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1. 发明专利

TW201426992A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201426992A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101148928
申请日：2012-12-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG HAO
IPC分类号： H01L27/24 , H01L23/52
摘要：一種半導體結構及其製造方法。半導體結構包括複數個堆疊結構以及複數個接觸結構，其中各堆疊結構包括複數個導電條與複數個絕緣條，導電條與絕緣條係交錯設置(interlaced)，各接觸結構分別電性連接於各堆疊結構。接觸結構包括一第一導電柱(conductive pillar)、一介電材料層、一金屬矽化物層及一第二導電柱。介電材料層環繞第一導電柱的側面，金屬矽化物層形成於第一導電柱之上表面上，第二導電柱形成於金屬矽化物層上，該些第一導電柱之上表面係為同平面。
简体摘要：一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括复数个堆栈结构以及复数个接触结构，其中各堆栈结构包括复数个导电条与复数个绝缘条，导电条与绝缘条系交错设置(interlaced)，各接触结构分别电性连接于各堆栈结构。接触结构包括一第一导电柱(conductive pillar)、一介电材料层、一金属硅化物层及一第二导电柱。介电材料层环绕第一导电柱的侧面，金属硅化物层形成于第一导电柱之上表面上，第二导电柱形成于金属硅化物层上，该些第一导电柱之上表面系为同平面。

2. 发明专利

TW201547073A 多層記憶體陣列及其製作方法审中-公开
简体标题：多层内存数组及其制作方法
公开(公告)号：TW201547073A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW103119706
申请日：2014-06-06
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , YEH, TENG HAO , 胡志瑋 , HU, CHIH WEI , 施彥豪 , SHIH, YEN HAO
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/8239
摘要：一種記憶體陣列，其包括：沿著第一方向延伸的複數個脊狀多層疊層以及形成於複數個脊狀多層疊層頂部的硬罩幕層。此硬罩幕層包括：分別垂直地對準複數個脊狀多層疊層的複數個條帶，分別沿著與第一方向直交的第二方向連結相鄰之條帶的複數個連接橋以及位於複數個連接橋與複數個條帶之間的複數個硬罩幕通孔。
简体摘要：一种内存数组，其包括：沿着第一方向延伸的复数个嵴状多层叠层以及形成于复数个嵴状多层叠层顶部的硬罩幕层。此硬罩幕层包括：分别垂直地对准复数个嵴状多层叠层的复数个条带，分别沿着与第一方向直交的第二方向链接相邻之条带的复数个连接桥以及位于复数个连接桥与复数个条带之间的复数个硬罩幕通孔。

3. 发明专利

TWI487066B 用以形成層間連接件於三維堆疊積體電路裝置中的方法有权
简体标题：用以形成层间连接件于三维堆栈集成电路设备中的方法
公开(公告)号：TWI487066B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW101137599
申请日：2012-10-12
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：施彥豪 , SHIH, YEN HAO , 陳士弘 , CHEN, SHIH HUNG , 葉騰豪 , YEH, TENG HAO , 胡志瑋 , HU, CHIH WEI , 蔡豐年 , TSAI, FENG NIEN , 林烙躍 , LIN, LO YUEH
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L23/53271 , H01L23/5329 , H01L27/11526 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201448176A 具有增強的接觸區之三維積體電路裝置审中-公开
简体标题：具有增强的接触区之三维集成电路设备
公开(公告)号：TW201448176A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103103973
申请日：2014-02-06
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG HAO
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/535 , H01L21/768 , H01L21/76838 , H01L21/76883 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/41766 , H01L29/788 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種裝置包括具有一凹槽之一基板，凹槽具有一底部及多側，且從基板的上表面延伸進入基板中。這些側包括彼此橫向被配置之第一側與第二側。一堆疊體包括交替堆疊的主動層及絕緣層覆蓋在基板的表面與凹槽上面。至少某些主動層具有一上部及下部，其分別沿著在上表面及底部上面並實質上平行於上表面及底部之上及下平面延伸。主動層具有第一與第二朝上延伸部，其沿著第一側與第二側被設置以從它們所屬之主動層之下部延伸。導電條與該些主動層之第二朝上延伸部鄰接。導電條可包括在第二朝上延伸部之側上之側壁間隙壁，導電條藉由層間導體連接至覆蓋的導體。
简体摘要：一种设备包括具有一凹槽之一基板，凹槽具有一底部及多侧，且从基板的上表面延伸进入基板中。这些侧包括彼此横向被配置之第一侧与第二侧。一堆栈体包括交替堆栈的主动层及绝缘层覆盖在基板的表面与凹槽上面。至少某些主动层具有一上部及下部，其分别沿着在上表面及底部上面并实质上平行于上表面及底部之上及下平面延伸。主动层具有第一与第二朝上延伸部，其沿着第一侧与第二侧被设置以从它们所属之主动层之下部延伸。导电条与该些主动层之第二朝上延伸部邻接。导电条可包括在第二朝上延伸部之侧上之侧壁间隙壁，导电条借由层间导体连接至覆盖的导体。

