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31. 发明专利

TW201501208A 半導體裝置的製造方法及半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法及半导体设备
公开(公告)号：TW201501208A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103105281
申请日：2014-02-18
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION , 日立製作所股份有限公司 , HITACHI, LTD.
发明人：藤原剛 , FUJIWARA, TSUYOSHI , 佐藤清彦 , SATOH, KIYOHIKO , 松本大地 , MATSUMOTO, DAICHI , 宮崎努 , MIYAZAKI, TSUTOMU
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/28 , H01L23/5223 , H01L23/53223 , H01L28/75 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明的課題是在於提供一種即使下部電極的主導體膜的膜厚變厚，還是可抑制電容元件的耐壓值的降低，抑制耐壓值的偏差之半導體裝置。其解決手段是進行：形成成為下部電極(BE1)的層疊膜(34)之工程，及在層疊膜(34)上形成成為電容膜(CIF1)的絕緣膜(38)之工程，及使絕緣膜(38)及層疊膜(34)圖案化之工程。在形成層疊膜(34)的工程中，由下依序形成含鈦的膜(31a)，含鈦及氮的膜(31b)，含鋁的主導體膜(32)，含鈦的膜(33a)，及含鈦及氮的膜(33b)。而且，層疊膜(34)的上面(34a)的表面粗度對絕緣膜(38)的膜厚(FT1)之比率為14%以下。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种即使下部电极的主导体膜的膜厚变厚，还是可抑制电容组件的耐压值的降低，抑制耐压值的偏差之半导体设备。其解决手段是进行：形成成为下部电极(BE1)的层叠膜(34)之工程，及在层叠膜(34)上形成成为电容膜(CIF1)的绝缘膜(38)之工程，及使绝缘膜(38)及层叠膜(34)图案化之工程。在形成层叠膜(34)的工程中，由下依序形成含钛的膜(31a)，含钛及氮的膜(31b)，含铝的主导体膜(32)，含钛的膜(33a)，及含钛及氮的膜(33b)。而且，层叠膜(34)的上面(34a)的表面粗度对绝缘膜(38)的膜厚(FT1)之比率为14%以下。

32. 发明专利

TW201448147A 半導體裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201448147A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103110909
申请日：2014-03-24
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：長倉浩太郎 , NAGAKURA, KOTARO
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/28
CPC分类号： H01L23/5228 , H01L21/32135 , H01L21/32139 , H01L21/768 , H01L23/5222 , H01L23/5223 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53209 , H01L27/016 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H01L28/24 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種可較先前減少於基板具有複數種電阻體之半導體裝置之製造步驟數的半導體裝置及其製造方法。半導體裝置(1)具備：第1金屬配線層(11)，其形成於基板(10)上；層間絕緣膜(12)，其形成於第1金屬配線層(11)上；第2金屬配線層(23)，其形成於層間絕緣膜(12)上；第1電阻體，其包含形成於第1金屬配線層(11)與第2金屬配線層(23)之間之第1電阻金屬膜(14a)、形成於第1電阻金屬膜(14a)上之第1絕緣膜(15a)、及形成於第1絕緣膜(15a)上之第2電阻金屬膜(16a)；及第2電阻體，其包含形成於第1金屬配線層(11)與第2金屬配線層(23)之間之第1電阻金屬膜(14b)、形成於第1電阻金屬膜(14b)上之第1絕緣膜(15b)、及形成於第1絕緣膜(15b)上之第2電阻金屬膜(16b)。
简体摘要：本发明提供一种可较先前减少于基板具有复数种电阻体之半导体设备之制造步骤数的半导体设备及其制造方法。半导体设备(1)具备：第1金属配线层(11)，其形成于基板(10)上；层间绝缘膜(12)，其形成于第1金属配线层(11)上；第2金属配线层(23)，其形成于层间绝缘膜(12)上；第1电阻体，其包含形成于第1金属配线层(11)与第2金属配线层(23)之间之第1电阻金属膜(14a)、形成于第1电阻金属膜(14a)上之第1绝缘膜(15a)、及形成于第1绝缘膜(15a)上之第2电阻金属膜(16a)；及第2电阻体，其包含形成于第1金属配线层(11)与第2金属配线层(23)之间之第1电阻金属膜(14b)、形成于第1电阻金属膜(14b)上之第1绝缘膜(15b)、及形成于第1绝缘膜(15b)上之第2电阻金属膜(16b)。

