTiO3、BaZrO3、CaTiO3、MgTiO5，以及Bi2TiO5所構成之主成分；以及由NiO、CeO2以及MnO所構成之副成分，其中當所有上述主成分全體為100莫爾%時，BaTiO3佔主成分全體之74.24~79.97莫爾%、BaZrO3佔主成分全體之5.69~12.04莫爾%、CaTiO3佔主成分全體之7.84~12.13莫爾%、 MgTiO5佔主成分全體之3.11~4.72莫爾%、Bi2TiO5佔主成分全體之0.10~0.60莫爾%，且當所有上述主成分重量為100重量%時，NiO的重量百分比為0.1重量%以下(0除外)，CeO2的重量百分比為0.1重量%以下(0除外)，MnO的重量百分比為0.2重量%以下(0除外)。上述高介電常數介電陶瓷組成物，必要時可進一步包含SiO2，其含量在相對上述主成分重量為100重量%時為0.2重量%以下(0除外)。上述高介電常數介電陶瓷組成物之比介電常數高達9000、交流破壞電壓高，且對溫度之靜電容量變化率小。
简体摘要：一种高介电常数介电陶瓷组成物，其包含有：由 BaTiO3、BaZrO3、CaTiO3、MgTiO5，以及Bi2TiO5所构成之主成分；以及由NiO、CeO2以及MnO所构成之副成分，其中当所有上述主成分全体为100莫尔%时，BaTiO3占主成分全体之74.24~79.97莫尔%、BaZrO3占主成分全体之5.69~12.04莫尔%、CaTiO3占主成分全体之7.84~12.13莫尔%、 MgTiO5占主成分全体之3.11~4.72莫尔%、Bi2TiO5占主成分全体之0.10~0.60莫尔%，且当所有上述主成分重量为100重量%时，NiO的重量百分比为0.1重量%以下(0除外)，CeO2的重量百分比为0.1重量%以下(0除外)，MnO的重量百分比为0.2重量%以下(0除外)。上述高介电常数介电陶瓷组成物，必要时可进一步包含SiO2，其含量在相对上述主成分重量为100重量%时为0.2重量%以下(0除外)。上述高介电常数介电陶瓷组成物之比介电常数高达9000、交流破坏电压高，且对温度之静电容量变化率小。

33. 发明专利

TW200503014A 介電體陶瓷組合物及電子元件审中-公开
简体标题：介电体陶瓷组合物及电子组件
公开(公告)号：TW200503014A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093103721
申请日：2004-02-17
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：渡邊康夫 YASUO WATANABE , 高原彌 WATARU TAKAHARA
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/1245 , C04B35/48 , C04B35/49 , C04B35/63 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/36 , C04B2235/656 , C04B2235/96 , H01B3/12 , H01G4/30
摘要：一種介電體陶瓷組合物，備有用組成式｛(Ca1–xMex)O｝m．(Zr1–yTiy)O2所示的、代表該組成式中的元素名之記號Me係Sr、Mg及Ba的至少1種，代表該組成式中的組成mol比之記號m、x及y係0.8≦m≦1.3、0≦x≦1.00、0≦y≦1.00的關係之介電體氧化物為主成分、含有V氧化物之第1副成分、含有A1氧化物之第2副成分、含有Mn氧化物之第3副成分、用組成式｛(Baz，Ca1–z)O｝vSiO2所示的、代表該組成式中的組成mol比的記號z及v係0≦z≦1及0.5≦v≦4.0的複合氧化物之第4副成分，其中，相對於前述主成分100mol的各成分比例，第1副成分：0mol＜第1副成分＜7mol(其中將V氧化物換算成V2O5之值)，第2副成分：0mol＜第2副成分＜15mol(其中將A1氧化物換算成A12O3之值)，第3副成分：0mol＜第3副成分＜5mol(氧化物中的Mn元素換算之值)，第4副成分：0mol＜第4副成分＜20mol(用複合氧化物換算之值)。根據本發明，提供具有良好的低頻率介電特性、絕緣電阻的加速壽命進一步提高的耐還原性之介電體陶瓷組合物。
简体摘要：一种介电体陶瓷组合物，备有用组成式｛(Ca1–xMex)O｝m．(Zr1–yTiy)O2所示的、代表该组成式中的元素名之记号Me系Sr、Mg及Ba的至少1种，代表该组成式中的组成mol比之记号m、x及y系0.8≦m≦1.3、0≦x≦1.00、0≦y≦1.00的关系之介电体氧化物为主成分、含有V氧化物之第1副成分、含有A1氧化物之第2副成分、含有Mn氧化物之第3副成分、用组成式｛(Baz，Ca1–z)O｝vSiO2所示的、代表该组成式中的组成mol比的记号z及v系0≦z≦1及0.5≦v≦4.0的复合氧化物之第4副成分，其中，相对于前述主成分100mol的各成分比例，第1副成分：0mol＜第1副成分＜7mol(其中将V氧化物换算成V2O5之值)，第2副成分：0mol＜第2副成分＜15mol(其中将A1氧化物换算成A12O3之值)，第3副成分：0mol＜第3副成分＜5mol(氧化物中的Mn元素换算之值)，第4副成分：0mol＜第4副成分＜20mol(用复合氧化物换算之值)。根据本发明，提供具有良好的低频率介电特性、绝缘电阻的加速寿命进一步提高的耐还原性之介电体陶瓷组合物。