5. 发明专利

TW201405705A 用以形成層間連接件於三維堆疊積體電路裝置中的方法审中-公开
简体标题：用以形成层间连接件于三维堆栈集成电路设备中的方法
公开(公告)号：TW201405705A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW101137599
申请日：2012-10-12
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：施彥豪 , SHIH, YEN HAO , 陳士弘 , CHEN, SHIH HUNG , 葉騰豪 , YEH, TENG HAO , 胡志瑋 , HU, CHIH WEI , 蔡豐年 , TSAI, FENG NIEN , 林烙躍 , LIN, LO YUEH
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/76805 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L23/53271 , H01L23/5329 , H01L27/11526 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種方法，用以使用於一積體電路裝置，包括一由數個介電/導電層形成之堆疊，以形成數個層間連接件。層間連接件自裝置之一表面延伸至導電層。數個接觸開口建立而貫穿一介電層至一第一導電層。N個蝕刻遮罩具有分隔之數個開放蝕刻區及位於他處的數個遮罩區，2N-1係小於W且2N係大於或等於W。層所形成之堆疊係以僅貫穿W-1個接觸開口而建立數個延伸接觸開口，延伸接觸開口延伸至W-1個導電層；利用各蝕刻遮罩來透過至少半數之接觸開口而蝕刻2n-1個導電層，n=1、2…N。接觸開口係以蝕刻遮罩的不同組合之開放蝕刻區來進行蝕刻。層間連接件形成於接觸開口內。
简体摘要：一种方法，用以使用于一集成电路设备，包括一由数个介电/导电层形成之堆栈，以形成数个层间连接件。层间连接件自设备之一表面延伸至导电层。数个接触开口创建而贯穿一介电层至一第一导电层。N个蚀刻遮罩具有分隔之数个开放蚀刻区及位于他处的数个遮罩区，2N-1系小于W且2N系大于或等于W。层所形成之堆栈系以仅贯穿W-1个接触开口而创建数个延伸接触开口，延伸接触开口延伸至W-1个导电层；利用各蚀刻遮罩来透过至少半数之接触开口而蚀刻2n-1个导电层，n=1、2…N。接触开口系以蚀刻遮罩的不同组合之开放蚀刻区来进行蚀刻。层间连接件形成于接触开口内。

6. 发明专利

TWI583035B 多層記憶體陣列及其製作方法有权
简体标题：多层内存数组及其制作方法
公开(公告)号：TWI583035B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW103119706
申请日：2014-06-06
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , YEH, TENG HAO , 胡志瑋 , HU, CHIH WEI , 施彥豪 , SHIH, YEN HAO
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/8239

7. 发明专利

TWI514554B 具有增強的接觸區之三維積體電路裝置有权
简体标题：具有增强的接触区之三维集成电路设备
公开(公告)号：TWI514554B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW103103973
申请日：2014-02-06
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG HAO
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/535 , H01L21/768 , H01L21/76838 , H01L21/76883 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/41766 , H01L29/788 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

8. 发明专利

TW201517247A 積體電路及其製造方法與操作方法审中-公开
简体标题：集成电路及其制造方法与操作方法
公开(公告)号：TW201517247A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102137596
申请日：2013-10-18
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG HAO
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/28
摘要：一種積體電路及其製造方法與操作方法。積體電路包括一叉狀構造與一第一導電結構。叉狀構造包括一柄部分與從柄部分延伸的分支部分。叉狀構造包括一堆疊結構與一介電層。介電層介於第一導電結構與柄部分的堆疊結構之間。
简体摘要：一种集成电路及其制造方法与操作方法。集成电路包括一叉状构造与一第一导电结构。叉状构造包括一柄部分与从柄部分延伸的分支部分。叉状构造包括一堆栈结构与一介电层。介电层介于第一导电结构与柄部分的堆栈结构之间。

9. 发明专利

TWI681548B 立體記憶體元件及其製作方法有权
简体标题：三維内存组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI681548B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW108104660
申请日：2019-02-12
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG HAO , 江昱維 , JIANG, YU WEI
IPC分类号： H01L27/11551

10. 发明专利

TWI681507B 通孔接觸結構、記憶體裝置及形成半導體結構的方法有权
简体标题：通孔接触结构、内存设备及形成半导体结构的方法
公开(公告)号：TWI681507B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW108112548
申请日：2019-04-10
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：江昱維 , JIANG, YU WEI , 張國彬 , CHANG, KUO PIN , 胡志瑋 , HU, CHIH WEI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L27/115

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