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1. 发明专利

TW201432908A 用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器审中-公开
简体标题：用于非平面半导体设备架构的精密电阻器
公开(公告)号：TW201432908A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102131802
申请日：2013-09-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉正亞 , YEH, JENG YA D. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L27/0629 , H01L27/0886 , H01L28/20 , H01L29/66545 , H01L29/66795
摘要：說明用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器。在第一範例中，半導體結構包括配置於基板上面的第一及第二半導體鰭。電阻器結構係配置於第一半導體鰭上面但未在第二半導體鰭上面。電晶體結構係形成自第二半導體鰭但非自第一半導體鰭。在第二範例中，半導體結構包括配置於基板上面的第一及第二半導體鰭。隔離區域係配置於基板上面、介於第一及第二半導體鰭之間，且在小於第一及第二半導體鰭的高度。電阻器結構係配置於隔離區域上面但未在第一及第二半導體鰭上面。第一及第二電晶體結構係分別形成自第一及第二半導體鰭。
简体摘要：说明用于非平面半导体设备架构的精密电阻器。在第一范例中，半导体结构包括配置于基板上面的第一及第二半导体鳍。电阻器结构系配置于第一半导体鳍上面但未在第二半导体鳍上面。晶体管结构系形成自第二半导体鳍但非自第一半导体鳍。在第二范例中，半导体结构包括配置于基板上面的第一及第二半导体鳍。隔离区域系配置于基板上面、介于第一及第二半导体鳍之间，且在小于第一及第二半导体鳍的高度。电阻器结构系配置于隔离区域上面但未在第一及第二半导体鳍上面。第一及第二晶体管结构系分别形成自第一及第二半导体鳍。

2. 发明专利

TWI610419B 用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器有权
简体标题：用于非平面半导体设备架构的精密电阻器
公开(公告)号：TWI610419B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105123243
申请日：2013-09-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉正亞 , YEH, JENG YA D. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L27/0629 , H01L27/0886 , H01L28/20 , H01L29/66545 , H01L29/66795

3. 发明专利

TWI552350B 鰭爲基的電晶體架構上的平坦裝置有权
简体标题：鳍为基的晶体管架构上的平坦设备
公开(公告)号：TWI552350B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW103111027
申请日：2014-03-25
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L29/1608 , H01L29/161

4. 发明专利

TW201709480A 用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器审中-公开
简体标题：用于非平面半导体设备架构的精密电阻器
公开(公告)号：TW201709480A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105123243
申请日：2013-09-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉正亞 , YEH, JENG YA D. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L27/0629 , H01L27/0886 , H01L28/20 , H01L29/66545 , H01L29/66795
摘要：說明用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器。在第一範例中，半導體結構包括配置於基板上面的第一及第二半導體鰭。電阻器結構係配置於第一半導體鰭上面但未在第二半導體鰭上面。電晶體結構係形成自第二半導體鰭但非自第一半導體鰭。在第二範例中，半導體結構包括配置於基板上面的第一及第二半導體鰭。隔離區域係配置於基板上面、介於第一及第二半導體鰭之間，且在小於第一及第二半導體鰭的高度。電阻器結構係配置於隔離區域上面但未在第一及第二半導體鰭上面。第一及第二電晶體結構係分別形成自第一及第二半導體鰭。
简体摘要：说明用于非平面半导体设备架构的精密电阻器。在第一范例中，半导体结构包括配置于基板上面的第一及第二半导体鳍。电阻器结构系配置于第一半导体鳍上面但未在第二半导体鳍上面。晶体管结构系形成自第二半导体鳍但非自第一半导体鳍。在第二范例中，半导体结构包括配置于基板上面的第一及第二半导体鳍。隔离区域系配置于基板上面、介于第一及第二半导体鳍之间，且在小于第一及第二半导体鳍的高度。电阻器结构系配置于隔离区域上面但未在第一及第二半导体鳍上面。第一及第二晶体管结构系分别形成自第一及第二半导体鳍。

5. 发明专利

TW201539712A 用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器审中-公开
简体标题：用于非平面半导体设备架构的精密电阻器
公开(公告)号：TW201539712A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104108118
申请日：2013-09-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉正亞 , YEH, JENG YA D. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L27/0629 , H01L27/0886 , H01L28/20 , H01L29/66545 , H01L29/66795
摘要：說明用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器。在第一範例中，半導體結構包括配置於基板上面的第一及第二半導體鰭。電阻器結構係配置於第一半導體鰭上面但未在第二半導體鰭上面。電晶體結構係形成自第二半導體鰭但非自第一半導體鰭。在第二範例中，半導體結構包括配置於基板上面的第一及第二半導體鰭。隔離區域係配置於基板上面、介於第一及第二半導體鰭之間，且在小於第一及第二半導體鰭的高度。電阻器結構係配置於隔離區域上面但未在第一及第二半導體鰭上面。第一及第二電晶體結構係分別形成自第一及第二半導體鰭。
简体摘要：说明用于非平面半导体设备架构的精密电阻器。在第一范例中，半导体结构包括配置于基板上面的第一及第二半导体鳍。电阻器结构系配置于第一半导体鳍上面但未在第二半导体鳍上面。晶体管结构系形成自第二半导体鳍但非自第一半导体鳍。在第二范例中，半导体结构包括配置于基板上面的第一及第二半导体鳍。隔离区域系配置于基板上面、介于第一及第二半导体鳍之间，且在小于第一及第二半导体鳍的高度。电阻器结构系配置于隔离区域上面但未在第一及第二半导体鳍上面。第一及第二晶体管结构系分别形成自第一及第二半导体鳍。

