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1. 发明专利

TW202026390A 拋光二氧化矽多於氮化矽之化學機械拋光組成物及方法审中-公开
简体标题：抛光二氧化硅多于氮化硅之化学机械抛光组成物及方法
公开(公告)号：TW202026390A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108132541
申请日：2019-09-10
申请人：美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：潘塔納雷許庫馬 , PENTA, NARESH KUMAR , 奥格羅伯特L , AUGER, ROBERT L.
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , C09G1/04 , H01L21/304 , B24B37/00
摘要：揭露了一種用於拋光二氧化矽多於氮化矽之化學機械拋光組成物，所述化學機械拋光組成物包含具有5或更小的pK值的某些酸性雜環氮化合物。此外，揭露了用於拋光襯底以去除二氧化矽和氮化矽中的一些的方法。
简体摘要：揭露了一种用于抛光二氧化硅多于氮化硅之化学机械抛光组成物，所述化学机械抛光组成物包含具有5或更小的pK值的某些酸性杂环氮化合物。此外，揭露了用于抛光衬底以去除二氧化硅和氮化硅中的一些的方法。

2. 发明专利

TW201910457A 鎢之化學機械拋光方法审中-公开
简体标题：钨之化学机械抛光方法
公开(公告)号：TW201910457A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107124028
申请日：2018-07-12
申请人：美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：彭嘉德 , PENG, JIA DE , 何藺蓁 , HO, LIN-CHEN , 許曜薪 , HSU, SYIN
IPC分类号： C09G1/02 , C23F3/06 , H01L21/321
摘要：一種化學機械拋光含有鎢之基板以至少減少100 µm或更小之鎢特徵之表面凹陷的方法。所述方法包含提供含有100 µm或更小之鎢特徵之基板；提供含有以下之拋光組合物作為初始組分：水；氧化劑；精胺酸或其鹽；二羧酸、鐵離子之來源；膠態二氧化矽研磨劑；及視情況選用之pH調節劑；及視情況選用之表面活性劑；及視情況選用之殺生物劑；提供具有拋光表面之化學機械拋光墊；在所述拋光墊與所述基板之間的介面處形成動態接觸；及將所述拋光組合物分配於所述拋光墊與所述基板之間的所述介面處或附近的所述拋光表面上；其中所述鎢中之一些自所述基板拋光掉且亦至少減少100 µm或更小之所述鎢特徵的表面凹陷。
简体摘要：一种化学机械抛光含有钨之基板以至少减少100 µm或更小之钨特征之表面凹陷的方法。所述方法包含提供含有100 µm或更小之钨特征之基板；提供含有以下之抛光组合物作为初始组分：水；氧化剂；精胺酸或其盐；二羧酸、铁离子之来源；胶态二氧化硅研磨剂；及视情况选用之pH调节剂；及视情况选用之表面活性剂；及视情况选用之杀生物剂；提供具有抛光表面之化学机械抛光垫；在所述抛光垫与所述基板之间的界面处形成动态接触；及将所述抛光组合物分配于所述抛光垫与所述基板之间的所述界面处或附近的所述抛光表面上；其中所述钨中之一些自所述基板抛光掉且亦至少减少100 µm或更小之所述钨特征的表面凹陷。

3. 发明专利

TW201902621A 具有偏移周向槽以改良移除率及拋光均勻性之化學機械拋光墊审中-公开
简体标题：具有偏移周向槽以改良移除率及抛光均匀性之化学机械抛光垫
公开(公告)号：TW201902621A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107115883
申请日：2018-05-10
申请人：美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：錢百年 , QIAN, BAINIAN , 布魯格洛雷斯布魯法特里沙 , BRUGAROLAS BRUFAU, TERESA , 庫扎克朱利亞 , KOZHUKH, JULIA
IPC分类号： B24B37/26
摘要：本發明提供一種用於平坦化半導體、光學及磁性基板中之至少一種的化學機械（CMP）拋光墊，其包含具有幾何中心之拋光層，並且在該拋光層中之多個偏移周向槽，如圓形或多邊形凹槽，該等周向槽具有多個幾何中心並且不為共同的幾何中心。在本發明之該拋光層中，各周向槽與其最近或相鄰之一個或多個周向槽相隔一間隔距離；例如，在該拋光層之最遠離其最內部周向槽的該幾何中心之一半或半球上間距增加，並且在該拋光層之最靠近彼幾何中心之一半上間距減小。較佳地，該拋光層含有完整且連續的最外部周向槽。
简体摘要：本发明提供一种用于平坦化半导体、光学及磁性基板中之至少一种的化学机械（CMP）抛光垫，其包含具有几何中心之抛光层，并且在该抛光层中之多个偏移周向槽，如圆形或多边形凹槽，该等周向槽具有多个几何中心并且不为共同的几何中心。在本发明之该抛光层中，各周向槽与其最近或相邻之一个或多个周向槽相隔一间隔距离；例如，在该抛光层之最远离其最内部周向槽的该几何中心之一半或半球上间距增加，并且在该抛光层之最靠近彼几何中心之一半上间距减小。较佳地，该抛光层含有完整且连续的最外部周向槽。