33. 发明专利

TW201436314A 磁性感測器审中-公开
简体标题：磁性传感器
公开(公告)号：TW201436314A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103119283
申请日：2013-10-25
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：福中敏昭 , FUKUNAKA, TOSHIAKI , 長谷川秀則 , HASEGAWA, HIDENORI
IPC分类号： H01L43/04 , G01R33/07
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種磁性感測器，其即便於薄型化之片狀件中將電流反向流動之情形時，亦可防止漏電流之增大，且即便反向安裝亦可抑制漏電流之增大。本發明之磁性感測器包含：引線框10，其包含島狀物11、及配置於該島狀物11之周圍之複數個引線端子12~15；片狀件20，其經由接著層而安裝於島狀物11上；及複數條金屬細線41~44，其等將片狀件20所具有之複數個電極部23a~23d與複數個引線端子12~15分別電性連接。引線端子12為電性連接於島狀物11之島狀物端子。又，接著層為將島狀物11與片狀件20之間絕緣之絕緣膏30、或固晶膜150之黏著層130。
简体摘要：本发明提供一种磁性传感器，其即便于薄型化之片状件中将电流反向流动之情形时，亦可防止漏电流之增大，且即便反向安装亦可抑制漏电流之增大。本发明之磁性传感器包含：引线框10，其包含岛状物11、及配置于该岛状物11之周围之复数个引线端子12~15；片状件20，其经由接着层而安装于岛状物11上；及复数条金属细线41~44，其等将片状件20所具有之复数个电极部23a~23d与复数个引线端子12~15分别电性连接。引线端子12为电性连接于岛状物11之岛状物端子。又，接着层为将岛状物11与片状件20之间绝缘之绝缘膏30、或固晶膜150之黏着层130。

34. 发明专利

TW201423063A 紅外線感測器及其製造方法、紅外線感測器用濾光部件、光耦合器审中-公开
简体标题：红外线传感器及其制造方法、红外线传感器用滤光部件、光耦合器
公开(公告)号：TW201423063A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102144668
申请日：2013-12-05
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：福中敏昭 , FUKUNAKA, TOSHIAKI , 明樂泰孝 , MYORAKU, YASUTAKA
IPC分类号： G01J1/42 , G01J1/04 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02327 , G01J1/02 , G01J1/0271 , G01J1/04 , G01J1/0492 , G01N21/35 , G01N21/3504 , G01N21/61 , G02B5/208 , H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L31/02325 , H01L31/09 , H01L31/12 , H01L31/16 , H01L31/173 , H02S40/44
摘要：本發明之濾光部件(30)包含第1引線端子(31)、光學濾光片(33)、(34)、及第1模塑部件(35)，光學濾光片(33)、(34)之光入射面與光出射面係自第1模塑部件(35)露出。感測器部件(40)包含IR感測器元件(43)、(44)、第2引線端子(41)、及第2模塑部件(46)。IR感測器元件(43)、(44)之受光面係自第2模塑部件(46)露出。濾光部件(30)係以光學濾光片(33)、(34)之光出射面與感測器部件(40)之IR感測器元件(43)、(44)之受光面對向之方式配置於感測器部件(40)上。
简体摘要：本发明之滤光部件(30)包含第1引线端子(31)、光学滤光片(33)、(34)、及第1模塑部件(35)，光学滤光片(33)、(34)之光入射面与光出射面系自第1模塑部件(35)露出。传感器部件(40)包含IR传感器组件(43)、(44)、第2引线端子(41)、及第2模塑部件(46)。IR传感器组件(43)、(44)之受光面系自第2模塑部件(46)露出。滤光部件(30)系以光学滤光片(33)、(34)之光出射面与传感器部件(40)之IR传感器组件(43)、(44)之受光面对向之方式配置于传感器部件(40)上。

