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21. 发明专利

TWI663230B 鎢拋光料漿組合物有权
简体标题：钨抛光料浆组合物
公开(公告)号：TWI663230B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW105121787
申请日：2016-07-11
申请人：凱斯科技股份有限公司 , K.C.TECH.CO.LTD.
发明人：黃珍淑 , HWANG, JIN SOOK , 孔鉉九 , KONG, HYUN GOO , 朴韓斗 , PARK, HAN TEO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304

22. 发明专利

TW201920535A 研磨液、研磨液套組及研磨方法审中-公开
简体标题：研磨液、研磨液套组及研磨方法
公开(公告)号：TW201920535A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107131902
申请日：2018-09-11
申请人：日商日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：金丸真美子 , KANAMARU, MAMIKO , 山村奈央 , YAMAMURA, NAO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/3105 , H01L21/304
摘要：一種研磨液，其含有研磨粒、共聚物以及液狀介質，所述共聚物具有源自選自由苯乙烯及苯乙烯衍生物所組成的群組中的至少一種苯乙烯化合物的結構單元、與源自選自由丙烯酸及馬來酸所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述共聚物中源自所述苯乙烯化合物的結構單元的比率為15 mol%以上。
简体摘要：一种研磨液，其含有研磨粒、共聚物以及液状介质，所述共聚物具有源自选自由苯乙烯及苯乙烯衍生物所组成的群组中的至少一种苯乙烯化合物的结构单元、与源自选自由丙烯酸及马来酸所组成的群组中的至少一种的结构单元，所述共聚物中源自所述苯乙烯化合物的结构单元的比率为15 mol%以上。

23. 发明专利

TW201918329A 多晶氮化鋁基板的拋光方法及多晶氮化鋁基板之成品审中-公开
简体标题：多晶氮化铝基板的抛光方法及多晶氮化铝基板之成品
公开(公告)号：TW201918329A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW106138427
申请日：2017-11-07
申请人：兆遠科技股份有限公司 , CRYSTALWISE TECHNOLOGY INC.
发明人：王興民 , 張延瑜 , CHANG, YEM-YEU , 李瑞評 , LI, JUI-PING , 洪士哲 , 羅乾維
IPC分类号： B24B29/00 , C09G1/02 , C04B35/581
摘要：一種多晶氮化鋁基板的拋光方法，包含下列步驟：將多晶氮化鋁基板置於一拋光裝置進行拋光作業，其中拋光裝置所使用的拋光液之pH值介於pH 7~9.5之間，且拋光液中包括重量百分比介於15~30%之研磨劑；在拋光作業完成後，將多晶氮化鋁基板自該拋光裝置取出。藉此可以讓多晶氮化鋁基板在拋光時維持在適當的移除速率，避免拋光速率過快造成表面上孔洞的產生。多晶氮化鋁基板之成品經拋光後的至少一表面上，直徑介於0.05~8μm之缺陷的缺陷密度小於10顆/cm2。
简体摘要：一种多晶氮化铝基板的抛光方法，包含下列步骤：将多晶氮化铝基板置于一抛光设备进行抛光作业，其中抛光设备所使用的抛光液之pH值介于pH 7~9.5之间，且抛光液中包括重量百分比介于15~30%之研磨剂；在抛光作业完成后，将多晶氮化铝基板自该抛光设备取出。借此可以让多晶氮化铝基板在抛光时维持在适当的移除速率，避免抛光速率过快造成表面上孔洞的产生。多晶氮化铝基板之成品经抛光后的至少一表面上，直径介于0.05~8μm之缺陷的缺陷密度小于10颗/cm2。

24. 发明专利

TW201910457A 鎢之化學機械拋光方法审中-公开
简体标题：钨之化学机械抛光方法
公开(公告)号：TW201910457A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107124028
申请日：2018-07-12
申请人：美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：彭嘉德 , PENG, JIA DE , 何藺蓁 , HO, LIN-CHEN , 許曜薪 , HSU, SYIN
IPC分类号： C09G1/02 , C23F3/06 , H01L21/321
摘要：一種化學機械拋光含有鎢之基板以至少減少100 µm或更小之鎢特徵之表面凹陷的方法。所述方法包含提供含有100 µm或更小之鎢特徵之基板；提供含有以下之拋光組合物作為初始組分：水；氧化劑；精胺酸或其鹽；二羧酸、鐵離子之來源；膠態二氧化矽研磨劑；及視情況選用之pH調節劑；及視情況選用之表面活性劑；及視情況選用之殺生物劑；提供具有拋光表面之化學機械拋光墊；在所述拋光墊與所述基板之間的介面處形成動態接觸；及將所述拋光組合物分配於所述拋光墊與所述基板之間的所述介面處或附近的所述拋光表面上；其中所述鎢中之一些自所述基板拋光掉且亦至少減少100 µm或更小之所述鎢特徵的表面凹陷。
简体摘要：一种化学机械抛光含有钨之基板以至少减少100 µm或更小之钨特征之表面凹陷的方法。所述方法包含提供含有100 µm或更小之钨特征之基板；提供含有以下之抛光组合物作为初始组分：水；氧化剂；精胺酸或其盐；二羧酸、铁离子之来源；胶态二氧化硅研磨剂；及视情况选用之pH调节剂；及视情况选用之表面活性剂；及视情况选用之杀生物剂；提供具有抛光表面之化学机械抛光垫；在所述抛光垫与所述基板之间的界面处形成动态接触；及将所述抛光组合物分配于所述抛光垫与所述基板之间的所述界面处或附近的所述抛光表面上；其中所述钨中之一些自所述基板抛光掉且亦至少减少100 µm或更小之所述钨特征的表面凹陷。