4. 发明专利

TW201840766A 含陽離子顆粒之漿料及其用於旋塗式碳膜之CMP之方法审中-公开
简体标题：含阳离子颗粒之浆料及其用于旋涂式碳膜之CMP之方法
公开(公告)号：TW201840766A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107110202
申请日：2018-03-26
申请人：美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：庫扎克朱利亞 , KOZHUKH, JULIA , 庫克李墨爾本 , COOK, LEE MELBOURNE , 米爾斯麥克E , MILLS, MICHAEL E.
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明提供作為光微影之一部分或作為電子封裝之一部分的化學機械拋光（CMP拋光）半導體晶圓或基板上的旋塗有機聚合物膜的方法。所述方法包括將有機聚合物液體旋塗在半導體晶圓或基板上；至少部分地固化所述旋塗塗層以形成有機聚合物膜；以及用拋光墊及水性CMP拋光組合物CMP拋光所述有機聚合物膜，所述水性CMP拋光組合物之pH為1.5至4.5，並且包括含有一或多個陽離子氮或磷原子之細長、彎曲或球狀二氧化矽顆粒，以總CMP拋光組合物固體計0.005至0.5重量%之含有硫酸根基團的C8至C18烷基或烯基界面活性劑，及pH調節劑。
简体摘要：本发明提供作为光微影之一部分或作为电子封装之一部分的化学机械抛光（CMP抛光）半导体晶圆或基板上的旋涂有机聚合物膜的方法。所述方法包括将有机聚合物液体旋涂在半导体晶圆或基板上；至少部分地固化所述旋涂涂层以形成有机聚合物膜；以及用抛光垫及水性CMP抛光组合物CMP抛光所述有机聚合物膜，所述水性CMP抛光组合物之pH为1.5至4.5，并且包括含有一或多个阳离子氮或磷原子之细长、弯曲或球状二氧化硅颗粒，以总CMP抛光组合物固体计0.005至0.5重量%之含有硫酸根基团的C8至C18烷基或烯基界面活性剂，及pH调节剂。

5. 发明专利

TW201839022A 脂族聚胺基甲酸酯光學終點偵測窗口及含其之CMP拋光墊审中-公开
简体标题：脂族聚胺基甲酸酯光学终点侦测窗口及含其之CMP抛光垫
公开(公告)号：TW201839022A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107113073
申请日：2018-04-17
申请人：美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：邱南榮 , CHIOU, NAN-RONG , 伊斯蘭默罕莫德T , ISLAM, MOHAMMAD T. , 雅各喬治C , JACOB, GEORGE C.
IPC分类号： C08G18/75 , C08G18/66 , C08G18/16 , C08G18/44 , C08G18/32 , C08L75/06 , B24B37/24 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/04 , H01L21/304 , H01L21/67 , G01N21/17
摘要：本發明提供一種用於拋光例如半導體基板之化學機械（CMP）拋光墊，具有一或多個在2 mm厚度下將具有325 nm或更低波長下之UV截斷的終點偵測窗口（窗口），且所述化學機械（CMP）拋光墊為（A）30至56 wt.%之一或多種脂環族二異氰酸酯或多異氰酸酯與（B）43至69.9999之（i）平均分子量為500至1,500之聚合二醇，如用於硬質窗口之聚碳酸酯二醇及用於軟質窗口之聚醚多元醇，與（ii）平均分子量為120至320之三醇的多元醇混合物，其中聚合二醇（B）（i）與三醇（B）（ii）之重量比在1.6:1至5.2:1範圍內，以及催化劑的反應混合物的產物，所述催化劑較佳為二級胺或三級胺或新癸酸鉍，所有重量百分數均以所述反應混合物之總固體重量計。
简体摘要：本发明提供一种用于抛光例如半导体基板之化学机械（CMP）抛光垫，具有一或多个在2 mm厚度下将具有325 nm或更低波长下之UV截断的终点侦测窗口（窗口），且所述化学机械（CMP）抛光垫为（A）30至56 wt.%之一或多种脂环族二异氰酸酯或多异氰酸酯与（B）43至69.9999之（i）平均分子量为500至1,500之聚合二醇，如用于硬质窗口之聚碳酸酯二醇及用于软质窗口之聚醚多元醇，与（ii）平均分子量为120至320之三醇的多元醇混合物，其中聚合二醇（B）（i）与三醇（B）（ii）之重量比在1.6:1至5.2:1范围内，以及催化剂的反应混合物的产物，所述催化剂较佳为二级胺或三级胺或新癸酸铋，所有重量百分数均以所述反应混合物之总固体重量计。

