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1. 发明专利

TW201810237A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201810237A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106120033
申请日：2012-07-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：池田隆之 , IKEDA, TAKAYUKI
IPC分类号： G09G3/36 , G02F1/136
CPC分类号： H01L27/14605 , H01L27/14601 , H01L27/14614 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/7869
摘要：本發明提供一種能夠在一個圖框以上的期間內保持資料且使用少數的元件進行差分運算的影像感測器。在配置為矩陣狀的多個像素中設置光電感測器，該像素在一個圖框以上的期間內將電荷儲存在資料保持部，並根據儲存在該資料保持部的電荷使光電感測器的輸出變化。作為資料保持部的寫入切換元件，使用洩漏電流小(比1×10-14A十分小)的電晶體。作為洩漏電流小的電晶體，可以舉出在氧化物半導體層中形成通道的電晶體。
简体摘要：本发明提供一种能够在一个图框以上的期间内保持数据且使用少数的组件进行差分运算的影像传感器。在配置为矩阵状的多个像素中设置光电传感器，该像素在一个图框以上的期间内将电荷存储在数据保持部，并根据存储在该数据保持部的电荷使光电传感器的输出变化。作为数据保持部的写入切换组件，使用泄漏电流小(比1×10-14A十分小)的晶体管。作为泄漏电流小的晶体管，可以举出在氧化物半导体层中形成信道的晶体管。

2. 发明专利

TWI615637B 影像感測器結構有权
简体标题：影像传感器结构
公开(公告)号：TWI615637B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105139646
申请日：2016-12-01
申请人：采鈺科技股份有限公司 , VISERA TECHNOLOGIES COMPANY LIMITED
发明人：謝錦全 , HSIEH, CHIN CHUAN , 王唯科 , WANG, WEI KO
IPC分类号： G02B3/00 , H01L27/14 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14627 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14643

3. 发明专利

TW201804175A 影像感測器結構审中-公开
简体标题：影像传感器结构
公开(公告)号：TW201804175A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105139646
申请日：2016-12-01
申请人：采鈺科技股份有限公司 , VISERA TECHNOLOGIES COMPANY LIMITED
发明人：謝錦全 , HSIEH, CHIN CHUAN , 王唯科 , WANG, WEI KO
IPC分类号： G02B3/00 , H01L27/14 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14627 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14643
摘要：本揭露提供一種影像感測器結構。該影像感測器結構包括：複數個彩色濾光圖案，分為一第一單元、一第二單元、一第三單元、以及一第四單元，該第一單元包括一綠色濾光片，該第二單元包括一綠色濾光片，該第三單元包括一藍色濾光片，該第四單元包括一紅色濾光片，其中該第一單元鄰近該第二單元；以及複數個微透鏡，形成於該等彩色濾光圖案上，其中該等微透鏡分為一第一微透鏡單元、一第二微透鏡單元、以及一第三微透鏡單元，該第一微透鏡單元具有一微透鏡，於該第一單元之該一綠色濾光片與該第二單元之該一綠色濾光片上，該第二微透鏡單元於該第三單元之該一藍色濾光片上，該第三微透鏡單元於該第四單元之該一紅色濾光片上。
简体摘要：本揭露提供一种影像传感器结构。该影像传感器结构包括：复数个彩色滤光图案，分为一第一单元、一第二单元、一第三单元、以及一第四单元，该第一单元包括一绿色滤光片，该第二单元包括一绿色滤光片，该第三单元包括一蓝色滤光片，该第四单元包括一红色滤光片，其中该第一单元邻近该第二单元；以及复数个微透镜，形成于该等彩色滤光图案上，其中该等微透镜分为一第一微透镜单元、一第二微透镜单元、以及一第三微透镜单元，该第一微透镜单元具有一微透镜，于该第一单元之该一绿色滤光片与该第二单元之该一绿色滤光片上，该第二微透镜单元于该第三单元之该一蓝色滤光片上，该第三微透镜单元于该第四单元之该一红色滤光片上。

4. 发明专利

TWI607553B 半導體光檢測元件有权
简体标题：半导体光检测组件
公开(公告)号：TWI607553B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105139115
申请日：2012-08-15
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K. K.
发明人：永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 細川暢郎 , HOSOKAWA, NOBURO , 鈴木智史 , SUZUKI, TOMOFUMI , 馬場隆 , BABA, TAKASHI
IPC分类号： H01L27/144
CPC分类号： H01L27/1446 , H01L27/1443 , H01L27/14605 , H01L28/20 , H01L31/02005 , H01L31/02322 , H01L31/107 , H01L2224/11

