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21. 发明专利

TWI625845B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI625845B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105115683
申请日：2016-05-20
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：江昱維 , YU-WEI, JIANG , 葉騰豪 , TENG-HAO, YEH
IPC分类号： H01L27/11565 , H01L27/11582

22. 发明专利

TWI597729B 具備子區塊抹除架構之記憶體及方法有权
简体标题：具备子区块抹除架构之内存及方法
公开(公告)号：TWI597729B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW104129704
申请日：2015-09-08
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , YEH, TENG-HAO , 張國彬 , CHANG, KUO-PIN
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/16

23. 发明专利

TWI572018B 記憶體元件及其製作方法有权
简体标题：内存组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI572018B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW104135425
申请日：2015-10-28
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , TENG-HAO, YEH , 胡志瑋 , CHIH-WEI, HU , 江昱維 , YU-WEI, JIANG
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8234

24. 发明专利

TWI550774B 三維記憶體結構及其製造方法有权
简体标题：三维内存结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI550774B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW104107660
申请日：2015-03-10
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105

25. 发明专利

TW201633462A 記憶體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：内存结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201633462A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104107128
申请日：2015-03-06
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , YEH, TENG-HAO , 施彥豪 , SHIH, YEN-HAO , 胡志瑋 , HU, CHIH-WEI
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L23/52
摘要：在此提供一種記憶體結構及其製造方法。這種記憶體結構包括一基板、複數堆疊層、複數記憶體層、一導電材料及複數導線。堆疊層位於基板上。堆疊層藉由複數溝槽彼此分離。堆疊層分別包括交替堆疊的複數導電串線及複數絕緣串線。記憶體層分別共形覆蓋堆疊層。導電材料位於溝槽中及堆疊層上。在溝槽中的導電材料在該些溝槽各者中形成一或多個孔洞。導線位於導電材料上。導線分別包括一第一部分及一第二部分，第一部分及第二部分彼此連接，第一部分沿著垂直於堆疊層之延伸方向的方向延伸，第二部分沿著堆疊層之延伸方向延伸。
简体摘要：在此提供一种内存结构及其制造方法。这种内存结构包括一基板、复数堆栈层、复数内存层、一导电材料及复数导线。堆栈层位于基板上。堆栈层借由复数沟槽彼此分离。堆栈层分别包括交替堆栈的复数导电串线及复数绝缘串线。内存层分别共形覆盖堆栈层。导电材料位于沟槽中及堆栈层上。在沟槽中的导电材料在该些沟槽各者中形成一或多个孔洞。导线位于导电材料上。导线分别包括一第一部分及一第二部分，第一部分及第二部分彼此连接，第一部分沿着垂直于堆栈层之延伸方向的方向延伸，第二部分沿着堆栈层之延伸方向延伸。

26. 发明专利

TWI548034B 記憶體裝置與其製造方法有权
简体标题：内存设备与其制造方法
公开(公告)号：TWI548034B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104100977
申请日：2015-01-12
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105
CPC分类号： H01L21/2256 , H01L21/2255 , H01L27/11578

27. 发明专利

TWI538186B 陣列扇出通路電晶體結構有权
简体标题：数组扇出通路晶体管结构
公开(公告)号：TWI538186B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103128384
申请日：2014-08-19
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：林立穎 , LIN, LEE-YIN , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO , 胡志瑋 , HU, CHIH-WEI , 陳介方 , CHEN, CHIEH-FANG
IPC分类号： H01L27/15 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/08 , G11C8/14 , H01L21/266 , H01L21/28052 , H01L21/76895 , H01L27/11573 , H01L27/11578

