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1. 发明专利

TWI670838B 具有底部參考導體的傾斜式半圓柱形3D NAND陣列有权
简体标题：具有底部参考导体的倾斜式半圆柱形3D NAND数组
公开(公告)号：TWI670838B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107147840
申请日：2018-12-28
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , YEH, TENG-HAO , 呂函庭 , LUE, HANG-TING
IPC分类号： H01L27/11551

2. 发明专利

TWI607453B 記憶體結構及其製造方法有权
简体标题：内存结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI607453B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105136038
申请日：2016-11-04
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： G11C5/02 , G11C5/06

3. 发明专利

TWI598881B 防止讀取干擾之讀取方法及應用其之記憶體有权
简体标题：防止读取干扰之读取方法及应用其之内存
公开(公告)号：TWI598881B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105136272
申请日：2016-11-08
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張國彬 , CHANG, KUO-PIN , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO , 呂函庭 , LUE, HANG-TING
IPC分类号： G11C16/22 , G11C16/24

4. 发明专利

TW201640614A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201640614A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104114221
申请日：2015-05-05
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/8232 , H01L29/78
摘要：一種半導體裝置，包括一基板、一底部絕緣層、二堆疊結構、一電荷捕捉結構以及一通道層。底部絕緣層設置於基板上。堆疊結構設置於底部絕緣層上。堆疊結構包括複數個半導體層與絕緣層、一頂部絕緣層及一高摻雜半導體層。半導體層與絕緣層交替堆疊於底部絕緣層上。頂部絕緣層設置於半導體層與絕緣層上。高摻雜半導體層設置於頂部絕緣層上。電荷捕捉結構設置於各堆疊結構之一側表面及底部絕緣層之一上表面上。通道層設置於電荷捕捉結構上，並直接接觸高摻雜半導體層。
简体摘要：一种半导体设备，包括一基板、一底部绝缘层、二堆栈结构、一电荷捕捉结构以及一信道层。底部绝缘层设置于基板上。堆栈结构设置于底部绝缘层上。堆栈结构包括复数个半导体层与绝缘层、一顶部绝缘层及一高掺杂半导体层。半导体层与绝缘层交替堆栈于底部绝缘层上。顶部绝缘层设置于半导体层与绝缘层上。高掺杂半导体层设置于顶部绝缘层上。电荷捕捉结构设置于各堆栈结构之一侧表面及底部绝缘层之一上表面上。信道层设置于电荷捕捉结构上，并直接接触高掺杂半导体层。

5. 发明专利

TW201639126A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201639126A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104112476
申请日：2015-04-17
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：江昱維 , JIANG, YU-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
摘要：一種半導體結構及其製造方法。半導體結構包括一基板、複數個導電層和複數個絕緣層、一第一垂直記憶結構和一第二垂直記憶結構以及一絕緣溝槽(isolation trench)。導電層和絕緣層形成於基板上，其中導電層與絕緣層係交錯設置(interlaced)堆疊於基板上。第一垂直記憶結構和第二垂直記憶結構穿過導電層與絕緣層並形成於基板上，其中第一垂直記憶結構具有一第一水平C形剖面，第二垂直記憶結構具有一第二水平C形剖面。絕緣溝槽形成於基板上並位於第一垂直記憶結構和第二垂直結構之間。
简体摘要：一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、复数个导电层和复数个绝缘层、一第一垂直记忆结构和一第二垂直记忆结构以及一绝缘沟槽(isolation trench)。导电层和绝缘层形成于基板上，其中导电层与绝缘层系交错设置(interlaced)堆栈于基板上。第一垂直记忆结构和第二垂直记忆结构穿过导电层与绝缘层并形成于基板上，其中第一垂直记忆结构具有一第一水平C形剖面，第二垂直记忆结构具有一第二水平C形剖面。绝缘沟槽形成于基板上并位于第一垂直记忆结构和第二垂直结构之间。

6. 发明专利

TWI555178B 包含雙極性源極接墊的三維垂直閘極NAND快閃記憶體有权
简体标题：包含双极性源极接垫的三维垂直闸极NAND闪存
公开(公告)号：TWI555178B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW103134699
申请日：2014-10-06
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： H01L27/115 , H01L23/52
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11578

