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21. 发明专利

TWI565075B 具有摻雜次鰭區的ω鰭的非平面半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：具有掺杂次鳍区的ω鳍的非平面半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI565075B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104116285
申请日：2015-05-21
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：哈瑪撒帝古賓納 , BHIMARASETTI, GOPINATH , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 朴朱東 , PARK, JOODONG , 韓衛民 , HAN, WEIMIN , 寇特納瑞蒙 , COTNER, RAYMOND E. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/36 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/66545 , H01L29/66803 , H01L29/7853

22. 发明专利

TW201642474A 具有延伸凹陷隔離及源極／汲極區域的電晶體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：具有延伸凹陷隔离及源极／汲极区域的晶体管结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201642474A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105126392
申请日：2014-03-25
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 朴朱東 , PARK, JOODONG , 葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66477 , H01L29/66795 , H01L29/78
摘要：揭示用於形成具有延伸凹陷隔離及源極/汲極(S/D)區域之電晶體結構的技術。在某些實施例中，凹部例如可形成在鰭式場效電晶體(fin-based field-effect transistor；finFET)之鰭部的頂部，以使得該凹部允許在finFET中毗鄰於閘極堆疊形成延伸的凹陷隔離物及源極/汲極(S/D)區域。在某些例中，此組構在鰭部的頂部提供較高的電阻路徑，其可降低或最小化finFET中閘極所引發的汲極漏電(gate-induced drain leakage；GIDL)。在某些實施例中，可提供GIDL之開始的精確調整。某些實施例可提供減少接面漏電(Lb)且同時提高臨界電壓(VT)。在某些實施例中，所揭示的技術可用平面式或非平面的鰭式架構來實施，且可用於標準的金屬氧化物半導體(MOS)及互補MOS(CMOS)製程。
简体摘要：揭示用于形成具有延伸凹陷隔离及源极/汲极(S/D)区域之晶体管结构的技术。在某些实施例中，凹部例如可形成在鳍式场效应管(fin-based field-effect transistor；finFET)之鳍部的顶部，以使得该凹部允许在finFET中毗邻于闸极堆栈形成延伸的凹陷隔离物及源极/汲极(S/D)区域。在某些例中，此组构在鳍部的顶部提供较高的电阻路径，其可降低或最小化finFET中闸极所引发的汲极漏电(gate-induced drain leakage；GIDL)。在某些实施例中，可提供GIDL之开始的精确调整。某些实施例可提供减少接面漏电(Lb)且同时提高临界电压(VT)。在某些实施例中，所揭示的技术可用平面式或非平面的鳍式架构来实施，且可用于标准的金属氧化物半导体(MOS)及互补MOS(CMOS)制程。

23. 发明专利

TWI532185B 有頂阻擋層的具有自對準鰭部的非平面半導體裝置有权
简体标题：有顶阻挡层的具有自对准鳍部的非平面半导体设备
公开(公告)号：TWI532185B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW103121561
申请日：2014-06-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L29/42368 , H01L29/66795 , H01L29/785

24. 发明专利

TWI487116B 用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器有权
简体标题：用于非平面半导体设备架构的精密电阻器
公开(公告)号：TWI487116B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102131802
申请日：2013-09-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉正亞 , YEH, JENG YA D. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L27/0629 , H01L27/0886 , H01L28/20 , H01L29/66545 , H01L29/66795

