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    • 24. 发明专利
    • 鎢之化學機械拋光方法
    • 钨之化学机械抛光方法
    • TW201910457A
    • 2019-03-16
    • TW107124028
    • 2018-07-12
    • 美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
    • 彭嘉德PENG, JIA DE何藺蓁HO, LIN-CHEN許曜薪HSU, SYIN
    • C09G1/02C23F3/06H01L21/321
    • 一種化學機械拋光含有鎢之基板以至少減少100 µm或更小之鎢特徵之表面凹陷的方法。所述方法包含提供含有100 µm或更小之鎢特徵之基板;提供含有以下之拋光組合物作為初始組分:水;氧化劑;精胺酸或其鹽;二羧酸、鐵離子之來源;膠態二氧化矽研磨劑;及視情況選用之pH調節劑;及視情況選用之表面活性劑;及視情況選用之殺生物劑;提供具有拋光表面之化學機械拋光墊;在所述拋光墊與所述基板之間的介面處形成動態接觸;及將所述拋光組合物分配於所述拋光墊與所述基板之間的所述介面處或附近的所述拋光表面上;其中所述鎢中之一些自所述基板拋光掉且亦至少減少100 µm或更小之所述鎢特徵的表面凹陷。
    • 一种化学机械抛光含有钨之基板以至少减少100 µm或更小之钨特征之表面凹陷的方法。所述方法包含提供含有100 µm或更小之钨特征之基板;提供含有以下之抛光组合物作为初始组分:水;氧化剂;精胺酸或其盐;二羧酸、铁离子之来源;胶态二氧化硅研磨剂;及视情况选用之pH调节剂;及视情况选用之表面活性剂;及视情况选用之杀生物剂;提供具有抛光表面之化学机械抛光垫;在所述抛光垫与所述基板之间的界面处形成动态接触;及将所述抛光组合物分配于所述抛光垫与所述基板之间的所述界面处或附近的所述抛光表面上;其中所述钨中之一些自所述基板抛光掉且亦至少减少100 µm或更小之所述钨特征的表面凹陷。