6. 发明专利

TW201834545A 含有胺基矽烷基團之穩定二氧化矽粒子之水性組合物审中-公开
简体标题：含有胺基硅烷基团之稳定二氧化硅粒子之水性组合物
公开(公告)号：TW201834545A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106135510
申请日：2017-10-17
申请人：美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：郭毅 , GUO, YI , 莫斯利大衛 , MOSLEY, DAVID , 索爾森大衛L , THORSEN, DAVID L.
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , C09G1/04 , C07C211/63 , C01B33/14
摘要：本發明提供具有極佳加熱老化及存放穩定性之水性化學機械平面化（CMP）拋光組合物，呈包括以下兩者之混合物之濃縮物形式：含有兩個四級銨基團之化合物，如六丁基C1-C8烷二銨二氫氧化物或其鹽，較佳N,N,N,N',N',N'-六丁基-1,4-丁二銨二氫氧化物（HBBAH）；及按所述組合物之總重量計，以固體形式呈1 wt.%至30 wt.%或較佳15 wt.%至22 wt.%之量的含有胺基矽烷基團的二氧化矽粒子，所述組合物之pH值介於3至5或較佳3.5至4.5範圍內，其中在45℃溫度下加熱老化至少6天之後，所述組合物對可見沈澱或沈降穩定，固體含量為15 wt.%。
简体摘要：本发明提供具有极佳加热老化及存放稳定性之水性化学机械平面化（CMP）抛光组合物，呈包括以下两者之混合物之浓缩物形式：含有两个四级铵基团之化合物，如六丁基C1-C8烷二铵二氢氧化物或其盐，较佳N,N,N,N',N',N'-六丁基-1,4-丁二铵二氢氧化物（HBBAH）；及按所述组合物之总重量计，以固体形式呈1 wt.%至30 wt.%或较佳15 wt.%至22 wt.%之量的含有胺基硅烷基团的二氧化硅粒子，所述组合物之pH值介于3至5或较佳3.5至4.5范围内，其中在45℃温度下加热老化至少6天之后，所述组合物对可见沈淀或沈降稳定，固体含量为15 wt.%。

7. 发明专利

TW201833263A 鎢的化學機械拋光方法审中-公开
简体标题：钨的化学机械抛光方法
公开(公告)号：TW201833263A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107101173
申请日：2018-01-12
申请人：美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：何藺蓁 , HO, LIN CHEN , 蔡薇雯 , TSAI, WEI-WEN , 李振彬 , LEE, CHENG PING
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/463 , C09K3/14
摘要：揭示一種化學機械拋光含鎢基板的方法，以降低腐蝕速率且抑制鎢的凹陷及下層介電質的侵蝕。所述方法包含提供基板；提供含有以下作為初始組分的拋光組合物：水；氧化劑；硫醇烷氧基化合物；二羧酸、鐵離子源；膠態二氧化矽研磨劑；以及視情況選用的pH調節劑；提供具有拋光表面的化學機械拋光墊；在所述拋光墊與所述基板之間的界面處產生動態接觸；以及將所述拋光組合物分配至所述拋光墊與所述基板之間的界面處或附近的拋光表面上；其中一些鎢（W）經拋光離開所述基板，降低腐蝕速率，抑制鎢（W）的凹陷以及鎢（W）下層的介電質侵蝕。
简体摘要：揭示一种化学机械抛光含钨基板的方法，以降低腐蚀速率且抑制钨的凹陷及下层介电质的侵蚀。所述方法包含提供基板；提供含有以下作为初始组分的抛光组合物：水；氧化剂；硫醇烷氧基化合物；二羧酸、铁离子源；胶态二氧化硅研磨剂；以及视情况选用的pH调节剂；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；在所述抛光垫与所述基板之间的界面处产生动态接触；以及将所述抛光组合物分配至所述抛光垫与所述基板之间的界面处或附近的抛光表面上；其中一些钨（W）经抛光离开所述基板，降低腐蚀速率，抑制钨（W）的凹陷以及钨（W）下层的介电质侵蚀。

