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    • 14. 发明专利
    • 半導體裝置之製造方法
    • 半导体设备之制造方法
    • TW201533894A
    • 2015-09-01
    • TW104100008
    • 2015-01-05
    • 瑞薩電子股份有限公司RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
    • 前川考志MAEKAWA, KOJI
    • H01L27/146
    • H01L27/14621H01L27/14609H01L27/14627H01L27/14629H01L27/14685
    • 本發明使半導體裝置的製造步驟變得更簡易。在本發明的半導體裝置的製造方法中,在分別形成了檢出彼此相異顏色之光的畫素的複數個區域AR的各個區域中,在以覆蓋光電二極體PD的方式形成的層間絶緣膜IL上,形成襯墊膜LF1。之後,形成貫通襯墊膜LF1並到達層間絶緣膜IL的中途的開口部OP。另外,在複數個區域AR的各個區域中,以襯墊膜LF1的厚度彼此相異的方式,形成襯墊膜LF1。襯墊膜LF1的厚度較薄的區域中的開口部OP的底面的高度位置,比襯墊膜LF1的厚度較厚的區域中的開口部OP的底面的高度位置更低。
    • 本发明使半导体设备的制造步骤变得更简易。在本发明的半导体设备的制造方法中,在分别形成了检出彼此相异颜色之光的像素的复数个区域AR的各个区域中,在以覆盖光电二极管PD的方式形成的层间绝缘膜IL上,形成衬垫膜LF1。之后,形成贯通衬垫膜LF1并到达层间绝缘膜IL的中途的开口部OP。另外,在复数个区域AR的各个区域中,以衬垫膜LF1的厚度彼此相异的方式,形成衬垫膜LF1。衬垫膜LF1的厚度较薄的区域中的开口部OP的底面的高度位置,比衬垫膜LF1的厚度较厚的区域中的开口部OP的底面的高度位置更低。