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11. 发明专利

TW200603401A 基於抗波導空腔的光電裝置 OPTOELECTRONIC DEVICE BASED ON AN ANTIWAVEGUIDING CAVITY 审中-公开
简体标题：基于抗波导空腔的光电设备 OPTOELECTRONIC DEVICE BASED ON AN ANTIWAVEGUIDING CAVITY
公开(公告)号：TW200603401A
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：TW094110733
申请日：2005-04-04
申请人： NL 那諾半導體股份有限公司 NL-NANOSEMICONDUCTOR GMBH
发明人：雷登瑟夫尼可萊 NIKOLAI LEDENTSOV , 旭庫金維他立 VITALY SHCHUKIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01S5/183 , B82Y20/00 , H01L33/105 , H01S5/2027 , H01S5/205 , H01S5/34 , H01S2301/02
摘要：本發明係揭示一種半導體光電裝置，其係包含至少一空腔與一多層干涉反射鏡。該空腔係經較佳地設計成具有抗波導空腔的性質，其中與主動介質明顯重疊之光模都不在側面內傳播。存在的光模均為垂直方向傳播的光模，或為傳播方向與垂直方向有一傾斜角的光模，使得在半導體－空氣介面處該傾斜角小於全內反射角且處於該等光模之光線通過上表面或基板傳出該裝置。這種設計可減少寄生光模的影響且改善光電裝置的特性，包含，垂直空腔面射型雷射、通過上表面或基板發光之斜空腔雷射、垂直或斜空腔共振光檢測器、垂直或斜空腔共振光放大器、以及發光二極體。
简体摘要：本发明系揭示一种半导体光电设备，其系包含至少一空腔与一多层干涉反射镜。该空腔系经较佳地设计成具有抗波导空腔的性质，其中与主动介质明显重叠之光模都不在侧面内传播。存在的光模均为垂直方向传播的光模，或为传播方向与垂直方向有一倾斜角的光模，使得在半导体－空气界面处该倾斜角小于全内反射角且处于该等光模之光线通过上表面或基板传出该设备。这种设计可减少寄生光模的影响且改善光电设备的特性，包含，垂直空腔面射型激光、通过上表面或基板发光之斜空腔激光、垂直或斜空腔共振光检测器、垂直或斜空腔共振光放大器、以及发光二极管。

12. 发明专利

TW200424729A 用於頻率轉換的裝置及方法 APPARATUS FOR AND METHOD OF FREQUENCY CONVERSION 失效
简体标题：用于频率转换的设备及方法 APPARATUS FOR AND METHOD OF FREQUENCY CONVERSION
公开(公告)号：TW200424729A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：TW093103972
申请日：2004-02-18
申请人： PBC雷射有限公司 PBC LASERS LTD.
发明人：雷登沙夫尼古拉 LEDENTSOV, NIKOLAI , 席朱金維塔利 SHCHUKIN, VITALY
IPC分类号： G02F , H01S
CPC分类号： H01S5/141 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01S3/109 , H01S5/041 , H01S5/1085 , H01S5/2027
摘要：一種用於光線之頻率轉換的裝置，該裝置包括：一發光元件，用於發射具有一第一頻率的一光線，該發光元件係為一具有一選定之延伸波導的邊射型半導體發光二極體，致使該延伸波導的一基本橫向模態其特徵在於一低光束發散。該裝置進一步包括一光反射器，其經建構及設計因此該光線通過界定在該發光元件與該光反射器之間的一外部腔室數次，並提供一回饋用於產生具有該第一頻率的一雷射光。該裝置進一步包括一非線性光學晶體，配置在該外部腔室中並經選定，因此當具有該第一頻率的該雷射光通過該非線性光學晶體數次時，該第一頻率經轉換成與其不同的一第二頻率。
简体摘要：一种用于光线之频率转换的设备，该设备包括：一发光组件，用于发射具有一第一频率的一光线，该发光组件系为一具有一选定之延伸波导的边射型半导体发光二极管，致使该延伸波导的一基本横向模态其特征在于一低光束发散。该设备进一步包括一光反射器，其经建构及设计因此该光线通过界定在该发光组件与该光反射器之间的一外部腔室数次，并提供一回馈用于产生具有该第一频率的一激光光。该设备进一步包括一非线性光学晶体，配置在该外部腔室中并经选定，因此当具有该第一频率的该激光光通过该非线性光学晶体数次时，该第一频率经转换成与其不同的一第二频率。