34. 发明专利

TW200407917A 具有高介電常數及低介電損耗之介電材料組成物 DIELECTRIC MATERIAL COMPOSITIONS WITH HIGH DIELECTRIC CONSTANT AND LOW DIELECTRIC LOSS 失效
简体标题：具有高介电常数及低介电损耗之介电材料组成物 DIELECTRIC MATERIAL COMPOSITIONS WITH HIGH DIELECTRIC CONSTANT AND LOW DIELECTRIC LOSS
公开(公告)号：TW200407917A
公开(公告)日：2004-05-16
申请号：TW091132930
申请日：2002-11-08
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳麗梅 CHEN, LI MEI , 王朝仁 CHAO-JEN WANG , 余建賢 CHIEN-HSIEN YU , 林仁博 JEN-PO LIN
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01L21/02197 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C23C14/088 , H01C7/008 , H01C17/06533 , H01G4/1245 , H01G4/1254 , H01L21/02266 , H01L21/02282 , H01L21/31691
摘要：本發明有關一種新穎的具有高介電常數與低介電損耗之介電材料組成物，其包含以一般式Ba1–xM^1xTi1–yM^2yOm表示之具有鈣鈦礦結構之四元金屬氧化物。
简体摘要：本发明有关一种新颖的具有高介电常数与低介电损耗之介电材料组成物，其包含以一般式Ba1–xM^1xTi1–yM^2yOm表示之具有钙钛矿结构之四元金属氧化物。

35. 发明专利

TW357371B 低溫介電組合物及其於積層微波介電陶瓷元件之用途失效
简体标题：低温介电组合物及其于积层微波介电陶瓷组件之用途
公开(公告)号：TW357371B
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：TW086114623
申请日：1997-10-07
申请人：行政院國家科學委員會
发明人：林世昌 , 簡朝和
IPC分类号： H01G
CPC分类号： C04B35/49 , C04B35/465
摘要：一種介電組合物，其可於不高於1000℃之溫度燒結緻密，且提供具介電係數(7GHz)在35至40間與品質係數在1000至5000間之陶瓷產品。該介電組合物係含0.1至50重量％BaCuO2-CuO及99.9至50重量％ZrO2-SnO2-TiO2，其可與有機溶劑、黏結劑、及塑化劑混合，利用刮刀成形製成生胚薄片，再經網印、疊壓，可與高導電性、低熔點之金屬共燒製成積層型微波介電陶瓷元件。
简体摘要：一种介电组合物，其可于不高于1000℃之温度烧结致密，且提供具介电系数(7GHz)在35至40间与品质系数在1000至5000间之陶瓷产品。该介电组合物系含0.1至50重量％BaCuO2-CuO及99.9至50重量％ZrO2-SnO2-TiO2，其可与有机溶剂、黏结剂、及塑化剂混合，利用刮刀成形制成生胚薄片，再经网印、叠压，可与高导电性、低熔点之金属共烧制成积层型微波介电陶瓷组件。

36. 发明专利

TWI537998B 積層陶瓷電容有权
简体标题：积层陶瓷电容
公开(公告)号：TWI537998B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103107767
申请日：2014-03-06
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：岡本貴史 , OKAMOTO, TAKAFUMI , 鈴木祥一郎 , SUZUKI, SHOICHIRO
IPC分类号： H01G4/12 , C04B35/46 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/1245 , C04B35/49 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6584 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01G4/012 , H01G4/1209 , H01G4/1218 , H01G4/1236 , H01G4/248 , H01G4/30

37. 发明专利

TW201546021A 壓電材料，壓電元件，與電子裝置审中-公开
简体标题：压电材料，压电组件，与电子设备
公开(公告)号：TW201546021A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104115389
申请日：2015-05-14
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：村上俊介 , MURAKAMI, SHUNSUKE , 渡邉之 , WATANABE, TAKAYUKI , 松田堅義 , MATSUDA, TAKANORI , 大志万香菜子 , OSHIMA, KANAKO , 久保田純 , KUBOTA, MAKOTO
IPC分类号： C04B35/42 , H01L41/187
CPC分类号： H01L41/1871 , B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2/14274 , B41J2/161 , B41J2/1612 , B41J2/1632 , B41J2/1637 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/62685 , C04B35/634 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3248 , C04B2235/3267 , C04B2235/3274 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , G02B7/10 , G02B27/0006 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/43 , H02N2/106 , H02N2/163 , Y10T428/2982
摘要：本發明提供不含鉛並且在裝置驅動溫度範圍(-30℃至50℃)內具有優異的壓電常數和機械品質因數的壓電材料。壓電材料包括：含有由下述通式(1)表示的鈣鈦礦金屬氧化物的主要成分、和含有Mn的第一輔助成分，其中含有的Mn的量為0.002莫耳-0.015莫耳，相對於1莫耳的金屬氧化物。 (Ba1-yBiy)a(Ti1-x-zZrxFez)O3 (1)(其中0.010x0.060，0.001y0.015，0.001z0.015，0.950y/z1.050，和0.986a1.020)
简体摘要：本发明提供不含铅并且在设备驱动温度范围(-30℃至50℃)内具有优异的压电常数和机械品质因子的压电材料。压电材料包括：含有由下述通式(1)表示的钙钛矿金属氧化物的主要成分、和含有Mn的第一辅助成分，其中含有的Mn的量为0.002莫耳-0.015莫耳，相对于1莫耳的金属氧化物。 (Ba1-yBiy)a(Ti1-x-zZrxFez)O3 (1)(其中0.010x0.060，0.001y0.015，0.001z0.015，0.950y/z1.050，和0.986a1.020)