7. 发明专利

TW201624621A 記憶體裝置與其製造方法审中-公开
简体标题：内存设备与其制造方法
公开(公告)号：TW201624621A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104100977
申请日：2015-01-12
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105
CPC分类号： H01L21/2256 , H01L21/2255 , H01L27/11578
摘要：一種記憶體裝置之製造方法。形成一半導體材料條，具有一記憶體區域、一第一接觸著陸區區域以及一在記憶體區域與第一接觸著陸區區域之間的開關區域。形成一記憶體層於記憶體區域中之條的表面上。形成複數個記憶胞閘極係於此條之記憶體區域上。形成一開關閘極於此條之開關區域上面。沈積一摻雜絕緣材料於第一接觸著陸區區域與記憶體區域之間的部分半導體材料條上。從摻雜絕緣材料擴散摻質進入部分半導體材料條。
简体摘要：一种内存设备之制造方法。形成一半导体材料条，具有一内存区域、一第一接触着陆区区域以及一在内存区域与第一接触着陆区区域之间的开关区域。形成一内存层于内存区域中之条的表面上。形成复数个记忆胞闸极系于此条之内存区域上。形成一开关闸极于此条之开关区域上面。沉积一掺杂绝缘材料于第一接触着陆区区域与内存区域之间的部分半导体材料条上。从掺杂绝缘材料扩散掺质进入部分半导体材料条。

8. 发明专利

TWI701815B 記憶體裝置有权
简体标题：内存设备
公开(公告)号：TWI701815B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108102916
申请日：2019-01-25
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：胡志瑋 , HU, CHIH-WEI , 葉騰豪 , YEH, TENG-HAO
IPC分类号： H01L27/11551

9. 发明专利

TWI701814B 記憶體裝置及操作其之方法有权
简体标题：内存设备及操作其之方法
公开(公告)号：TWI701814B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW107123739
申请日：2018-07-09
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , YEH, TENG-HAO , 胡志瑋 , HU, CHIH-WEI , 呂函庭 , LUE, HANG-TING
IPC分类号： H01L27/11551 , G11C16/02

10. 发明专利

TW202018920A 具有底部參考導體的傾斜式半圓柱形3D　NAND陣列审中-公开
简体标题：具有底部参考导体的倾斜式半圆柱形3D　NAND数组
公开(公告)号：TW202018920A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107147840
申请日：2018-12-28
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：葉騰豪 , YEH, TENG-HAO , 呂函庭 , LUE, HANG-TING
IPC分类号： H01L27/11551
摘要：一種記憶體裝置包括一參考導體，及被數個絕緣條分開的一堆疊的導電條，此堆疊中的此些導電條朝一第一方向延伸，且此堆疊係被配置在參考導體上。記憶體裝置包括複數個半圓柱形垂直通道結構，延伸通過此堆疊中的此些導電條中的各個開孔，並且包括複數個半導體薄膜來與具有複數個外表面之參考導體電性連接。每一個半圓柱形垂直通道結構具有一分割的橢圓形截面，其具有一相對於第一方向呈傾斜的主軸線。記憶體裝置包括複數個資料儲存結構，位在此些半導體薄膜的此些外表面與此些導電條中的此些開孔中的複數個側壁之間。
简体摘要：一种内存设备包括一参考导体，及被数个绝缘条分开的一堆栈的导电条，此堆栈中的此些导电条朝一第一方向延伸，且此堆栈系被配置在参考导体上。内存设备包括复数个半圆柱形垂直信道结构，延伸通过此堆栈中的此些导电条中的各个开孔，并且包括复数个半导体薄膜来与具有复数个外表面之参考导体电性连接。每一个半圆柱形垂直信道结构具有一分割的椭圆形截面，其具有一相对于第一方向呈倾斜的主轴线。内存设备包括复数个数据存储结构，位在此些半导体薄膜的此些外表面与此些导电条中的此些开孔中的复数个侧壁之间。

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