35. 发明专利

TW201314216A 電流感測器用基板及電流感測器审中-公开
简体标题：电流传感器用基板及电流传感器
公开(公告)号：TW201314216A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101125434
申请日：2012-07-13
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：鈴木健治 , SUZUKI, KENJI , 今庄秀人 , IMAJO, HIDETO , 高木大吾 , TAKAGI, DAIGO
IPC分类号： G01R15/20 , H01L23/12 , H01L23/50 , H01L43/06
CPC分类号： G01R15/146 , G01R15/20 , H01L24/05 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73221 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
摘要：本發明係對於利用具備具有U字形之電流通路之一次導體之電流感測器，降低製造成本。電流感測器(200)具備具有U字形之電流通路(201A)之一次導體(210)、用以支持磁電轉換元件(230A)之支持部(220A)、及與支持部(220A)連接之引線端子(220B)，且電流通路(210A)係以俯視時不與支持部(220A)重疊，且側視時與支持部(220A)之高度不同之方式形成。
简体摘要：本发明系对于利用具备具有U字形之电流通路之一次导体之电流传感器，降低制造成本。电流传感器(200)具备具有U字形之电流通路(201A)之一次导体(210)、用以支持磁电转换组件(230A)之支持部(220A)、及与支持部(220A)连接之引线端子(220B)，且电流通路(210A)系以俯视时不与支持部(220A)重叠，且侧视时与支持部(220A)之高度不同之方式形成。

36. 发明专利

TW201248160A 電流感測器审中-公开
简体标题：电流传感器
公开(公告)号：TW201248160A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW100118355
申请日：2011-05-25
申请人：旭化成微電子股份有限公司
发明人：鈴木健治 , 深澤尚也 , 長谷川秀則
IPC分类号： G01R
摘要：本發明一方面考量到以電氣設備為對象之安全標準,一方面確保沿面距離,可容易地組裝而實現小型化或小佔有面積化,且防止具有尺寸偏差之磁性體核心之晃動。本體匣構件10於上表面具備可嵌入之具有沿面距離之第1嵌合部10a,於第1嵌合部10a之長度方向於上表面與下表面之間形成有第1空隙部10d。蓋匣構件40於下表面具備可嵌入之具有沿面距離之第2嵌合部40a,於第2嵌合部40a之長度方向於下表面與上表面之間形成有第2空隙部40d。一次導體30被組入本體匣構件10之第1嵌合部10a、10a之間,且由蓋匣構件40予以按壓。剖面

字狀之核心50以夾入一次導體30及磁感測器20之方式插入固定於第1空隙部10d與第2空隙部40d中。
简体摘要：本发明一方面考量到以电气设备为对象之安全标准,一方面确保沿面距离,可容易地组装而实现小型化或小占有面积化,且防止具有尺寸偏差之磁性体内核之晃动。本体匣构件10于上表面具备可嵌入之具有沿面距离之第1嵌合部10a,于第1嵌合部10a之长度方向于上表面与下表面之间形成有第1空隙部10d。盖匣构件40于下表面具备可嵌入之具有沿面距离之第2嵌合部40a,于第2嵌合部40a之长度方向于下表面与上表面之间形成有第2空隙部40d。一次导体30被组入本体匣构件10之第1嵌合部10a、10a之间,且由盖匣构件40予以按压。剖面字状之内核50以夹入一次导体30及磁传感器20之方式插入固定于第1空隙部10d与第2空隙部40d中。