25. 发明专利

TWI648387B 硏磨用組成物有权
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TWI648387B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW104107909
申请日：2015-03-12
申请人：日商福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：玉田修一 , TAMADA, SHUICHI
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B7/20 , B28D5/00 , B24B37/00 , H01L21/304

26. 发明专利

TWI648359B 含鈷基材的化學機械研磨有权
简体标题：含钴基材的化学机械研磨
公开(公告)号：TWI648359B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106119701
申请日：2017-06-13
申请人：慧盛材料美國責任有限公司 , VERSUM MATERIALS US, LLC
发明人：史曉波 , SHI, XIAOBO , 羅斯約瑟 , ROSE, JOSEPH , 克洛爾汀摩子約瑟 , CLORE, TIMOTHY JOSEPH , 史魯特詹姆士艾倫 , SCHLUETER, JAMES ALLEN , 格雷夫馬爾康 , GRIEF, MALCOLM , 歐尼爾馬克李納德 , O'NEILL, MARK LEONARD
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/311 , H01L21/321

27. 发明专利

TWI646182B 金屬膜研磨漿料組合物及利用其來減少金屬膜研磨時所產生的劃痕的方法有权
简体标题：金属膜研磨浆料组合物及利用其来减少金属膜研磨时所产生的划痕的方法
公开(公告)号：TWI646182B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW103136594
申请日：2014-10-23
申请人：東進世美肯股份有限公司 , DONGJIN SEMICHEM CO., LTD.
发明人：朴昌墉 , PARK, CHANG YONG , 朴鍾大 , PARK, JONG DAI , 申宗哲 , SHIN, JONG CHUL , 金宰賢 , KIM, JAE HYUN , 李玖和 , LEE, GOO HWA , 朴民成 , PARK, MIN SUNG
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , C09G1/18 , B24B37/00 , H01L21/321

28. 发明专利

TWI644930B 半導體用濕潤劑及研磨用組成物有权
简体标题：半导体用湿润剂及研磨用组成物
公开(公告)号：TWI644930B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW103138553
申请日：2014-11-06
申请人：東亞合成股份有限公司 , TOAGOSEI CO., LTD. , 福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：竹本貴之 , TAKEMOTO, TAKAYUKI , 斎藤直彥 , SAITO, NAOHIKO , 松崎英男 , MATSUZAKI, HIDEO
IPC分类号： C08F20/58 , C09K3/14 , C09G1/16 , C09G1/02 , H01L21/304 , B24B37/00

29. 发明专利

TW201842232A 用於加工鎳基板表面之化學機械加工漿液及方法审中-公开
简体标题：用于加工镍基板表面之化学机械加工浆液及方法
公开(公告)号：TW201842232A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107112631
申请日：2018-04-12
申请人：美商卡博特微電子公司 , CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人：李同 , LI, TONG , 劉逢宇 , LAU, HON WU
IPC分类号： C23F1/28 , C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04
摘要：本發明描述化學機械加工(CMP)組合物及相關方法，其包括用於拋光用於硬碟應用之鎳磷(NiP)表面之組合物及方法。
简体摘要：本发明描述化学机械加工(CMP)组合物及相关方法，其包括用于抛光用于硬盘应用之镍磷(NiP)表面之组合物及方法。

30. 发明专利

TW201840802A 研磨液及研磨方法审中-公开
公开(公告)号：TW201840802A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103958
申请日：2018-02-05
申请人：日商日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：小野裕 , ONO, HIROSHI , 水谷真人 , MIZUTANI, MAKOTO
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
摘要：本發明是一種研磨液，其用以研磨包含鎢材料之被研磨面，其中，該研磨液含有磨粒、在末端具有陽離子性基團之聚合物、氧化劑、氧化金屬溶解劑及水，並且，前述聚合物具有源自不飽和羧酸之結構單元，前述聚合物的重量平均分子量為20000以下，且該研磨液的pH值小於5.0。
简体摘要：本发明是一种研磨液，其用以研磨包含钨材料之被研磨面，其中，该研磨液含有磨粒、在末端具有阳离子性基团之聚合物、氧化剂、氧化金属溶解剂及水，并且，前述聚合物具有源自不饱和羧酸之结构单元，前述聚合物的重量平均分子量为20000以下，且该研磨液的pH值小于5.0。

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