13. 发明专利

TWI426673B 二維光子結晶面發光雷射光源有权
简体标题：二维光子结晶面发光激光光源
公开(公告)号：TWI426673B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW096109312
申请日：2007-03-19
申请人：羅姆股份有限公司 , ROHM CO., LTD.
发明人：酒井恭輔 , SAKAI, KYOSUKE , 宮井英次 , MIYAI, EIJI , 野田進 , NODA, SUSUMU , 大西大 , OHNISHI, DAI , 國師渡 , KUNISHI, WATARU
IPC分类号： H01S5/18 , H01S5/12
CPC分类号： H01S5/18 , B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/125 , H01S5/2027 , H01S5/34313 , H01S2301/14 , H01S2301/18

14. 发明专利

TW201117500A 邊射型半導體雷射 EDGE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER 审中-公开
简体标题：边射型半导体激光 EDGE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER
公开(公告)号：TW201117500A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099126563
申请日：2010-08-10
申请人：歐司朗光電半導體公司
发明人：艾奇爾克里斯多夫 , 史奇爾佳利史馬克 , 蘭梅爾泰瑞沙
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S2301/18
摘要：本發明揭露一種邊射型半導體雷射(1)，包括：n側波導區(21)以及p側波導區(22)；主動區(20)，用於產生電磁輻射；以及，至少一反射層(24)，位於該n側波導區(21)中，其中，該主動區(20)設置於該兩個波導區(21、22)之間，該n側波導區(21)之厚度大於該p側波導區(22)之厚度，該反射層(24)之反射係數小於鄰接於該反射層(24)之該n側波導區(21)之反射係數。
简体摘要：本发明揭露一种边射型半导体激光(1)，包括：n侧波导区(21)以及p侧波导区(22)；主动区(20)，用于产生电磁辐射；以及，至少一反射层(24)，位于该n侧波导区(21)中，其中，该主动区(20)设置于该两个波导区(21、22)之间，该n侧波导区(21)之厚度大于该p侧波导区(22)之厚度，该反射层(24)之反射系数小于邻接于该反射层(24)之该n侧波导区(21)之反射系数。

15. 发明专利

TW200917601A 具有垂直發射方向之發射輻射半導體組件及用於製造發射輻射半導體組件的方法 RADIATION EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH VERTICAL EMISSION DIRECTION AND METHOD FOR PRODUCTION OF RADIATION EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
简体标题：具有垂直发射方向之发射辐射半导体组件及用于制造发射辐射半导体组件的方法 RADIATION EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH VERTICAL EMISSION DIRECTION AND METHOD FOR PRODUCTION OF RADIATION EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
公开(公告)号：TW200917601A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097134017
申请日：2008-09-05
申请人：歐斯朗奧托半導體股份有限公司 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人：彼得布里克 BRICK, PETER , 克里斯多福威斯曼 WIESMANN, CHRISTOPHER
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/026 , B82Y20/00 , H01S3/109 , H01S5/0217 , H01S5/041 , H01S5/1203 , H01S5/14 , H01S5/18 , H01S5/183 , H01S5/2027 , H01S5/34313 , H01S5/34353 , H01S5/4043
摘要：一種垂直發射方向中發出輻射的半導體組件(1),其半導體本體(2)具有半導體層序列。在半導體層序列中形成一種可產生一泵輻射之泵區(3)。在泵區(3)上配置一可產生一發射輻射的發射區(4)。在半導體組件(1)中形成一耦合結構(7)。此外,本發明亦涉及一種發出輻射的半導體組件(1)之製造方法。
简体摘要：一种垂直发射方向中发出辐射的半导体组件(1),其半导体本体(2)具有半导体层串行。在半导体层串行中形成一种可产生一泵辐射之泵区(3)。在泵区(3)上配置一可产生一发射辐射的发射区(4)。在半导体组件(1)中形成一耦合结构(7)。此外,本发明亦涉及一种发出辐射的半导体组件(1)之制造方法。