25. 发明专利

TW201832349A 具有電介質襯裡之高電壓三維裝置审中-公开
简体标题：具有电介质衬里之高电压三维设备
公开(公告)号：TW201832349A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106139962
申请日：2013-06-13
申请人：美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 哈瑪撒帝古賓納 , BHIMARASETTI, GOPINATH
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/31
摘要：說明具有電介質襯裡的高電壓三維裝置以及具有電介質襯裡的高電壓三維裝置的形成方法。舉例而言，半導體結構包含配置在上述基底上方的第一鰭主動區以及第二鰭主動區。第一閘極結構配置在第一鰭主動區的上表面上方、以及延著第一鰭主動區的側壁。第一閘極結構包含第一閘極電介質、第一閘極電極、及第一間隔器。第一閘極電介質由配置在第一鰭主動區上及延著第一間隔器側壁之第一電介層、以及配置在第一電介層上及延著第一間隔器側壁之第二、不同的電介層構成。半導體結構也包含配置在第二鰭主動區的上表面上方、以及延著第二鰭主動區的側壁之第二閘極結構。第二閘極結構包含第二閘極電介質、第二閘極電極、及第二間隔器。第二閘極電介質由配置在第二鰭主動區上及延著第二間隔器側壁之第二電介層構成。
简体摘要：说明具有电介质衬里的高电压三维设备以及具有电介质衬里的高电压三维设备的形成方法。举例而言，半导体结构包含配置在上述基底上方的第一鳍主动区以及第二鳍主动区。第一闸极结构配置在第一鳍主动区的上表面上方、以及延着第一鳍主动区的侧壁。第一闸极结构包含第一闸极电介质、第一闸极电极、及第一间隔器。第一闸极电介质由配置在第一鳍主动区上及延着第一间隔器侧壁之第一电介层、以及配置在第一电介层上及延着第一间隔器侧壁之第二、不同的电介层构成。半导体结构也包含配置在第二鳍主动区的上表面上方、以及延着第二鳍主动区的侧壁之第二闸极结构。第二闸极结构包含第二闸极电介质、第二闸极电极、及第二间隔器。第二闸极电介质由配置在第二鳍主动区上及延着第二间隔器侧壁之第二电介层构成。

26. 发明专利

TW201810541A 半導體裝置、動態隨機存取記憶體單元及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备、动态随机存取内存单元及其制造方法
公开(公告)号：TW201810541A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106116732
申请日：2014-09-18
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：朴朱東 , PARK, JOODONG , 哈瑪撒帝古賓納 , BHIMARASETTI, GOPINATH , 瑞瑪斯維米瑞豪 , RAMASWAMY, RAHUL , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10826 , H01L27/10808 , H01L27/10879 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7854
摘要：描述用於嵌式動態隨機存取記憶體(eDRAM)的低洩漏非平面存取電晶體及製造用於eDRAM的低洩漏非平面存取電晶體之方法。例如，半導體裝置包括半導體鰭片，其係配置於基底之上並包括一配置於兩寬鰭片區之間的窄鰭片區。閘極電極堆疊被配置為與該半導體鰭片之該窄鰭片區共形，該閘極電極堆疊包括一配置於閘極電介質層上之閘極電極。該閘極電介質層包括下層及上層，該下層係由該半導體鰭片之氧化物所組成。包括一對源極/汲極區，該些源極/汲極區之每一者係配置於該寬鰭片區之一相應者中。
简体摘要：描述用于嵌式动态随机存取内存(eDRAM)的低泄漏非平面存取晶体管及制造用于eDRAM的低泄漏非平面存取晶体管之方法。例如，半导体设备包括半导体鳍片，其系配置于基底之上并包括一配置于两宽鳍片区之间的窄鳍片区。闸极电极堆栈被配置为与该半导体鳍片之该窄鳍片区共形，该闸极电极堆栈包括一配置于闸极电介质层上之闸极电极。该闸极电介质层包括下层及上层，该下层系由该半导体鳍片之氧化物所组成。包括一对源极/汲极区，该些源极/汲极区之每一者系配置于该宽鳍片区之一相应者中。

27. 发明专利

TWI610419B 用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器有权
简体标题：用于非平面半导体设备架构的精密电阻器
公开(公告)号：TWI610419B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105123243
申请日：2013-09-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉正亞 , YEH, JENG YA D. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L27/0629 , H01L27/0886 , H01L28/20 , H01L29/66545 , H01L29/66795