28. 发明专利

TW201541555A 積體電路裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：集成电路设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201541555A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103120635
申请日：2014-06-16
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：呂函庭 , LUE, HANG TING , 葉騰豪 , YEH, TENG HAO
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/823871 , H01L23/552 , H01L27/0266 , H01L27/0292 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　　一種天線效應放電電路，具有圖案化導體層，其可暴露在製程中的電荷感應環境。天線效應放電電路具有一端及一閘極，該端連接裝置上的一節點，節點受保護以避免電荷累積，閘極例如是電路內場效應電晶體的閘極，累積的電荷可經由此端放電到基板上。一電容耦接天線效應放電電路內的閘極及基板。一電壓供應電路，可用以提供電壓，在裝置的操作期間，此電壓足夠於關閉狀態偏置天線效應放電電路。上層的一圖案化導體(較佳為最上層)連接天線效應放電電路內的閘極及電壓供應電路。
简体摘要：　　一种天线效应放电电路，具有图案化导体层，其可暴露在制程中的电荷感应环境。天线效应放电电路具有一端及一闸极，该端连接设备上的一节点，节点受保护以避免电荷累积，闸极例如是电路内场效应晶体管的闸极，累积的电荷可经由此端放电到基板上。一电容耦接天线效应放电电路内的闸极及基板。一电压供应电路，可用以提供电压，在设备的操作期间，此电压足够于关闭状态偏置天线效应放电电路。上层的一图案化导体(较佳为最上层)连接天线效应放电电路内的闸极及电压供应电路。

29. 发明专利

TW201426992A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201426992A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101148928
申请日：2012-12-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG HAO
IPC分类号： H01L27/24 , H01L23/52
摘要：一種半導體結構及其製造方法。半導體結構包括複數個堆疊結構以及複數個接觸結構，其中各堆疊結構包括複數個導電條與複數個絕緣條，導電條與絕緣條係交錯設置(interlaced)，各接觸結構分別電性連接於各堆疊結構。接觸結構包括一第一導電柱(conductive pillar)、一介電材料層、一金屬矽化物層及一第二導電柱。介電材料層環繞第一導電柱的側面，金屬矽化物層形成於第一導電柱之上表面上，第二導電柱形成於金屬矽化物層上，該些第一導電柱之上表面係為同平面。
简体摘要：一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括复数个堆栈结构以及复数个接触结构，其中各堆栈结构包括复数个导电条与复数个绝缘条，导电条与绝缘条系交错设置(interlaced)，各接触结构分别电性连接于各堆栈结构。接触结构包括一第一导电柱(conductive pillar)、一介电材料层、一金属硅化物层及一第二导电柱。介电材料层环绕第一导电柱的侧面，金属硅化物层形成于第一导电柱之上表面上，第二导电柱形成于金属硅化物层上，该些第一导电柱之上表面系为同平面。

30. 发明专利

TW201423959A 具有水平延伸的三維閘極結構审中-公开
简体标题：具有水平延伸的三维闸极结构
公开(公告)号：TW201423959A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101146533
申请日：2012-12-11
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , YEH, TENG HAO , 施彥豪 , SHIH, YEN HAO , 陳彥儒 , CHEN, YAN RU
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/78
摘要：在積體電路上的裝置包括交替的半導體線與絕緣線堆疊，以及在半導體線堆疊上的閘極結構。閘極結構包括垂直部，及水平延伸部，而垂直部相鄰於堆疊的至少一側上，水平延伸部在半導體線之間。相較於半導體線的側邊，絕緣線的側邊可凹入（recessed），所以至少堆疊的一側包括半導體線之間的凹陷部。水平延伸部可在凹陷部。水平延伸部具有內側表面，以及外側表面，內側表面相鄰於絕緣線的側邊，外側表面可齊平於半導體線的側邊。裝置包括第二閘極結構，以及絕緣元件，而第二閘極結構與第一次提及的閘極結構分隔開，絕緣元件在第二閘極結構的水平延伸部與第一次提及的閘極結構之間。
简体摘要：在集成电路上的设备包括交替的半导体线与绝缘线堆栈，以及在半导体线堆栈上的闸极结构。闸极结构包括垂直部，及水平延伸部，而垂直部相邻于堆栈的至少一侧上，水平延伸部在半导体线之间。相较于半导体线的侧边，绝缘线的侧边可凹入（recessed），所以至少堆栈的一侧包括半导体线之间的凹陷部。水平延伸部可在凹陷部。水平延伸部具有内侧表面，以及外侧表面，内侧表面相邻于绝缘线的侧边，外侧表面可齐平于半导体线的侧边。设备包括第二闸极结构，以及绝缘组件，而第二闸极结构与第一次提及的闸极结构分隔开，绝缘组件在第二闸极结构的水平延伸部与第一次提及的闸极结构之间。

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