16. 发明专利

TW200746575A 二維光子結晶面發光雷射光源审中-公开
简体标题：二维光子结晶面发光激光光源
公开(公告)号：TW200746575A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096109312
申请日：2007-03-19
申请人：羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
发明人：酒井恭輔 SAKAI, KYOSUKE , 宮井英次 MIYAI, EIJI , 野田進 NODA, SUSUMU , 大西大 OHNISHI, DAI , 國師渡 KUNISHI, WATARU
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/18 , B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/125 , H01S5/2027 , H01S5/34313 , H01S2301/14 , H01S2301/18
摘要：本發明之目的在於提供一種面發光雷射,其可選擇性地獲得基本模式之雷射振盪,藉此射出單一波長之雷射光。具有活性層及設於其一側之二維光子結晶的面發光雷射中,於二維光子結晶周圍之至少一部分,在形成於二維光子結晶內之內部諧振光之基本模式之振幅之包絡線具極大値之位置,設置具有反射率具極大値之反射率分布的反射部45或46。藉此,由於可更加强基本模式且抑制二次模式,因此可選擇性地獲得基本模式之雷射振盪,藉此可射出單一波長之雷射光。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种面发光激光,其可选择性地获得基本模式之激光振荡,借此射出单一波长之激光光。具有活性层及设於其一侧之二维光子结晶的面发光激光中,于二维光子结晶周围之至少一部分,在形成于二维光子结晶内之内部谐振光之基本模式之振幅之包络线具极大値之位置,设置具有反射率具极大値之反射率分布的反射部45或46。借此,由于可更加强基本模式且抑制二次模式,因此可选择性地获得基本模式之激光振荡,借此可射出单一波长之激光光。

17. 发明专利

TW200514287A 有機雷射裝置 ORGANIC LASER APPARATUS 审中-公开
简体标题：有机激光设备 ORGANIC LASER APPARATUS
公开(公告)号：TW200514287A
公开(公告)日：2005-04-16
申请号：TW093118753
申请日：2004-06-25
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：野村亮二 NOMURA, RYOJI , 安部寬子 ABE, HIROKO , 湯川幹央 YUKAWA, MIKIO
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01S5/18305 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5265 , H01S5/0425 , H01S5/1096 , H01S5/12 , H01S5/2004 , H01S5/2027 , H01S5/36 , H01S2301/04
摘要：本發明為，包含於注入電流之際放射雷射光的有機化合物之有機雷射裝置。用於本發明的雷射裝置之有機化合物層，由於可放射雷射光，因此考慮該波長而決定疊層構造及各層的膜厚。於本發明當中，總稱以形成於一對電極之間的有機化合物為主成分之薄膜為有機化合物層。有機化合物層係包夾於一對電極之間而形成，較理想為採用載體輸送特性及發光波長不同的多數層而形成。此外，較理想為介於反射體而形成一對電極之所謂的共振器構造之型態。
简体摘要：本发明为，包含于注入电流之际放射激光光的有机化合物之有机激光设备。用于本发明的激光设备之有机化合物层，由于可放射激光光，因此考虑该波长而决定叠层构造及各层的膜厚。于本发明当中，总称以形成于一对电极之间的有机化合物为主成分之薄膜为有机化合物层。有机化合物层系包夹于一对电极之间而形成，较理想为采用载体输送特性及发光波长不同的多数层而形成。此外，较理想为介于反射体而形成一对电极之所谓的共振器构造之型态。

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