8. 发明专利

TW201833262A 針對鎢的化學機械拋光方法审中-公开
简体标题：针对钨的化学机械抛光方法
公开(公告)号：TW201833262A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107101037
申请日：2018-01-11
申请人：美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：何藺蓁 , HO, LIN CHEN , 蔡薇雯 , TSAI, WEI-WEN , 李振彬 , LEE, CHENG PING
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/463 , C09K3/14
摘要：揭示一種化學機械拋光含鎢基板以降低腐蝕速率並抑制鎢凹陷及下層電介質侵蝕之方法。所述方法包括提供基板；提供含有以下各者作為初始組分之拋光組合物：水、氧化劑、二羥基雙硫化物、二羧酸、鐵離子源、膠態二氧化矽研磨劑以及視情況存在之pH調節劑；提供具有拋光表面之化學機械拋光墊；在所述拋光墊與所述基板之間之界面處建立動態接觸；以及將所述拋光組合物分配至所述拋光墊與所述基板之間之所述界面處或附近的拋光表面上；其中自所述基板拋光掉一些鎢（W），降低腐蝕速率，抑制鎢（W）凹陷以及鎢（W）下層的電介質侵蝕。
简体摘要：揭示一种化学机械抛光含钨基板以降低腐蚀速率并抑制钨凹陷及下层电介质侵蚀之方法。所述方法包括提供基板；提供含有以下各者作为初始组分之抛光组合物：水、氧化剂、二羟基双硫化物、二羧酸、铁离子源、胶态二氧化硅研磨剂以及视情况存在之pH调节剂；提供具有抛光表面之化学机械抛光垫；在所述抛光垫与所述基板之间之界面处创建动态接触；以及将所述抛光组合物分配至所述抛光垫与所述基板之间之所述界面处或附近的抛光表面上；其中自所述基板抛光掉一些钨（W），降低腐蚀速率，抑制钨（W）凹陷以及钨（W）下层的电介质侵蚀。

9. 发明专利

TW201841963A 化學機械拋光墊审中-公开
简体标题：化学机械抛光垫
公开(公告)号：TW201841963A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107109944
申请日：2018-03-23
申请人：美商陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC , 美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：錢百年 , QIAN, BAINIAN , 葉逢薊 , YEH, FENGJI , 王德純 , WANG, TE CHUN , 曾聖桓 , TSENG, SHENG HUAN , 童文煥 , TUNG, WEN HUN , 狄羅特馬提W , DEGROOT, MARTY W.
IPC分类号： C08G18/10 , B24B37/24 , H01L21/304
摘要：本發明提供對半導體晶圓中之金屬表面，如含銅或含鎢的金屬表面進行CMP拋光之方法，所述方法包括使用在拋光層中具有頂部拋光表面的CMP拋光墊對所述基板進行CMP拋光，所述拋光層為異氰酸酯封端的胺基甲酸酯預聚物與固化劑組分之反應產物，所述固化劑組分包括數均分子量為6000至15,000且每分子平均具有5至7個羥基之多元醇固化劑及多官能芳族胺固化劑，其中所述拋光層若未填充，則其在室溫下在去離子（DI）水中浸泡一週後之吸水率將為4至8 wt.%。所述方法形成具有低缺陷率及最低凹陷程度之共面金屬及介電或氧化物層表面。
简体摘要：本发明提供对半导体晶圆中之金属表面，如含铜或含钨的金属表面进行CMP抛光之方法，所述方法包括使用在抛光层中具有顶部抛光表面的CMP抛光垫对所述基板进行CMP抛光，所述抛光层为异氰酸酯封端的胺基甲酸酯预聚物与固化剂组分之反应产物，所述固化剂组分包括数均分子量为6000至15,000且每分子平均具有5至7个羟基之多元醇固化剂及多官能芳族胺固化剂，其中所述抛光层若未填充，则其在室温下在去离子（DI）水中浸泡一周后之吸水率将为4至8 wt.%。所述方法形成具有低缺陷率及最低凹陷程度之共面金属及介电或氧化物层表面。

10. 发明专利

TW202018056A 化學機械拋光墊及拋光方法审中-公开
简体标题：化学机械抛光垫及抛光方法
公开(公告)号：TW202018056A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108139867
申请日：2019-11-04
申请人：美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人：加汀斯基馬修R , GADINSKI, MATTHEW R. , 伊斯蘭默罕莫德T , ISLAM, MOHAMMAD T. , 郭毅 , GUO, YI , 雅各喬治C , JACOB, GEORGE C.
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , B24B37/11 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要：本發明係關於一種具有在整個表面上具有一致的正ζ電勢的拋光層的化學機械拋光墊。還揭露了一種使用該拋光墊連同帶正電荷的漿料之化學機械拋光方法。
简体摘要：本发明系关于一种具有在整个表面上具有一致的正ζ电势的抛光层的化学机械抛光垫。还揭露了一种使用该抛光垫连同带正电荷的浆料之化学机械抛光方法。

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