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热词
    • 1. 发明专利
    • 用於直接金屬噴敷之低蝕刻方法
    • 用于直接金属喷敷之低蚀刻方法
    • TW201335434A
    • 2013-09-01
    • TW102100179
    • 2013-01-04
    • 麥克達米德尖端股份有限公司MACDERMID ACUMEN, INC.
    • 范凱昇FENG, KESHENG納伯 瓊NABLE, JUN麥卡赫提 亞當MCCAHERTY, ADAM
    • C23F3/06C23F1/14
    • C25D5/34C23G1/103C25D7/123
    • 一種用以增加所處理的銅表面之清潔力的水性處理液包含:a)一種選自由有機酸類、醇類、酮類、腈類、及以上之一種或以上的組合所組成的群組之有機化合物;以及b)一種氧化劑。該水性處理液可用於將具有金屬及非金屬區域之印刷線路板基板內的孔壁進行金屬噴敷之方法,其中將該印刷線路板以還原劑處理,然後以碳質粒子之水性分散液接觸而在基板上形成該分散液之塗層。該方法的步驟包含將印刷線路板基板的金屬區域以該水性處理液接觸而將沉積的碳質粒子從其移除。該水性處理液以低微蝕刻速率提供乾淨的銅表面。
    • 一种用以增加所处理的铜表面之清洁力的水性处理液包含:a)一种选自由有机酸类、醇类、酮类、腈类、及以上之一种或以上的组合所组成的群组之有机化合物;以及b)一种氧化剂。该水性处理液可用于将具有金属及非金属区域之印刷线路板基板内的孔壁进行金属喷敷之方法,其中将该印刷线路板以还原剂处理,然后以碳质粒子之水性分散液接触而在基板上形成该分散液之涂层。该方法的步骤包含将印刷线路板基板的金属区域以该水性处理液接触而将沉积的碳质粒子从其移除。该水性处理液以低微蚀刻速率提供干净的铜表面。
    • 10. 发明专利
    • 鎢之化學機械拋光方法
    • 钨之化学机械抛光方法
    • TW201910457A
    • 2019-03-16
    • TW107124028
    • 2018-07-12
    • 美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
    • 彭嘉德PENG, JIA DE何藺蓁HO, LIN-CHEN許曜薪HSU, SYIN
    • C09G1/02C23F3/06H01L21/321
    • 一種化學機械拋光含有鎢之基板以至少減少100 µm或更小之鎢特徵之表面凹陷的方法。所述方法包含提供含有100 µm或更小之鎢特徵之基板;提供含有以下之拋光組合物作為初始組分:水;氧化劑;精胺酸或其鹽;二羧酸、鐵離子之來源;膠態二氧化矽研磨劑;及視情況選用之pH調節劑;及視情況選用之表面活性劑;及視情況選用之殺生物劑;提供具有拋光表面之化學機械拋光墊;在所述拋光墊與所述基板之間的介面處形成動態接觸;及將所述拋光組合物分配於所述拋光墊與所述基板之間的所述介面處或附近的所述拋光表面上;其中所述鎢中之一些自所述基板拋光掉且亦至少減少100 µm或更小之所述鎢特徵的表面凹陷。
    • 一种化学机械抛光含有钨之基板以至少减少100 µm或更小之钨特征之表面凹陷的方法。所述方法包含提供含有100 µm或更小之钨特征之基板;提供含有以下之抛光组合物作为初始组分:水;氧化剂;精胺酸或其盐;二羧酸、铁离子之来源;胶态二氧化硅研磨剂;及视情况选用之pH调节剂;及视情况选用之表面活性剂;及视情况选用之杀生物剂;提供具有抛光表面之化学机械抛光垫;在所述抛光垫与所述基板之间的界面处形成动态接触;及将所述抛光组合物分配于所述抛光垫与所述基板之间的所述界面处或附近的所述抛光表面上;其中所述钨中之一些自所述基板抛光掉且亦至少减少100 µm或更小之所述钨特征的表面凹陷。