28. 发明专利

TW201801319A 具有雙閘極間隔物的電晶體审中-公开
简体标题：具有双闸极间隔物的晶体管
公开(公告)号：TW201801319A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105138278
申请日：2016-11-22
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：劉恩劭 , LIU, EN SHAO , 朴朱東 , PARK, JOODONG , 李呈光 , LEE, CHEN GUAN , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/762
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/0649 , H01L29/0673 , H01L29/401 , H01L29/42372 , H01L29/775
摘要：揭示用於形成帶有一或多個附加閘極間隔物的電晶體的技術。舉例而言，附加間隔物可被形成在閘極與原始閘極間隔物之間，以便降低閘極與源極/汲極之間的寄生耦合。在一些情況下，附加間隔物可包含氣隙及/或介電材料(例如，低k介電材料)。在一些情況下，閘極可包含下部及上部。在一些情況下，閘極的下部在原始閘極間隔物之間的寬度可窄於閘極的上部，這可能是由於附加間隔物位於閘極的下部與原始閘極間隔物之間的結果。在一些情況下，舉例而言，閘極可近似「T」形或多種衍生形狀，例如「」形或「Γ」形。
简体摘要：揭示用于形成带有一或多个附加闸极间隔物的晶体管的技术。举例而言，附加间隔物可被形成在闸极与原始闸极间隔物之间，以便降低闸极与源极/汲极之间的寄生耦合。在一些情况下，附加间隔物可包含气隙及/或介电材料(例如，低k介电材料)。在一些情况下，闸极可包含下部及上部。在一些情况下，闸极的下部在原始闸极间隔物之间的宽度可窄于闸极的上部，这可能是由于附加间隔物位于闸极的下部与原始闸极间隔物之间的结果。在一些情况下，举例而言，闸极可近似“T”形或多种衍生形状，例如“”形或“Γ”形。

29. 发明专利

TWI608621B 有頂阻擋層的具有自對準鰭部的非平面半導體裝置有权
简体标题：有顶阻挡层的具有自对准鳍部的非平面半导体设备
公开(公告)号：TWI608621B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW105105807
申请日：2014-06-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉震亞 , YEH, JENG YA D. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L29/42368 , H01L29/66795 , H01L29/785

30. 发明专利

TW201732943A 具有內閘極間隔物的電晶體审中-公开
简体标题：具有内闸极间隔物的晶体管
公开(公告)号：TW201732943A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105138277
申请日：2016-11-22
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：劉恩劭 , LIU, EN SHAO , 朴朱東 , PARK, JOODONG , 李呈光 , LEE, CHEN GUAN , 林睿彥 , LIN, JUI-YEN , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66545 , H01L29/775 , H01L29/785
摘要：如文中所提及，揭露技術用於形成具一或更多額外間隔物或內閘極間隔物之電晶體。額外間隔物可形成於閘極及原始間隔物之間，例如以減少閘極及源極/汲極間之寄生耦接。在若干狀況下，額外間隔物可包括氣隙及/或介電材料(例如低k介電材料)。在若干狀況下，閘極可包括下部、中部、及上部。在若干該等狀況下，閘極之下部及上部於原始間隔物之間可較閘極之中部更寬，其可為置於閘極之中部及原始間隔物間之額外間隔物的結果。在若干該等狀況下，閘極可近似於例如I形、C形、形、⊥形、L形、或形。
简体摘要：如文中所提及，揭露技术用于形成具一或更多额外间隔物或内闸极间隔物之晶体管。额外间隔物可形成于闸极及原始间隔物之间，例如以减少闸极及源极/汲极间之寄生耦接。在若干状况下，额外间隔物可包括气隙及/或介电材料(例如低k介电材料)。在若干状况下，闸极可包括下部、中部、及上部。在若干该等状况下，闸极之下部及上部于原始间隔物之间可较闸极之中部更宽，其可为置于闸极之中部及原始间隔物间之额外间隔物的结果。在若干该等状况下，闸极可近似于例如I形、C形、形、⊥形、L形、或形。

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