5. 发明专利

TW201733098A 製造感測器裝置审中-公开
简体标题：制造传感器设备
公开(公告)号：TW201733098A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106103804
申请日：2017-02-06
申请人：菲爾薇解析公司 , VIAVI SOLUTIONS INC.
发明人：奧肯福斯喬治J , OCKENFUSS, GEORG J.
IPC分类号： H01L27/14
CPC分类号： G01J1/0414 , G01J1/0488 , G01J1/0492 , G01J3/0256 , G01J3/26 , G01J2003/1226 , G01J2003/2806 , H01L27/14605 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14685
摘要：根據一範例，一第一面鏡層可以形成於一基板上。一第一組間隔層可以被沉積在一第一面鏡層上以定位於一第一組感測元件上，並且一第二組間隔層可以被沉積在該第一面鏡層上以定位於一第二組感測元件上，其中，該第二組間隔層不同於該第一組間隔層。此外，一第二面鏡層可以形成於已沉積的該第一組間隔層和已沉積的該第二組間隔層上。
简体摘要：根据一范例，一第一面镜层可以形成于一基板上。一第一组间隔层可以被沉积在一第一面镜层上以定位于一第一组传感组件上，并且一第二组间隔层可以被沉积在该第一面镜层上以定位于一第二组传感组件上，其中，该第二组间隔层不同于该第一组间隔层。此外，一第二面镜层可以形成于已沉积的该第一组间隔层和已沉积的该第二组间隔层上。

6. 发明专利

TW201719875A 針對複合格狀結構中相位偵測自動對焦像素的微透鏡及其形成方法审中-公开
简体标题：针对复合格状结构中相位侦测自动对焦像素的微透镜及其形成方法
公开(公告)号：TW201719875A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105129272
申请日：2016-09-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：周耕宇 , CHOU, KENG YU , 曾建賢 , TSENG, CHIEN HSIEN , 江偉傑 , CHIANG, WEI CHIEH , 許文義 , HSU, WEN I , 山下雄一郎 , YAMASHITA, YUICHIRO
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/232
CPC分类号： H01L27/14627 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14698 , H04N5/23212 , H04N5/3696
摘要：本發明實施例提供一種用於高角回應辨別之影像感測器。複數個像素包括一相位偵測自動對焦(PDAF)像素及一影像擷取像素。該等像素之像素感測器經配置於一半導體基板中。一格狀結構經配置於該半導體基板上方，從而橫向環繞該等像素之彩色濾光片。該等像素之微透鏡經配置於該格狀結構上方，且包括該PDAF像素之一PDAF微透鏡及該影像擷取像素之一影像擷取微透鏡。該PDAF微透鏡包括比該影像擷取微透鏡大之一光功率，或包括使得該PDAF像素之一PDAF接收表面具有一不對稱輪廓之一位置或形狀。本發明實施例亦提供一種用於製造該影像感測器之方法。
简体摘要：本发明实施例提供一种用于高角回应辨别之影像传感器。复数个像素包括一相位侦测自动对焦(PDAF)像素及一影像截取像素。该等像素之像素传感器经配置于一半导体基板中。一格状结构经配置于该半导体基板上方，从而横向环绕该等像素之彩色滤光片。该等像素之微透镜经配置于该格状结构上方，且包括该PDAF像素之一PDAF微透镜及该影像截取像素之一影像截取微透镜。该PDAF微透镜包括比该影像截取微透镜大之一光功率，或包括使得该PDAF像素之一PDAF接收表面具有一不对称轮廓之一位置或形状。本发明实施例亦提供一种用于制造该影像传感器之方法。

7. 发明专利

TWI549275B 用於高動態範圍影像感測器之影像感測器像素有权
简体标题：用于高动态范围影像传感器之影像传感器像素
公开(公告)号：TWI549275B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW103111546
申请日：2014-03-27
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：柳政澔 , LYU, JEONG-HO , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/355
CPC分类号： H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14645

8. 发明专利

TWI523209B 光二極體陣列有权
简体标题：光二极管数组
公开(公告)号：TWI523209B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW103118194
申请日：2007-07-03
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：山村和久 , YAMAMURA, KAZUHISA , 里健一 , SATO, KENICHI
IPC分类号： H01L27/14 , H01L31/107
CPC分类号： H01L27/1446 , H01L27/14 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14636 , H01L31/107

9. 发明专利

TWI487948B 固態成像裝置及照相機系統有权
简体标题：固态成像设备及照相机系统
公开(公告)号：TWI487948B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW101104786
申请日：2012-02-14
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：廣田功 , HIROTA, ISAO
IPC分类号： G02B27/22 , H01L27/148 , G03B19/00
CPC分类号： H04N13/257 , H01L27/14605 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H04N5/35563 , H04N5/3696 , H04N9/045 , H04N13/218

10. 发明专利

TWI479650B 改良式背側發光影像感測器架構及其製造方法有权
简体标题：改良式背侧发光影像传感器架构及其制造方法
公开(公告)号：TWI479650B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW102103097
申请日：2013-01-28
申请人：歐普提茲股份有限公司 , OPTIZ, INC.
发明人：歐根賽安維吉 , OGANESIAN, VAGE
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N5/374 , H01L24/05 , H01L27/14605 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2224/04042 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2924/12042 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

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