38. 发明专利

TWI402874B 層疊陶瓷電容器有权
简体标题：层叠陶瓷电容器
公开(公告)号：TWI402874B
公开(公告)日：2013-07-21
申请号：TW096130889
申请日：2007-08-21
申请人：太陽誘電股份有限公司 , TAIYO YUDEN CO., LTD.
发明人：竹岡伸介 , TAKEOKA, SHINSUKE
IPC分类号： H01G4/30 , H01G4/12 , C04B35/46
CPC分类号： H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B2235/3203 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/785 , H01G4/0085 , H01G4/30

39. 发明专利

TW201210988A 介電質瓷器組合物及溫度補償用積層電容器 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND TEMPERATURE COMPENSATION LAMINATED CAPACITOR 审中-公开
简体标题：介电质瓷器组合物及温度补偿用积层电容器 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND TEMPERATURE COMPENSATION LAMINATED CAPACITOR
公开(公告)号：TW201210988A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100108380
申请日：2011-03-11
申请人：村田製作所股份有限公司
发明人：西村仁志 , 內藤正浩
IPC分类号： C04B , H01G
CPC分类号： H01G4/1245 , C04B35/486 , C04B35/49 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6025 , C04B2235/9669 , H01G4/30
摘要：本發明提供一種介電質瓷器組合物，其以(CaxSr1-x)(TiyZr1-y)O3為主成分，即便使用Ni等卑金屬作為內部電極，亦可獲得難以產生高濕度下之絕緣電阻之經時劣化之積層電容器。介電質瓷器組合物含有在將主成分表示為(CaxSr1-x)(TiyZr1-y)O3時，滿足0≦x≦1且0≦y≦0.50之主成分；且作為副成分，相對於主成分100莫耳份，含有0.5莫耳份以上15莫耳份以下之SiO2、0.1莫耳份以上10莫耳份以下之MnO，進而，以0.01莫耳份以上、0.079莫耳份以下之比例含有Al2O3。
简体摘要：本发明提供一种介电质瓷器组合物，其以(CaxSr1-x)(TiyZr1-y)O3为主成分，即便使用Ni等卑金属作为内部电极，亦可获得难以产生高湿度下之绝缘电阻之经时劣化之积层电容器。介电质瓷器组合物含有在将主成分表示为(CaxSr1-x)(TiyZr1-y)O3时，满足0≦x≦1且0≦y≦0.50之主成分；且作为副成分，相对于主成分100莫耳份，含有0.5莫耳份以上15莫耳份以下之SiO2、0.1莫耳份以上10莫耳份以下之MnO，进而，以0.01莫耳份以上、0.079莫耳份以下之比例含有Al2O3。

40. 发明专利

TW201129642A 含二氧化鈦之壓出物 TITANIA-CONTAINING EXTRUDATE 审中-公开
简体标题：含二氧化钛之压出物 TITANIA-CONTAINING EXTRUDATE
公开(公告)号：TW201129642A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099142017
申请日：2010-12-03
申请人：利安德化學科技有限公司
发明人：謝丹尼爾特拉維斯
IPC分类号： C09C , B29C , B01J
CPC分类号： C04B30/00 , B01J21/063 , B01J23/44 , B01J23/52 , B01J23/66 , B01J37/0018 , C04B24/383 , C04B26/285 , C04B35/46 , C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/49 , C04B35/6263 , C04B35/632 , C04B35/63488 , C04B35/6365 , C04B38/0645 , C04B2111/00129 , C04B2235/3217 , C04B2235/3244 , C04B2235/3418 , C04B2235/3445 , C04B2235/3463 , C04B2235/349 , C04B2235/6021 , C04B2235/606 , C04B2235/6562 , C04B2235/721 , C07C67/055 , C04B14/305 , C04B40/0268 , C04B38/067 , C07C69/15
摘要：本發明揭示一種包含二氧化鈦、羧烷基纖維素、及羥烷基纖維素之壓出物。該壓出物在離開擠壓機時具有光滑外表面，且可改善其擠壓加工性。
简体摘要：本发明揭示一种包含二氧化钛、羧烷基纤维素、及羟烷基纤维素之压出物。该压出物在离开挤压机时具有光滑外表面，且可改善其挤压加工性。

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