6. 发明专利

TWI623082B 用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器有权
简体标题：用于非平面半导体设备架构的精密电阻器
公开(公告)号：TWI623082B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106110332
申请日：2013-09-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉正亞 , YEH, JENG YA D. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/02

7. 发明专利

TWI552311B 用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器有权
简体标题：用于非平面半导体设备架构的精密电阻器
公开(公告)号：TWI552311B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104108118
申请日：2013-09-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉正亞 , YEH, JENG YA D. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L27/0629 , H01L27/0886 , H01L28/20 , H01L29/66545 , H01L29/66795

8. 发明专利

TWI610443B 鰭為基的電晶體架構上的平坦裝置有权
简体标题：鳍为基的晶体管架构上的平坦设备
公开(公告)号：TWI610443B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105122427
申请日：2014-03-25
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L29/1608 , H01L29/161

9. 发明专利

TW201727871A 用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器审中-公开
简体标题：用于非平面半导体设备架构的精密电阻器
公开(公告)号：TW201727871A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106110332
申请日：2013-09-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉正亞 , YEH, JENG YA D. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L27/0629 , H01L27/0886 , H01L28/20 , H01L29/66545 , H01L29/66795
摘要：說明用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器。在第一範例中，半導體結構包括配置於基板上面的第一及第二半導體鰭。電阻器結構係配置於第一半導體鰭上面但未在第二半導體鰭上面。電晶體結構係形成自第二半導體鰭但非自第一半導體鰭。在第二範例中，半導體結構包括配置於基板上面的第一及第二半導體鰭。隔離區域係配置於基板上面、介於第一及第二半導體鰭之間，且在小於第一及第二半導體鰭的高度。電阻器結構係配置於隔離區域上面但未在第一及第二半導體鰭上面。第一及第二電晶體結構係分別形成自第一及第二半導體鰭。
简体摘要：说明用于非平面半导体设备架构的精密电阻器。在第一范例中，半导体结构包括配置于基板上面的第一及第二半导体鳍。电阻器结构系配置于第一半导体鳍上面但未在第二半导体鳍上面。晶体管结构系形成自第二半导体鳍但非自第一半导体鳍。在第二范例中，半导体结构包括配置于基板上面的第一及第二半导体鳍。隔离区域系配置于基板上面、介于第一及第二半导体鳍之间，且在小于第一及第二半导体鳍的高度。电阻器结构系配置于隔离区域上面但未在第一及第二半导体鳍上面。第一及第二晶体管结构系分别形成自第一及第二半导体鳍。

10. 发明专利

TW201639168A 鰭為基的電晶體架構上的平坦裝置审中-公开
简体标题：鳍为基的晶体管架构上的平坦设备
公开(公告)号：TW201639168A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105122427
申请日：2014-03-25
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L29/1608 , H01L29/161
摘要：用以在場效電晶體(finFET)製造程序流程期間形成平坦狀電晶體裝置於鰭為基的finFET架構上的技術被揭示。在一些實施例中，該平坦狀電晶體可包括例如半導體層，其被生長以局部合併/橋接該finFET架構的複數個相鄰鰭且後續平坦化以提供該平坦狀電晶體可被形成於其上的高品質平坦表面。在一些例子中，該半導體合併層可為橋接式磊晶生長，例如，包含磊晶矽。在一些實施例中，此種平坦狀裝置可有助於例如類比、高壓、寬Z電晶體製造。並且，在finFET流程期間提供此種平坦狀裝置可容許電晶體裝置的形成，例如，展現較低電容、較寬Z、及/或較少高電場位置而用於改善高壓可靠度，這可在一些例子中使此種裝置適於類比設計。
简体摘要：用以在场效应管(finFET)制造进程流程期间形成平坦状晶体管设备于鳍为基的finFET架构上的技术被揭示。在一些实施例中，该平坦状晶体管可包括例如半导体层，其被生长以局部合并/桥接该finFET架构的复数个相邻鳍且后续平坦化以提供该平坦状晶体管可被形成于其上的高品质平坦表面。在一些例子中，该半导体合并层可为桥接式磊晶生长，例如，包含磊晶硅。在一些实施例中，此种平坦状设备可有助于例如模拟、高压、宽Z晶体管制造。并且，在finFET流程期间提供此种平坦状设备可容许晶体管设备的形成，例如，展现较低电容、较宽Z、及/或较少高电场位置而用于改善高压可靠度，这可在一些例子中使此种设备适于模拟设计。

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