37. 外观设计

TWD142796S 電流感測器有权
简体标题：电流传感器
公开(公告)号：TWD142796S
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：TW099305668
申请日：2010-11-05
申请人：旭化成微電子股份有限公司
设计人：鈴木健治 , 深澤尚也
摘要：【物品用途】
本物品係用以檢測流經配線於機器內之待測定電流導體之電流，可藉由磁感測器感測因磁性體芯部之磁通變化所產生之電流。
【創作特點】
本創作為新穎獨特之設計，其形狀於一側具有感測器訊號輸出端子，於相對側開設有芯部插入用之孔，在與此等成直角方向的方向上伸出有1次導體端子，且1次導體端子伸出面上具有楔形之樹脂盒體的嵌合構造。
本創作為新穎獨特之樣式，藉由獨特地設計電流感測器之形狀，可顯出先前技藝所未有之視覺效果。
简体摘要：【物品用途】本物品系用以检测流经配线于机器内之待测定电流导体之电流，可借由磁传感器传感因磁性体芯部之磁通变化所产生之电流。【创作特点】本创作为新颖独特之设计，其形状于一侧具有传感器信号输出端子，于相对侧开设有芯部插入用之孔，在与此等成直角方向的方向上伸出有1次导体端子，且1次导体端子伸出面上具有楔形之树脂盒体的嵌合构造。本创作为新颖独特之样式，借由独特地设计电流传感器之形状，可显出先前技艺所未有之视觉效果。

38. 发明专利

TWI543417B 磁性感應器及磁性感應器裝置、磁性感應器之製造方法有权
简体标题：磁性感应器及磁性感应器设备、磁性感应器之制造方法
公开(公告)号：TWI543417B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW102145196
申请日：2013-12-09
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：福中敏昭 , FUKUNAKA, TOSHIAKI , 長谷川秀則 , HASEGAWA, HIDENORI
IPC分类号： H01L43/04 , G01R33/07
CPC分类号： G01R33/07 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/97 , H01L43/04 , H01L43/065 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

39. 发明专利

TW201617638A 霍爾感測器及鏡頭模組审中-公开
简体标题：霍尔传感器及镜头模块
公开(公告)号：TW201617638A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104131017
申请日：2015-09-18
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：福中敏昭 , FUKUNAKA, TOSHIAKI
IPC分类号： G01R33/07 , H01L43/06 , G02B7/08
CPC分类号： G01R33/02 , G01R33/07 , H01L23/12 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種可防止洩漏電流之產生、薄型且可正確地檢測出磁性之霍爾感測器及鏡頭模組。霍爾元件(10)具有基板(11)、設置於基板(11)上之磁感應部(12)、及與磁感應部(12)連接之複數個電極部(13a至13d)。複數個引線端子(21a至21d)配置於霍爾元件之周圍。複數個導線(31a至31d)電性連接複數個電極部之各電極部之各者與複數個引線端子之各引線端子之各者。密封構件(50)覆蓋霍爾元件、複數個引線端子、及複數個導線。自密封構件之底面(E)至電極部與導線之第1接觸點(a)為止之高度(h1)構成為低於自密封構件之底面(E)至引線端子與導線之第2接觸點(b)為止之高度(h2)。
简体摘要：本发明系关于一种可防止泄漏电流之产生、薄型且可正确地检测出磁性之霍尔传感器及镜头模块。霍尔组件(10)具有基板(11)、设置于基板(11)上之磁感应部(12)、及与磁感应部(12)连接之复数个电极部(13a至13d)。复数个引线端子(21a至21d)配置于霍尔组件之周围。复数个导线(31a至31d)电性连接复数个电极部之各电极部之各者与复数个引线端子之各引线端子之各者。密封构件(50)覆盖霍尔组件、复数个引线端子、及复数个导线。自密封构件之底面(E)至电极部与导线之第1接触点(a)为止之高度(h1)构成为低于自密封构件之底面(E)至引线端子与导线之第2接触点(b)为止之高度(h2)。

40. 发明专利

TWI492278B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI492278B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW102108125
申请日：2013-03-07
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：香月將吾 , KATSUKI, SHOGO , 阪本敏郎 , SAKAMOTO, TOSHIRO
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/26506 , H01L21/28167 , H01L21/28185 , H01L21/2822 , H01L21/324 , H01L29/51 , H01L29/78 , Y10S438/981

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